一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路制造技术

技术编号:27998534 阅读:23 留言:0更新日期:2021-04-06 14:50
本实用新型专利技术提出一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于,包括:第一电压源、第二电压源、以及相独立地为左、右耳机充电的第一线路和第二线路;所述第一线路和第二线路受控于MCU实现通/断,所述第一电压源的电压值高于第二电压源的电压值;所述第一线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接左耳机电输出接口;所述第二线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接右耳机电输出接口;所述左耳机电输出端和右耳机电输出端分别与连所述第二电压源。本申请实现了左右两路充电线路互不影响,不仅让每个耳机都可以被充满,而且减少了电能浪费,让耳机盒的续航更长久。

【技术实现步骤摘要】
一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路
本技术涉及一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路。
技术介绍
目前,TWS耳机会配设有一个耳机充电盒实现对耳机的收纳与充电。市面上常见的充电盒多采用5V掉3V的供电方案,即当耳机在充电盒内充满电之后,充电盒的输出电压从5V调到3V,这样既能保证耳机不开机,又能保证系统处于较低的功耗状态。但是,现有的耳机充电盒的供电线种并非独立的,而多是左右耳机同时处于同一个电压状态,即要么同时5V充电,要么同时下调电压至3V,这就造成了在左右耳机电量不等的情况下,一个耳机已充满但仍持续耗电,或者是电量低的耳机无法被充满,存在明显缺陷。我司设计了左耳和右耳独立检测是否充满并独立控制电压的电路。两路互相独立,互不影响的选择
技术实现思路
为克有现有技术中存在的问题,本技术提出一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,左右两路互不影响,不仅让每个耳机都可以被充满,而且减少了电能浪费,让耳机盒的续航更长久;其具本
技术实现思路
如下:一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其包括:第一电压源、第二电压源、以及相独立地为左、右耳机充电的第一线路和第二线路;所述第一线路和第二线路受控于MCU实现通/断,所述第一电压源的电压值高于第二电压源的电压值;所述第一线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接左耳机电输出接口;所述第二线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接右耳机电输出接口;所述左耳机电输出端和右耳机电输出端分别与连所述第二电压源。于本技术的一个或多个实施例当中,所述第一电压源的电压值为5V,所述第二电压源的电压值为3.3V。于本技术的一个或多个实施例当中,所述第一线路和第二线路分均包括开关控制部分和电检测部分;所述开关控制部分的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接耳机电输出接口的正极性端,所述电检测部分的输入端连接耳机电输出接口的负极性端,其输出端连接MCU。于本技术的一个或多个实施例当中,所述开关控制部分包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的两端分别连接第一电压源和地端,并以其低电势端作为开关控制部分的输出端;所述第二开关管的两端分别连接第一电压源和地端,并以其高电势端与第一开关管的控制极连接,第二开关管的控制极与MCU连接。于本技术的一个或多个实施例当中,所述第一线路的开关控制部分包括P型MOS管Q2和N型MOS管Q5;MOS管Q2的源极连接第一电压源,其栅极经由电阻R9连接第一电压源,其漏极接地;MOS管Q5的源极接地,其栅极连接MCU,其漏极与MOS管Q2的栅极接连;左耳机电输出接口的正极性端分别连接MOS管Q2的漏极和第二电压源;所述第二线路的开关控制部分包括P型MOS管Q4和N型MOS管Q6;MOS管Q4的源极连接第一电压源,其栅极经由电阻R13连接第一电压源,其漏极接地;MOS管Q6的源极接地,其栅极连接MCU,其漏极与MOS管Q4的栅极接连;右耳机电输出接口的正极性端分别连接MOS管Q4的漏极和第二电压源。于本技术的一个或多个实施例当中,所述MOS管Q2的漏极与地端之间设有稳压管ZD1,所述MOS管Q4的漏极与地端之间设有稳压管ZD3。于本技术的一个或多个实施例当中,所述第二电压源经二极管D1与左耳机电输出接口的正极性端连接,经二极管D3与右耳机电输出接口的正极性端连接;所述第二电压源分别连接二极管D1和D3的阳极。于本技术的一个或多个实施例当中,所述第一线路的电检测部分包括串联连接于MCU的左耳机检测端口与地端之间的电阻R38和R40,该电阻R38和R40的连接点与左耳机电输出接口的负极性端连接;所述第二线路的电检测部分包括串联连接于MCU的右耳机检测端口与地端之间的电阻R39和R41,该电阻R39和R41的连接点与右耳机电输出接口的负极性端连接。本技术的有益效果是:设计了左、右耳机独立检测是否充满并独立控制输出电压的电路结构,两路互相独立,互不影响的选择,实现保持5V充电,耳机满电在仓内操持3V,很好地解决了不同电量耳机的充电问题,克服了现有技术中的充电损耗大或耳机充不满、影响用户使用的缺陷。附图说明图1为本技术的原理框图。图2为本技术的电路原理图。具体实施方式如下结合附图1和2,对本申请方案作进一步描述:参见附图1,一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其包括:第一电压源1、第二电压源2、以及相独立地为左、右耳机充电的第一线路3和第二线路4;所述第一线路3和第二线路4受控于MCU5实现通/断,所述第一电压源1的电压值高于第二电压源2的电压值;所述第一线路3的输入端连接所述第一电压源1,其输出端连接左耳机电输出接口6;所述第二线路4的输入端连接所述第一电压源1,其输出端连接右耳机电输出接口7;所述左耳机电输出端6和右耳机电输出端7分别与连所述第二电压源2。所述第一线路3包括开关控制部分301和电检测部分302;第二线路4包括开关控制部分401和电检测部分402;所述开关控制部分301、401的输入端分别连接所述第一电压源1,其输出端连接耳机电输出接口的正极性端,所述电检测部分302、402的输入端分别连接耳机电输出接口的负极性端,其输出端连接MCU5。参见附图2,所述第一电压源1的电压值为5V,所述第二电压源2的电压值为3.3V。所述第一线路3的开关控制部分301包括P型MOS管Q2和N型MOS管Q5;MOS管Q2的源极连接第一电压源1,其栅极经由电阻R9连接第一电压源1,其漏极接地;MOS管Q5的源极接地,其栅极连接MCU,其漏极与MOS管Q2的栅极接连;左耳机电输出接口6的正极性端L+分别连接MOS管Q2的漏极和第二电压源2;所述第二线路4的开关控制部分401包括P型MOS管Q4和N型MOS管Q6;MOS管Q4的源极连接第一电压源1,其栅极经由电阻R13连接第一电压源1,其漏极接地;MOS管Q6的源极接地,其栅极连接MCU,其漏极与MOS管Q4的栅极接连;右耳机电输出接口7的正极性端R+分别连接MOS管Q4的漏极和第二电压源2。所述MOS管Q2的漏极与地端之间设有稳压管ZD1,所述MOS管Q4的漏极与地端之间设有稳压管ZD3。所述第二电压源2经二极管D1与左耳机电输出接口6的正极性端L+连接,经二极管D3与右耳机电输出接口7的正极性端R+连接;所述第二电压源2分别连接二极管D1和D3的阳极。所述第一线路3的电检测部分302包括串联连接于MCU5的左耳机检测端口与地端之间的电阻R38和R40,该电阻R38和R40的连接点与左耳机电输出接口6的负极性端L-连接;所述第二线路4的电检测部分402包括串联连接于MCU5的右耳机检测端口与地端之间的电阻R39和R41,该电阻R39和R41的连接点与右耳机电输出接口7的负极性端R-连接。工作原理说明:通过P型MOS管Q2和Q4将第一电压源的5V电压一分为二、互相隔离,分别供给第一线路和第二线路;通过MCU本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于,包括:第一电压源、第二电压源、以及相独立地为左、右耳机充电的第一线路和第二线路;/n所述第一线路和第二线路受控于MCU实现通/断,所述第一电压源的电压值高于第二电压源的电压值;/n所述第一线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接左耳机电输出接口;所述第二线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接右耳机电输出接口;所述左耳机电输出端和右耳机电输出端分别与连所述第二电压源。/n

