一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，所述方法包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。上述技术方案可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，通过该读取电压组重读未完全编程块的解码失败的页可以提高重读的效率，从而可以提高NAND闪存的读取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置
本申请涉及但不限于计算机领域，尤其涉及确定NAND闪存读取电压的方法及装置。
技术介绍
由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在NAND闪存(NandFlash)中的数据位会发生反转。当前使用NAND闪存的产品中，都会通过解码模块对NAND闪存进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。NAND闪存中的块可能包括两种状态，一种状态是块(Block)中存在未被编程(Program)的页(Page)，这种块称为未完全编程块(OpenBlock)，另一种状态是块中所有的页均被编程，这种块称为完全编程块(CloseBlock)。目前，在选择读取电压对Nand闪存进行数据读取时，通常不区分块的类型，在对所有的块解码失败(ECCFail)的页进行重读时采用相同的读取方法。但是由于OpenBlock和CloseBlock存在较大的差异，使得重读效果不理想。
技术实现思路
本申请所要解决的技术是提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，从而提高NAND闪存的读取效率。为了解决上述技术问题，本申请提供了一种确定NAND闪存读取电压的方法，包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。在一种示例性实例中，根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。在一种示例性实例中，所述方法还包括：当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，使用所述用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。在一种示例性实例中，所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，所述方法还包括：当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。在一种示例性实例中，所述方法还包括：当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。本申请还提供一种确定NAND闪存读取电压的装置，所述装置包括：存储器和处理器；所述存储器，用于保存用于确定NAND闪存读取电压的程序；所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，执行如下操作：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。在一种示例性实例中，根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。在一种示例性实例中，所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，还执行如下操作：所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。在一种示例性实例中，所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，还执行如下操作：当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。本申请还提供一种计算机存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行前述任一所述的确定NAND闪存读取电压的方法。本申请提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，所述方法包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。上述技术方案可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，通过该读取电压组重读未完全编程块的解码失败的页可以提高重读的效率，从而可以提高NAND闪存的读取效率。附图说明附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。图1是本申请实施例一的确定NAND闪存读取电压的方法的流程图；图2是本申请实施例一的确定NAND闪存读取电压的装置的结构示意图。具体实施方式本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的专利技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它专利技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的专利技术方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定NAND闪存读取电压的方法，包括：/n确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；/n根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；/n根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。/n

【技术特征摘要】
1.一种确定NAND闪存读取电压的方法，包括：
确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；
根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；
根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：
按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，使用所述用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。


4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，所述方法还包括：
当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。


6.一种确定NAND闪存读取电压的装置，所述装置包括：存储器和处理器；其特征在于：
所述存储器，用于保存用于确定NAND闪存读取电压的程序...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴莉莉，
申请(专利权)人：合肥大唐存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11