自适应的闪存数据重读方法、装置及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种自适应的闪存数据重读方法、装置及介质的技术方案，包括：闪存设备执行默认读取失败时，从记录表中获取对应的重读组编号，或者，从重读表使用轮询方式查询对应的重读组编号；获取重读组编号中的参数进行重读处理，更新记录表，将使用轮询方式查询对应的重读组编号添加至记录表。本发明专利技术的有益效果为：本发明专利技术的有益效果为：优化了Nand flash默认读失败后，数据重读策略，降低了读数据的时间延迟；使Nand flash在各种温度条件下读速度更平稳，波动小保障数据读取时速度的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
自适应的闪存数据重读方法、装置及介质
本专利技术涉及计算机领域，具体涉及了一种自适应的闪存数据重读方法、装置及介质。
技术介绍
Nandflash(闪存)是现如今广泛使用的存储产片，具有速度快，非易失等优良特性。其内部实际上以存储电荷的形式来表示数据，在实际使用过程中，由于各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化，如果这一变化累积到一定程度，以默认的读操作来访问Nandflash，很可能无法得到正确的数据。一般来说Nandflash的生产厂家会允许用于调整用于判决闪存单元状态的读电压，通过调整读电压来将数据正确的恢复出来，通常这个过程被称为重读。导致Nandflash数据错误bit上升一般有以下原因：读写温度变化，例如在高低温环境的读写行为；Dataretention(数据保持)，本质上是存储在闪存单元中的电荷随时间慢慢流失；Readdisturb(读干扰)。通常原厂会提供多组重读方法以调整读电压的方式来恢复数据，即轮询方式。当使用默认读电压无法正确恢复数据时，便会进入重读流程。现有重读恢复数据的过程中通常是一组一组的尝试，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自适应的闪存数据重读方法，其特征在于，该方法包括：/nS100，闪存设备执行默认读取失败时，从记录表中获取对应的重读组编号，或者，从重读表使用轮询方式查询对应的重读组编号；/nS200，获取所述重读组编号中的参数进行重读处理，更新所述记录表，将使用轮询方式查询对应的重读组编号添加至记录表。/n

【技术特征摘要】
1.一种自适应的闪存数据重读方法，其特征在于，该方法包括：
S100，闪存设备执行默认读取失败时，从记录表中获取对应的重读组编号，或者，从重读表使用轮询方式查询对应的重读组编号；
S200，获取所述重读组编号中的参数进行重读处理，更新所述记录表，将使用轮询方式查询对应的重读组编号添加至记录表。


2.根据权利要求1所述的自适应的闪存数据重读方法，其特征在于，所述S100还包括：闪存设备上电启动默认读失败时初始化所述记录表，其中记录表的数据组数量与闪存页类型的数量一致。


3.根据权利要求2所述的自适应的闪存数据重读方法，其特征在于，所述记录表的数据组数量与闪存页类型的数量一致通过初始化所述记录表时，获取闪存设备的参数，获取闪存页类型的数量得到。


4.根据权利要求1所述的自适应的闪存数据重读方法，其特征在于，所述S100包括：
当任意类型的闪存页的数据读错误时，检查记录数组对应的闪存页类型是否有记录的重读组编号，如果有，则使用此组重读编号；如果没有则，沿着重读表轮询下一组重读组编号，直到找到正确的可以恢复数据的重读组编...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺乐，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44