【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片
本技术涉及芯片领域，尤其涉及一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片。
技术介绍
目前原位透射电镜技术提供的是全程动态气流体环境，这一方面有助于技术人员捕捉更多动态的结构变化信息，但另一方面由于分子高速运动，技术人员很难在动态过程中高分辨捕捉某些重要的瞬时信息，如化学反应过程中元素价态、分子结构的变化信息，电化学固液界面双电层中离子的分布信息，生物分子(如抗原/抗体)相互作用时三维结构的变化等等，而这些过程信息中的瞬时化学状态、空间分布信息对于技术人员从分子、原子尺度解读反应原理是十分必要的，这些信息表征则需要较长时间的一个不变状态，这些是目前已有的低温冷冻电镜和原位流体透射电镜都无法实现的，要想获取这些信息技术人员就必须实现在原位测试过程中进行微区快速冷冻，再结合高分辨STEM/EDS/EELES表征。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种在原位测试过程中能够进行微区快速冷冻的透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片。同时该芯片还具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。...
【技术保护点】
1.一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，其中上片和下片均分为正面和背面，上片的正面直接与下片的正面通过金属键合层粘结，自封闭形成一个超薄的腔室；所述上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片设置有两个注样口和一个中心视窗1，其特征在于，下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗2；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗2的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗2；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗2为中心，且在大于导电金属薄膜...
【技术特征摘要】
1.一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，其中上片和下片均分为正面和背面，上片的正面直接与下片的正面通过金属键合层粘结，自封闭形成一个超薄的腔室；所述上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片设置有两个注样口和一个中心视窗1，其特征在于，下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗2；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗2的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗2；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗2为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；
所述上片的面积略小于下片的面积，上片的中心视窗1与下片的中心视窗2对齐，中心视窗1和中心视窗2上均有多个小孔。
2.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述下片的外形尺寸为2mm*2mm-10mm*10mm。
3.如权利要求2所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述下片的外形尺寸为4mm*8mm。
4.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述金属键合层的厚度为50nm-2000nm；金属键合层的材料为低熔点金属。
5.如权利要求4所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述金属键合层的材料为In、Sn或Al。
6.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述氮化硅或氧化硅的厚度为5-200nm。
7.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述硅基片的厚度为50-500μm。
8.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述上片的中心视窗1位于上片中心处，两个注样口关于中心视窗1对称布置。
9.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述支撑层为氮化硅或氧化硅，厚度为0.5-5μm。
10.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述冷冻层中，所述三个接触电极中的两个电极作为正极的输入电流；一个电极作为负极的输出电流。
11.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片，其特征在于，所述接触电极采用的是金、银或铜，厚度为50nm-300nm，正极的长为1-1.5mm，宽为0.5-1.2mm；负...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖洪钢，邓俊先，江友红，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：新型
国别省市：福建;35
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