扬声器磁路装置以及扬声器制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种扬声器磁路装置，包括：T铁；环状的第一磁铁，其套设于T铁的竖向部上，第一磁铁的内径大于竖向部的外径；环状的支撑环，其套设于竖向部上，支撑环位于第一磁铁的内部，支撑环的外径小于第一磁铁的内径；第一华司设于竖向部的上部；第二华司设于支撑环的上部；第三华司设于第一磁铁的上部；第一华司与第二华司之间形成第一磁间隙；第二华司与第三华司之间形成第二磁间隙；第一磁间隙内设有第一音圈，第二磁间隙内设有第二音圈，由此形成双磁隙双音圈的磁路装置，以提高扬声器的性能、减小失真。

【技术实现步骤摘要】
扬声器磁路装置以及扬声器
本技术涉及电声转换
，尤其涉及一种扬声器磁路装置以及扬声器。
技术介绍
扬声器的失真指的是扬声器在重放音频信号的时候出现了与原音频信号不一致的声音的现象。扬声器音质的好坏完全取决于它的失真情况，因此如何降低扬声器的失真是制成高性能高保真扬声器的一个重要的研究方向。常见扬声器的磁路系统如图1所示，磁铁4、华司3以及T铁1形成一个环形磁路，音圈2悬挂于磁间隙内。当电流通过音圈2时，音圈2产生随电流而变化的磁场，变化的磁场与扬声器的磁路系统的磁场发生相吸或相斥的作用，导致音圈2产生机械振动从而带动扬声器的鼓纸振动，鼓纸振动反复推动空气而发出声音。电流驱动音圈2振动时，音圈2中会产生反动电动势阻碍磁通量的变化；音圈2的自感量随频率呈非线性变化，当扬声器工作在高频时，音圈2自身的自感过大，产生的感应电流较大，对扬声器工作产生不利影响，导致高频频率响应受损。以上缺陷会导致扬声器电阻抗值在f>fn（fn为阻抗极小值对应的频率值）时，随频率增加而单调快速上升，引起失真。本
技术介绍
所公开的上述信息仅仅用于增加对本申请
技术介绍
的理解，因此，其可能包括不构成本领域普通技术人员已知的现有技术。
技术实现思路
针对
技术介绍
中指出的问题，本技术提出一种扬声器磁路装置以及扬声器，采用双磁隙双音圈的磁路装置来提高扬声器的性能、减小失真。为实现上述技术目的，本技术采用下述技术方案予以实现：本技术提供一种扬声器磁路装置，包括：T铁，其包括横向部和设于所述横向部上的竖向部；第一磁铁，其为环状，所述第一磁铁套设于所述竖向部上，所述第一磁铁的内径大于所述竖向部的外径；支撑环，其为环状，所述支撑环套设于所述竖向部上，所述支撑环位于所述第一磁铁的内部，所述支撑环的外径小于所述第一磁铁的内径；第一华司，其设于所述竖向部的上部；第二华司，其设于所述支撑环的上部，所述第二华司位于所述第一华司的外周，所述第一华司与所述第二华司之间形成第一磁间隙；第三华司，其设于所述第一磁铁的上部，所述第三华司位于所述第二华司的外周，所述第二华司与所述第三华司之间形成第二磁间隙；第一音圈，其设于所述第一磁间隙内；第二音圈，其设于所述第二磁间隙内。本申请一些实施例中，所述第一华司、所述第二华司、所述第三华司以及所述竖向部同轴。本申请一些实施例中，所述第一磁铁、所述支撑环以及所述竖向部的顶面处于同一平面。本申请一些实施例中，所述第一华司、所述第二华司以及所述第三华司的厚度相同。本申请一些实施例中，所述支撑环的内径大于所述竖向部的外径。本申请一些实施例中，所述支撑环由非磁性材料制成。本申请一些实施例中，所述支撑环的材质为铝或铜。本申请一些实施例中，还包括第二磁铁，其设于所述第一华司和所述竖向部之间。本申请一些实施例中，还包括第三磁铁，其为环状，所述第三磁铁设于所述第三华司的上部，所述第三磁铁的内径大于所述第三华司的内径。本技术还提供一种扬声器，包括如上所述的扬声器磁路装置。与现有技术相比，本技术的优点和积极效果是：本申请所公开的扬声器磁路装置为一个双磁隙双音圈双振膜的磁路装置，将该磁路装置应用到扬声器上时，内部第一音圈连接的振膜质量应比外部第二音圈连接的振膜质量要轻。当扬声器高频工作时，振幅较小，振动速度较快，位于内部的第一音圈起主要工作；当扬声器低频工作时，振幅较大，振动速度较慢，位于外部的第二音圈起主要工作，从而使得扬声器具有较宽的有效频率范围，减小扬声器的失真，提高扬声器的音质。结合附图阅读本技术的具体实施方式后，本技术的其他特点和优点将变得更加清楚。