【技术特征摘要】
1.一种TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于,包括:第一电压源、第二电压源、以及相独立地为左、右耳机充电的第一线路和第二线路;
所述第一线路和第二线路受控于MCU实现通/断,所述第一电压源的电压值高于第二电压源的电压值;
所述第一线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接左耳机电输出接口;所述第二线路的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接右耳机电输出接口;所述左耳机电输出端和右耳机电输出端分别与连所述第二电压源。


2.根据权利要求1所述的TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于:所述第一电压源的电压值为5V,所述第二电压源的电压值为3.3V。


3.根据权利要求1所述的TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于:所述第一线路和第二线路均包括开关控制部分和电检测部分;所述开关控制部分的输入端连接所述第一电压源,其输出端连接耳机电输出接口的正极性端,所述电检测部分的输入端连接耳机电输出接口的负极性端,其输出端连接MCU。


4.根据权利要求3所述的TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于:所述开关控制部分包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的两端分别连接第一电压源和地端,并以其低电势端作为开关控制部分的输出端;所述第二开关管的两端分别连接第一电压源和地端,并以其高电势端与第一开关管的控制极连接,第二开关管的控制极与MCU连接。


5.根据权利要求4所述的TWS耳机盒的双路独立充电控制电路,其特征在于:所述第一线路的开关控制部分包括P型MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢军王飞华
申请(专利权)人:深圳市蓝蜂时代实业有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1