【技术实现步骤摘要】
一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法
本专利技术涉及电力电子技术测量领域，特别是涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor简称IGBT)自上世纪八十年代被专利技术以来，经过几十年的发展，已经成为功率半导体器件的主流，在电力变换领域占据了非常重要的地位。相比于传统的焊接型IGBT模块，压接型IGBT器件依靠机械压力将内部IGBT芯片并联连接在一起，取消了焊接型IGBT模块中常用的绑定线连接，使其具有双面散热、失效短路、功率密度大等优点，在高压大功率领域得到了广泛的应用。虽然压接型IGBT器件有诸多优点，但对功率芯片研发和封装集成技术也提出了诸多挑战。难点之一是复杂电-热-力条件下器件内部大量IGBT芯片之间的并联均流问题。并联均流问题可分为静态均流和动态均流，相比于静态均流，动态均流问题更加严峻。原因在IGBT芯片动态特性在生产之初便已存在一定分散性，并且与芯片工作时的温度、机械压力等环境变量之间具有耦合...
【技术保护点】
1.一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一环氧树脂板，第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置；/n所述母线电容的一端与所述直流电压源的正极连接，所述母线电容的另一端与所述直流电压源的负极连接；所述叠层母排的一端连接所述直流电压源的正极，所述叠层母排的另一端连接所述续流二极管的阴极；所述续流二极管的阳极连接所述压接型IGBT芯片的发射极；所述负载电感的一端连接所述续流二极管的阳极，所述负载电感的另一端...
【技术特征摘要】
1.一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一环氧树脂板，第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置；
所述母线电容的一端与所述直流电压源的正极连接，所述母线电容的另一端与所述直流电压源的负极连接；所述叠层母排的一端连接所述直流电压源的正极，所述叠层母排的另一端连接所述续流二极管的阴极；所述续流二极管的阳极连接所述压接型IGBT芯片的发射极；所述负载电感的一端连接所述续流二极管的阳极，所述负载电感的另一端连接所述续流二极管的阴极；所述驱动脉冲生成器的正极连接所述压接型IGBT芯片的栅极，所述驱动脉冲生成器的负极连接所述压接型IGBT芯片的发射极；所述压接型IGBT芯片的发射极连接直流电压源的负极；所述电流测量装置的电流探头套装在所述压接型IGBT芯片上；所述电压测量装置的正极电压探头连接压接型IGBT芯片的集电极极板，所述电压测量装置的负极电压探头连接所述压接型IGBT芯片的发射集极板；
所述第一环氧树脂板叠放于碟簧之上；所述加热板叠放于第一环氧树脂板上；所述压接型IGBT芯片叠放于加热板上；所述第二环氧树脂板叠放于压接型IGBT芯片上；所述压力均衡装置叠放于第二环氧树脂板上；所述压力传感器叠放于压力均衡装置上；所述施压装置叠放于压力传感器上；所述压力夹具用于固定所述碟簧、第一环氧树脂板、加热板、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器和施压装置所组成的叠层结构。
2.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述叠层母排的寄生电感为45.60纳亨。
3.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实验平台，其特征在于，所述压力均衡装置包括第一带槽钢板、第二带槽钢板和钢珠，所述钢珠位于第一带槽钢板和第二带槽钢板之间，所述第一带槽钢板和第二带槽钢板中心有圆形凹槽，用于盛放所述钢珠，所述第一带槽钢板与第二带槽钢板不接触。
4.根据权利要求1所述的压接型IGBT芯片动态特性实...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭程，詹雍凡，范迦羽，李学宝，赵志斌，崔翔，马慧远，
申请(专利权)人：华北电力大学，国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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