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中扬声器磁路装置的结构示意图；图2为根据实施例一的扬声器磁路装置的结构示意图；图3为根据实施例二的扬声器磁路装置的结构示意图；图4为根据实施例三的扬声器磁路装置的结构示意图；图5为根据实施例四的扬声器磁路装置的结构示意图。附图标记：图1中：1-T铁，2-音圈，3-华司，4-磁铁；图2至图5中：10-T铁，11-横向部，12-竖向部；21-第一磁铁，22-第二磁铁，23-第三磁铁；31-第一华司，32-第二华司，33-第三华司；41-第一磁间隙，42-第二磁间隙；51-第一音圈，52-第二音圈；60-支撑环。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在本技术的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖”、“横”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。实施例一参照图2，本实施例中的扬声器磁路装置主要包括T铁10、第一磁铁21、支撑环60、第一华司31、第二华司32、第三华司33、第一音圈51以及第二音圈52。T铁10包括横向部11和设于横向部11上的竖向部12，竖向部12位于横向部11的上部。第一磁铁21为环状，第一磁铁21套设于竖向部12上，并且第一磁铁21坐落在横向部11的上部。第一磁铁21的内径大于竖向部12的外径，使得第一磁铁21与竖向部12之间具有一定距离。支撑环60为环状，支撑环60套设于竖向部12上，支撑环60也是坐落在横向部12的上部。支撑环60位于第一磁铁21的内部，支撑环60的外径小于第一磁铁21的内径，使得第一磁铁21与支撑环60之间具有一定距离。第一华司31设于竖向部12的上部。第二华司32设于支撑环60的上部，第二华司32位于第一华司31的外周，第一华司31与第二华司32之间形成第一磁间隙41。第三华司设33于第一磁铁21的上部，第三华司33位于第二华司32的外周，第二华司32与第三华司33之间形成第二磁间隙42。第一音圈51设于第一磁间隙41内。第二音圈52设于第二磁间隙4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扬声器磁路装置，其特征在于，包括：/nT铁，其包括横向部和设于所述横向部上的竖向部；/n第一磁铁，其为环状，所述第一磁铁套设于所述竖向部上，所述第一磁铁的内径大于所述竖向部的外径；/n支撑环，其为环状，所述支撑环套设于所述竖向部上，所述支撑环位于所述第一磁铁的内部，所述支撑环的外径小于所述第一磁铁的内径；/n第一华司，其设于所述竖向部的上部；/n第二华司，其设于所述支撑环的上部，所述第二华司位于所述第一华司的外周，所述第一华司与所述第二华司之间形成第一磁间隙；/n第三华司，其设于所述第一磁铁的上部，所述第三华司位于所述第二华司的外周，所述第二华司与所述第三华司之间形成第二磁间隙；/n第一音圈，其设于所述第一磁间隙内；/n第二音圈，其设于所述第二磁间隙内。/n

【技术特征摘要】
1.一种扬声器磁路装置，其特征在于，包括：
T铁，其包括横向部和设于所述横向部上的竖向部；
第一磁铁，其为环状，所述第一磁铁套设于所述竖向部上，所述第一磁铁的内径大于所述竖向部的外径；
支撑环，其为环状，所述支撑环套设于所述竖向部上，所述支撑环位于所述第一磁铁的内部，所述支撑环的外径小于所述第一磁铁的内径；
第一华司，其设于所述竖向部的上部；
第二华司，其设于所述支撑环的上部，所述第二华司位于所述第一华司的外周，所述第一华司与所述第二华司之间形成第一磁间隙；
第三华司，其设于所述第一磁铁的上部，所述第三华司位于所述第二华司的外周，所述第二华司与所述第三华司之间形成第二磁间隙；
第一音圈，其设于所述第一磁间隙内；
第二音圈，其设于所述第二磁间隙内。


2.根据权利要求1所述的扬声器磁路装置，其特征在于，
所述第一华司、所述第二华司、所述第三华司以及所述竖向部同轴。


3.根据权利要求2所述的扬声器磁路装置，其特征在于，
所述第一磁铁、所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚杰，王书晓，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37