一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材及其加工方法，高强中导铜镍硅锡镁合金箔材的厚度为0.03~0.15mm，包括以下重量百分含量的原料：镍2.4‑2.8%，硅0.3‑1%，锡0.05‑0.1%，镁0.03‑0.2%，余量为铜和少量杂质；所述的杂质含量低于0.1%，通过熔炼铸造‑固溶热处理‑铣面‑一次冷轧‑二级固溶‑二次冷轧‑三级固溶‑一级时效‑三次冷轧‑去应力退火‑表面清洗‑拉弯矫直的方法制备得到。本发明专利技术在Cu‑Ni‑Si的基础上，添加微量的Sn、Mg，经铸造、热加工、冷加工、时效处理，获得厚度0.03‑0.15mm高强中导铜镍硅锡镁合金箔材，该产品抗拉强度达到700MPa以上、导电率≥40%IACS，抗软化温度超过550℃，可满足通讯、手机等行业用超薄高强结构支撑件。

【技术实现步骤摘要】
一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材及其加工方法
本专利技术属于铜合金箔材加工
，具体涉及一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材及其加工方法。
技术介绍
随着电子通讯等相关信息产业的快速发展，对集成电路的需求越来越大，同时对其要求也越来越高。现在电子信息技术的核心是集成电路，芯片和引线框架经封装形成集成电路，作为集成电路封装的主要结构材料，引线框架在电路中发挥这重要作用，例如承载芯片、连接芯片和外部线路板电信号、安装固定等作用。可见，引线框架在集成电路器件和各组装程序中作用巨大，如何有效改善引线框架材料导热、导电、强度、硬度、高软化温度、耐热性、抗氧化性、耐蚀性、焊接性、塑封性、反复弯曲性和加工成型性能等已成为集成电路发展过程中较为突出问题。目前常见应用于框架材料的铜合金带，根据其强度及导电率主要分为两大类：一类是高强度和中低导电率的铜合金带，代表性的为铜镍硅系列，如C70250合金，其强度为600MPa，导电率只有40％IACS左右；另一类是具有中等强度和高导电率的铜合金带，代表性的为铜铬系合金，如C18080，具有600MPa的强度，80％本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材，其特征在于，包括以下重量百分含量的原料：镍2.4-2.8%，硅0.3-1%，锡0.05-0.1%，镁0.03-0.2%，余量为铜和少量杂质；所述的杂质含量低于0.1%。/n

【技术特征摘要】
1.一种高强中导铜镍硅锡镁合金箔材，其特征在于，包括以下重量百分含量的原料：镍2.4-2.8%，硅0.3-1%，锡0.05-0.1%，镁0.03-0.2%，余量为铜和少量杂质；所述的杂质含量低于0.1%。


2.根据权利要求1所述的高强中导铜镍硅锡镁合金箔材，其特征在于，所述的铜镍硅锡镁合金箔材的厚度为0.03-0.15mm。


3.一种权利要求1或2所述的高强中导铜镍硅锡镁合金箔材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）熔炼铸造：按照合金化学成分进行熔炼铸造，熔炼温度1260-1300℃，铸造温度1220-1260℃，浇铸速度70-120mm/min，加工成铸锭;
（2）固溶热处理：采用步进式均匀化加热方式进行加热，温度范围为795~1200℃，速率为10~14m/min，然后在温度880-930℃下进行热加工，总加工率为90~96%，终轧温度为780-850℃，进行高温淬火，一级淬火温度550-600℃，二级淬火温度100-150℃，主要是避免热轧卷处于时效温度区间400℃-500℃，可解决粗轧开坯因头尾硬度不一导致粗轧板形差问题，同时热轧机卷曲速度控制在60-100m/min；
（3）铣面：采用铣刀转速650-850rpm，机列运行速度3-6m/min进行1~3次铣面；
（4）一次冷轧：在80-120℃进行低温轧制，轧程加工率为85-98%，轧辊速度120-180m/min，冷却量在0.5-0.7bar，；
（5）二级固溶：采用连续式退火方式，温度730~800℃，速度5-25m/min，风机转速≥900rpm，急速冷却；
（6）二次冷轧：在80-120℃进行低温轧制，轧程加工率为60-90%，轧辊速度200-300m/min，冷却量为1.0-1.5bar；
（7）三级固溶：采用连续退火方式，温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽丽，李学帅，姜业欣，蔡兰英，郑殿水，田原晨，苏花鲜，
申请(专利权)人：中色奥博特铜铝业有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37