【技术实现步骤摘要】
平板发射体及X射线管
本申请涉及医疗
，特别是涉及一种平板发射体及X射线管。
技术介绍
X射线管中的平板发射体一般为难熔金属钨。当平板发射体的两端施加电压时，平板发射体因本身具有阻抗性，导致发热。当平板发射体的温度达到多少时，金属钨的发射电子。钨的延脆转变温度为150℃-450℃，钨材料经高温使用发生再结晶以后就变得很脆，在受热冲击或震动的情况下极易发射变形或断裂。因此，平板发射体的抗热振性较差，影响平板发射体的使用寿命。而且纯钨的电阻率低，发射体的电阻值较低，需要通入较大电流才能使发射体温度升高到电子发射温度，会使发射体连接杆的热变形较大，降低发射体工作稳定性。
技术实现思路
基于此，有必要针对怎样才能提高平板发射体的使用寿命的问题，提供一种X射线管的平板发射体及X射线管。一种X射线管的平板发射体，包括相对的第一表面和第二表面，所述平板发射体包括钨铼合金材料，所述钨铼合金材料中的铼金属含量沿第一方向增大，从所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述第一方向。在一个实施例中，所述平板发...
【技术保护点】
1.一种X射线管的平板发射体，其特征在于，包括相对的第一表面和第二表面，所述平板发射体包括钨铼合金材料，所述钨铼合金材料中的铼金属含量沿第一方向增大，其中，从所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述第一方向。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种X射线管的平板发射体，其特征在于，包括相对的第一表面和第二表面，所述平板发射体包括钨铼合金材料，所述钨铼合金材料中的铼金属含量沿第一方向增大，其中，从所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述第一方向。
2.如权利要求1所述的X射线管的平板发射体，其特征在于，所述平板发射体中的铼金属含量沿所述第一方向阶梯分布。
3.如权利要求2所述的X射线管的平板发射体，其特征在于，包括：
发射层，所述发射层具有所述第一表面；
电阻层，设置于所述发射层背离所述第一表面的表面，所述电阻层具有所述第二表面，所述发射层中铼金属含量小于所述电阻层中铼金属含量。
4.如权利要求3所述的X射线管的平板发射体，其特征在于，还包括：
第一过渡层，设置于所述发射层与所述电阻层之间，所述第一过渡层中铼金属含量大于所述发射层中铼金属含量，且所述第一过渡层中铼金属含量小于所述电阻层中铼金属含量。
5.如权利要求4所述的X射线管的平板发射体，其特征在于，所述第一过渡层中铼金属含量与所述发射层中铼金属含量差值在10％至30％之间。
技术研发人员：马新星，张曦，
申请(专利权)人：武汉联影医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。