单芯片电流传感器制造技术

技术编号:28038414 阅读:16 留言:0更新日期:2021-04-09 23:21
本实用新型专利技术提供一种单芯片电流传感器,所述单芯片电流传感器包括:基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线,其中,所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。与现有技术相比,本实用新型专利技术将信号处理电路、磁传感器和电流走线集成在同一个衬底,从而使本实用新型专利技术中的单芯片电流传感器具有高集成性和低成本。

【技术实现步骤摘要】
单芯片电流传感器
本技术涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及一种单芯片电流传感器。
技术介绍
用于测量电流大小的电流传感器广泛应用于各种电子设备中。但是,传统的电流传感器,通过封装工艺将信号处理电路、磁电阻传感器和电流走线组装在一起。缺点是,集成度低,成本高。因此,有必要提出一种技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种单芯片电流传感器,其具有高集成性和低成本。根据本技术的一个方面,本技术提供一种单芯片电流传感器,其包括:基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线,其中,所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。进一步的,所述过孔金属是由沉积的第一金属层图形化制得的;所述电流走线是由沉积的第二金属层图形化制得的;所述磁传感器是由沉积的磁性化薄膜图形化制得的。进一步的,所述信号处理电路位于所述衬底上;所述磁传感器位于所述信号处理电路的上方;所述电流走线位于所述磁传感器的上方。进一步的,所述单芯片电流传感器还包括:第一绝缘介质层,其位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单芯片电流传感器,其特征在于,其包括:/n基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线,/n其中,所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种单芯片电流传感器,其特征在于,其包括:
基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线,
其中,所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。


2.根据权利要求1所述的单芯片电流传感器,其特征在于,
所述过孔金属是由沉积的第一金属层图形化制得的;
所述电流走线是由沉积的第二金属层图形化制得的;
所述磁传感器是由沉积的磁性化薄膜图形化制得的。


3.根据权利要求2所述的单芯片电流传感器,其特征在于,
所述信号处理电路位于所述衬底上;
所述磁传感器位于所述信号处理电路的上方;
所述电流走线位于所述磁传感器的上方。


4.根据权利要求3所述的单芯片电流传感器,其特征在于,其还包括:
第一绝缘介质层,其位于所述磁传感器和所述信号处理电路之间,所述过孔金属穿过所述第一绝缘介质层;
第二绝缘介质层,其位于所述电流走线和所述磁传感器之间。


5.根据权利要求4所述的单芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:李大来蒋乐跃
申请(专利权)人:新纳传感系统有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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