设备和设备的制造方法技术

本发明专利技术公开了设备和设备的制造方法。一种设备，包括：天线阵列，设置有多条天线，这些多条天线各自包括具有太赫兹波增益的半导体层；以及耦合线，用于在太赫兹波的频率处的天线中的至少两条天线的相互频率锁定，其中，该耦合线连接到分流设备，并且该分流设备与该两条天线中的每条天线的半导体层并联连接。

【技术实现步骤摘要】
设备和设备的制造方法
本专利技术涉及发射或检测太赫兹波的设备，并且涉及该设备的制造方法。
技术介绍
已知集成了谐振器和具有太赫兹电磁波增益的半导体设备的振荡器作为生成太赫兹波的电流注入型光源，太赫兹波是在至少30GHz且不超过30THz的频率范围内的电磁波。特别地，期望将集成了共振隧穿二极管(RTD)和天线的振荡器作为在室温下在1THz附近的频率区域中操作的设备。“Jpn.J.Appl.Phys.,第47卷，第6期(2008),第4375-4384页”描述了一种RTD和缝隙天线谐振器被集成在半导体基板上的太赫兹波振荡器。在本说明书中，使用由在InP基板上外延生长的InGaAs量子阱层和AlAs隧道势垒层构成的双势垒RTD。使用这种RTD的振荡器可以在室温下在电压电流(V-I)特性产生负微分电阻的区域中实现太赫兹波振荡。另外，日本专利申请公开No.2014-200065描述了一种集成了RTD和天线的多个振荡器被布置在同一基板上的太赫兹波天线阵列。日本专利申请公开No.2014-200065中描述的天线阵列能够通过相邻天线彼此同步来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其特征在于，包括：/n天线阵列，设置有多条天线，所述多条天线各自包括具有太赫兹波增益的半导体层；以及/n耦合线，用于在太赫兹波的频率处的所述天线中的至少两条天线的相互频率锁定，其中，/n所述耦合线连接到分流设备，并且/n所述分流设备与所述两条天线中的每条天线的所述半导体层并联连接。/n

【技术特征摘要】
20190924 JP 2019-1730841.一种设备，其特征在于，包括：
天线阵列，设置有多条天线，所述多条天线各自包括具有太赫兹波增益的半导体层；以及
耦合线，用于在太赫兹波的频率处的所述天线中的至少两条天线的相互频率锁定，其中，
所述耦合线连接到分流设备，并且
所述分流设备与所述两条天线中的每条天线的所述半导体层并联连接。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多条天线各自连接到包括向所述半导体层供应偏置信号的电源的偏置电路。


3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多条天线中的每条天线包括：
基板；
第一导体层，被堆叠在基板上；
所述半导体层，电连接到第一导体层；
第二导体层，电连接到所述半导体层并且跨所述半导体层面对第一导体层；以及
第一电介质层，被形成在第一导体层和第二导体层之间。


4.根据权利要求3所述的设备，还包括第三导体层，
其中，所述耦合线具有第一电介质层被夹在第三导体层与第一导体层之间的结构。


5.根据权利要求4所述的设备，其中，
第二导体层被形成在第三导体层与第一导体层之间的层中，并且
第二导体层和第三导体层通过将与第一电介质层不同的第二电介质层夹在其间而形成电容器。


6.根据权利要求3所述的设备，其中，
所述多条天线中的每条天线还包括第四导体层，所述第四导体层被形成在第一导体层与第二导体层之间的层中，并且
在所述分流设备中，其中第一电介质层的一部分被夹在第四导体层和第一导体层之间的电容器与电阻器被串联连接。


7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山泰史，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP