一种低压、低功耗基准电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压、低功耗基准电路，属于基准电路技术领域，包括PTAT产生电路与VCC相接，PTAT产生电路与MP2相接，MP2一端与VCC相接，另一端与VREF、电阻R2和电阻R3并联，电阻R2与接地的BJT管Q1的基极和集电极相接，电阻R3接地，该结构可以输出小于1V的零温度系数基准电压，同时该结构可以工作在更低的电源电压下，最低可以接近于一个Vbe，大约0.6V，消除了最低工作电源电压受零温基准电压的限制，同时还给出了输出电压的温度系数和电压绝对值的校准方法和相应的流程。

【技术实现步骤摘要】
一种低压、低功耗基准电路
本技术涉及基准电路
，特别涉及一种低压、低功耗基准电路。
技术介绍
基准电压和基准电流，几乎是所有芯片必需的模块，其作用非常关键。电路总是基于一些参考而工作(电压参考，即基准电压；电流参考，即基准电流；时钟参考，通常是晶振)。在用电池供电的一些设备中，总是希望低功耗、小面积、尽可能低的工作电压，因此对各个模块的设计均提出了较高的要求。而基准电压和基准电流产生模块的特殊性，通常设计为上电就工作，并且不能关闭，所以对低功耗、低电压的要求更为苛刻。在这些低功耗芯片设计中，采用工作在亚阈值区的MOS管实现的基准电路，得到了广泛的使用。如图1和2所示，如图1所示。现有技术，基于亚阈值区MOS管实现的低功耗基准电路，一般先产生与绝对温度成正比的电流，称为PTAT电流，然后复制PTAT电流并流过串联的电阻R2和BJT管Q1，产生零温度系数基准电压VREF。产生VREF的原理可以用如下公式解释：其中N为电路中NMOS电流镜(此图未画出)的比例系数(通常取4)；其中N为电路中NMOS电流镜(此图未画本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压、低功耗基准电路，其特征在于，包括PTAT产生电路与VCC相接，PTAT产生电路与MP2相接，MP2一端与VCC相接，另一端与VREF、电阻R2和电阻R3并联，电阻R2与接地的BJT管Q1的漏极和栅极相接，电阻R2接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种低压、低功耗基准电路，其特征在于，包括PTAT产生电路与VCC相接，PTAT产生电路与MP2相接，MP2一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：许建超，孙添平，戴贵荣，戴庆田，
申请(专利权)人：深圳市爱协生科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44