5G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺及设备制造技术

技术编号:28022430 阅读:26 留言:0更新日期:2021-04-09 23:01
本发明专利技术公开了5G信号发射器电容器化成箔去极化处理工艺以及设备,分别采取了两级高温退火、一级烘干进行氧化铝晶型转换,还采取了三级磷化处理以及三级修复化成,槽体及极板均采用增强PPR材质,解决了因磷酸处理槽中不锈钢材质槽体和极板长期与磷酸接触,又在高温、电化学作用下使其铁离子析出进入处理液而被吸附在铝箔表面造成其产品寿命短的现象。提高了整个去极化处理设备的使用寿命,并且制得的化成箔成品成色较好,无多余的污染以及不会被外带的离子侵蚀,整体外观更佳,提高了化成箔成品的质量、以及电容器的使用寿命,最终提高了5G信号发射器的使用质量以及寿命。

【技术实现步骤摘要】
5G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺及设备
本专利技术涉及铝箔生产用去极化处理装置及处理方法
,特别是涉及一种5G信号发射器用电容器化成箔生产用去极化处理方法及去极化处理设备。
技术介绍
铝箔的化成生产中为提高氧化膜的致密性、抵抗空气中水、二氧化碳等腐蚀性,往往对氧化膜进行多次极化处理,极化处理的方法一般为多次高温退火及多次磷化处理,通过高温退火晶体晶型转换,得到所需晶体结构的氧化铝,并在氧化铝晶体外侧表面生成磷酸铝,防止氧化铝被空气中或电解液内的水分子侵蚀。现有生产用一般用一次高温退火及一次磷化处理,而磷化处理极板及槽体一般为不锈钢材质制作,里面电极是一般用不锈钢材质制作,由于磷酸处理槽和极板长期与磷酸接触,在高温且电化学作用下,不锈钢材质里面的铁离子会被腐蚀下来进入槽液中,被吸附在铝箔的表面,影响电容器的寿命。如果将这些设备生产的化成箔直接用于5G信号发射器的电容器上,会影响5G信号发射器的工作效率,达不到预定的发射效果。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足,本专利技术提供了一种进行两次高温退火处理、三次磷化处理、三次修复化成的电容器化成箔去极化处理工艺,保证铝箔的纯度,防止被外带离子的污染、侵蚀,很好地防止了磷酸处理槽和极板长期与磷酸接触,提高了电容器的使用寿命,最终将这些电容器使用到5G信号发射器上,可以保证其发射效率达到预定要求,而且能够有效地保证其具有较长的使用寿命,提高化成箔的性价比。并且本专利技术还提供了一种包括顺序连接的第一磷化处理装置、第一高温退火装置、第一修复化成装置、第二磷化处理装置、第二修复化成装置、第二高温退火装置、第三修复化成装置和第三磷化处理装置,并且所述第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置的去极化处理设备,其主题思想是将第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置的槽体以及极板均使用增强PPR制成,同时将与槽体内的槽液接触的槽体、极板、传动滚筒等这些材料改为增强PPR材质,保证铝箔的纯度,防止被外带离子的污染、侵蚀。本专利技术所采用的技术方案是:5G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺,包括将铝箔依次进行第一次磷化处理、第一次高温退火、第一次修复化成、第二次磷化处理、第二次修复化成、第二次高温退火、第三次修复化成、第三次磷化处理、清洗以及烘干工艺,以制得化成箔成品。优选的电容器化成箔去极化处理工艺,包括依次进行的如下步骤:a)第一次磷化处理,将铝箔置于50-60℃、2-3wt%磷酸中磷化处理3-6min;b)第一次高温退火,置于空气中480-520℃高温退火2-3min;c)第一次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中,85-88℃、1-2mA/cm2、520v的条件下,修复化成6-12min;d)第二次磷化处理,置于60-70℃、5-6wt%磷酸中磷化处理6-12min;e)第二次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中再次修复化成;f)第二次高温退火,置于空气中420-450℃高温焙烧2-3min;g)第三次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中第三次修复化成;h)第三次磷化处理,最后置于40-45℃、6-8wt%磷酸二氢铵中化学处理10-12min;i)清洗及烘干,清洗上一步处理完成的化成箔,并且置于280-320℃环境下烘干2-3min,收取化成箔成品。5G信号发射器电容器化成箔生产用去极化处理设备,包括顺序连接的第一磷化处理装置、第一高温退火装置、第一修复化成装置、第二磷化处理装置、第二修复化成装置、第二高温退火装置、第三修复化成装置和第三磷化处理装置,并且所述第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置的槽体以及极板均使用增强PPR制成。优选地,去极化处理设备的第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置内的槽体内分别设置传动滚筒、滚筒轴以及滚筒连接件,用于自动传送化成箔,所述传动滚筒、滚筒轴以及滚筒连接件均由增强PPR制成。优选地,去极化处理设备,第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置的槽体以及极板、槽体的传动滚筒、滚筒轴和滚筒连接件均使用玻纤增强PPR制成,在生产以及实践的过程中有较好的使用效果,不论是耐腐能力,还是抗污染、抗侵蚀能力均强于现有的不锈钢材质。优选地,去极化处理设备的第一磷化装置、第二磷化处理装置和第三磷化处理装置的前后分别设有水洗装置,对化成箔进行水洗,其目的是保证后续工序电解液工艺卫生洁净,防止电极箔表面吸附、携带磷酸进入电解槽,导致污染。优选地,去极化处理设备的第一修复化成装置、第二修复化成装置和第三修复化成装置处理之后的化成箔也要进行水洗,其目的是为了保证后续工序电解液工艺卫生,防止电极箔表面吸附、携带硼酸进入去极化装置,导致磷酸污染电解液。优选地,去极化处理设备,可以是使用权利要求1或2的去极化处理工艺,进行电容器化成箔进行极化处理制得。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术的5G信号发射器电容器化成箔去极化处理工艺以及设备,分别采取了两级高温退火、一级烘干进行氧化铝晶型转换,还采取了三级磷化处理以及三级修复化成,槽体及极板均采用增强PPR材质,解决了因磷酸处理槽中不锈钢材质槽体和极板长期与磷酸接触,又在高温、电化学作用下使其铁离子析出进入处理液而被吸附在铝箔表面造成其产品寿命短的现象。综上所述,本专利技术的电容器化成箔去极化处理工艺以及设备,提高了整个电容器化成箔生产用去极化处理设备的使用寿命,并且制得的化成箔成品成色较好,无多余的污染以及不会被外带的离子侵蚀,整体外观更佳,提高了化成箔成品的质量、以及电容器的使用寿命,最终提高了5G信号发射器的使用质量以及寿命。附图说明图1为5G信号发射器电容器化成箔生产用去极化处理设备结构示意图;图2为第一、二、三磷化处理装置的一个实施例的结构图;图3为图2的第一、二、三磷化处理装置的主视图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的组合或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。另外,本专利技术实施例的描述过程中,所有图中的“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等器件位置关系,均以图1为标准。实施例15G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺,包括将铝箔依次进行第一次磷化处理、第一次高温退火、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.5G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺,其特征在于:包括将铝箔依次进行第一次磷化处理、第一次高温退火、第一次修复化成、第二次磷化处理、第二次修复化成、第二次高温退火、第三次修复化成、第三次磷化处理、清洗以及烘干工艺,以制得化成箔成品。/n

