一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法，具体步骤包括：S1、将低熔点共晶盐按共晶点比例混合均匀，加热至共晶温度以上得到熔盐；S2、向步骤S1得到的熔盐中加入聚乙烯吡咯烷酮，搅拌，直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解；S3、向步骤S2所得产物中加入银盐和氢氧化物，继续搅拌，反应完全后自然降温；S4、将步骤S3所得产物进行水洗、分离后得到银纳米线产物。本发明专利技术方法工艺流程简单，操作方便，重复性好，且容易大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法
本专利技术涉及纳米材料合成
，具体涉及一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法。
技术介绍
银纳米线(AgNWs)具有高的导电性和大的比表面积，在透明导电薄膜、导电胶、抗菌剂、催化剂等方面有着广阔的应用前景。特别地，银纳米线透明导电薄膜具有优异的导电性、高的透光率以及良好的柔韧性，在柔性触控与显示应用方面具备显著优势，被认定为是替代氧化铟锡(ITO)的最佳材料之一。银纳米线的可控大规模合成是实现其产业化应用的关键。银纳米线合成方法包括有模板法、电化学法、光化学还原法和多元醇法等。其中，多元醇法目前是合成银纳米线的最成功途径。2002年，夏幼南等首次采用多元醇法合成了银纳米线(NanoLetters2002,2,165)。该方法是通过多元醇(如乙二醇)将反应溶液中的银离子还原，然后在表面活性剂(如聚乙烯吡咯烷酮，PVP)和成核抑制剂(如氯化钠)作用下经成核、生长得到银纳米线。多元醇法合成中，反应温度、反应时间、银离子浓度、PVP种类及浓度、成核控制剂种类及浓度等众多因素都会对银纳米线的生长产生影响。正是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法，其特征在于，具体步骤包括：/nS1、将低熔点共晶盐按共晶点比例混合均匀，加热至共晶温度以上得到熔盐；/nS2、向步骤S1得到的熔盐中加入聚乙烯吡咯烷酮，搅拌，直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解；/nS3、向步骤S2所得产物中加入银盐和氢氧化物，继续搅拌，反应完全后自然降温；/nS4、将步骤S3所得产物进行水洗、分离后得到银纳米线产物。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用熔盐化学合成银纳米线的方法，其特征在于，具体步骤包括：
S1、将低熔点共晶盐按共晶点比例混合均匀，加热至共晶温度以上得到熔盐；
S2、向步骤S1得到的熔盐中加入聚乙烯吡咯烷酮，搅拌，直至聚乙烯吡咯烷酮完全溶解；
S3、向步骤S2所得产物中加入银盐和氢氧化物，继续搅拌，反应完全后自然降温；
S4、将步骤S3所得产物进行水洗、分离后得到银纳米线产物。


2.根据权利要求1所述的熔盐化学合成银纳米线的方法，其特征在于，步骤S1中，所述低熔点共晶盐为LiNO3/KNO3、AlCl3/NaCl、KCl/ZnCl2、NaOH/KOH中的一种。


3.根据权利要求1所述的熔盐化学合成银纳米线的方法，其特征在于，步骤S1中，对低熔点共晶盐加热至高于其共晶温度30-50℃得到熔盐。


4.根据权利要求1所述的利用熔盐化学合成银纳米线的方法，其特征在于，步骤S2中，所述聚乙烯吡咯烷酮为聚乙烯吡咯烷酮K12、聚乙烯吡咯烷酮K17、聚乙烯吡咯烷酮K25、聚乙烯吡咯烷酮K30、聚乙烯吡咯烷酮K45、聚乙烯吡咯烷酮K60、聚乙烯吡咯烷酮K70、聚乙烯吡咯烷酮K80、聚乙烯吡咯烷酮K85、聚乙烯吡咯烷酮K90、聚乙烯吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐定，衷水平，朱莞烨，沈青峰，李继福，康舒婷，
申请(专利权)人：紫金矿业集团股份有限公司，厦门紫金矿冶技术有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35