【技术特征摘要】
1.5G信号发射器用电容器化成箔去极化处理工艺,其特征在于:包括将铝箔依次进行第一次磷化处理、第一次高温退火、第一次修复化成、第二次磷化处理、第二次修复化成、第二次高温退火、第三次修复化成、第三次磷化处理、清洗以及烘干工艺,以制得化成箔成品。


2.根据权利要求1所述的去极化处理工艺,其特征在于:包括依次进行的如下步骤:
第一次磷化处理,将铝箔置于50-60℃、2-3wt%磷酸中磷化处理3-6min;
第一次高温退火,置于空气中480-520℃高温退火2-3min;
第一次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中,85-88℃、1-2mA/cm2、520v的条件下,修复化成6-12min;
第二次磷化处理,置于60-70℃、5-6wt%磷酸中磷化处理6-12min;
第二次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中再次修复化成;
第二次高温退火,置于空气中420-450℃高温焙烧2-3min;
第三次修复化成,置于含6-7wt%的硼酸、4-6wt%的五硼酸铵的水溶液中第三次修复化成;
第三次磷化处理,最后置于40-45℃、6-8wt%磷酸二氢铵中化学处理10-12min;
清洗及烘干,清洗上一步处理完成的化成箔,并且置于280-320℃环境下烘干2-3min,收取化成箔成品。

【专利技术属性】
技术研发人员:陈宇锋严民夏鹏飞
申请(专利权)人:新疆金泰新材料技术有限公司
类型:发明
国别省市:新疆;65

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