有机发光器件和包括该有机发光器件的设备制造技术

公开了一种有机发光器件和包括该有机发光器件的设备。有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及有机层，位于第一电极与第二电极之间。有机层包括发射层，发射层包括第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物，第一化合物由式1表示，第二化合物由式2A或式2B表示，第三化合物由式3表示，第四化合物由式4‑1至式4‑3中的任一个表示，每个如分别在详细描述中描述的。

【技术实现步骤摘要】
有机发光器件和包括该有机发光器件的设备本申请要求于2019年10月4日提交的第10-2019-0123353号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种有机发光器件和包括该有机发光器件的设备。
技术介绍
有机发光器件是产生全色图像的自发射器件，并且还具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的合适(例如，优异)特性。有机发光器件的示例可以包括设置在基底上的第一电极以及顺序地设置在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变为基态，从而产生(例如，发射)光。
技术实现思路
根据一个或更多个实施例的方面涉及一种有机发光器件和一种包括该有机发光器件的设备。附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：/n第一电极；/n第二电极；以及/n有机层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，/n其中：/n所述有机层包括发射层，/n所述发射层包括第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物，/n所述第一化合物由式1表示；/n所述第二化合物由式2A或式2B表示；/n所述第三化合物由式3表示；/n所述第四化合物由式4-1至式4-3中的任一个表示；并且/n所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：/n<式1>/n

【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-01233531.一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：
第一电极；
第二电极；以及
有机层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中：
所述有机层包括发射层，
所述发射层包括第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物，
所述第一化合物由式1表示；
所述第二化合物由式2A或式2B表示；
所述第三化合物由式3表示；
所述第四化合物由式4-1至式4-3中的任一个表示；并且
所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：
<式1>



<式3>
M31(L31)n31(L32)n32






<式4-1>
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41
<式4-2>
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41-(L42)a42-(D42)n42
<式4-3>
(A41)m41-(L41)a41-(D41)n41-(L42)a42-(A42)m42
其中，在式1中，X11选自于O、S、N(R19)和C(R19)(R20)；
R11至R20均独立地选自于：
由*-(L11)a11-A11表示的基团、氢、氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)和-N(Q1)(Q2)；
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的无氮环基团；以及
取代有被从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的贫π电子的无氮环基团的贫π电子的无氮环基团，
L11选自于：
贫π电子的无氮环基团、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-和-N(Q1)-；以及
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的无氮环基团，
a11选自于1、2和3，并且
A11选自于：
贫π电子的无氮环基团；
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的无氮环基团；以及
取代有被从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的贫π电子的无氮环基团的贫π电子的无氮环基团，
其中，在式2A和式2B中，
X21选自于O、S、N(R24)和C(R24)(R25)，
k21和k22均独立地选自于0、1、2、3和4，其中，k21和k22之和为1或更大，
k23选自于1、2、3、4、5和6，
R21至R25均独立地选自于：
由*-(L21)a21-A21表示的基团、氢、氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-N(Q31)(Q32)、-S(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)和-P(＝S)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团；以及
均取代有从均独立地被从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-N(Q21)(Q22)、-S(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)和-P(＝S)(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团，
L21选自于：
贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-、-N(Q1)-、-S(＝O)-、-S(＝O)2-、-P(＝O)(Q1)-和-P(＝S)(Q1)-；以及
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-N(Q31)(Q32)、-S(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)和-P(＝S)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团，
a21选自于1、2和3，并且
A21选自于：
贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-N(Q31)(Q32)、-S(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)和-P(＝S)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团；以及
均取代有从均独立地被从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团、贫π电子的无氮环基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-N(Q21)(Q22)、-S(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)和-P(＝S)(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团，
其中，在式3中，
M31选自于元素周期表的第4周期、第5周期和第6周期的过渡金属，
L31是由选自于式3A至式3D中的一个表示的配体，
L32选自于单齿配体、二齿配体和三齿配体，
n31是1或2，并且
n32选自于0、1、2、3和4，
其中，在式3A至式3D中，
A31至A34均独立地选自于C5-C30碳环基和C1-C30杂环基，
T31至T34均独立地选自于单键、双键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-C(R35)(R36)-*'、*-C(R35)＝C(R36)-*'、*-C(R35)＝*'、*-Si(R35)(R36)-*'、*-B(R35)-*'、*-N(R35)-*'和*-P(R35)-*'，
k31至k34均独立地选自于1、2和3，
Y31至Y34均独立地选自于单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R37)(R38)-*'、*-Si(R37)(R38)-*'、*-B(R37)-*'、*-N(R37)-*'和*-P(R37)-*'，
*1、*2、*3和*4均表示与M31的结合位，
R31至R38均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，其中，R31至R38可选地彼此连接以形成取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，并且
b31至b34均独立地为0至10的整数，
其中，在式4-1至式4-3中，
A41和A42均独立地选自于：
贫π电子的无氮环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)和-N(Q1)(Q2)；
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的无氮环基团；以及
取代有被从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的贫π电子的无氮环基团的贫π电子的无氮环基团，
m41和m42均独立地选自于1、2和3，
D41和D42均独立地选自于：
-F、氰基、贫π电子的含氮环基团、包含C(＝O)的基团、包含S(＝O)的基团、包含S(＝O)2的基团、包含P(＝O)的基团和包含P(＝S)的基团；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团、包含C(＝O)的基团、包含S(＝O)的基团、包含S(＝O)2的基团、包含P(＝O)的基团和包含P(＝S)的基团；
均取代有从均独立地被从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者取代的C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者的贫π电子的含氮环基团、包含C(＝O)的基团、包含S(＝O)的基团、包含S(＝O)2的基团、包含P(＝O)的基团和包含P(＝S)的基团；
均取代有从-F、氰基和贫π电子的含氮环基团中选择的至少一者的C1-C60烷基和贫π电子的无氮环基团；
均取代有被从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮环基团和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者取代的贫π电子的含氮环基团的C1-C60烷基和贫π电子的无氮环基团；以及
均取代有从均独立地被从-F、氰基和贫π电子的含氮环基团中选择的至少一者取代的C1-C60烷基和贫π电子的无氮环基团中选择的至少一者的C1-C60烷基和贫π电子的无氮环基团，
n41和n42均独立地选自于1、2和3，
L41和L42均独立地选自于：
贫π电子的无氮环基团、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-和-N(Q1)-；以及
取代有从氘、C1-C60烷基、贫π电子的无氮环基团、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的贫π电子的无氮环基团，并且
a41和a42均独立地选自于0、1、2和3，并且
其中，在式1、式2A、式2B、式3以及式4-1至式4-3中，
Q1至Q3、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。


2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一化合物、所述第二化合物和所述第三化合物基本上不发光。


3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第四化合物发光。


4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，从所述第四化合物发射的光与从所述发射层发射的总的光的比为80％或更大。


5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，R11至R19中的至少一个是由*-(L11)a11-A11表示的所述基团。


6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，X11是N(R19)。


7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，A11选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基和二萘并噻吩基；
均取代有从氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基和二萘并噻吩基；以及
均取代有从均独立地被从氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基和二萘并噻吩基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基和二萘并噻吩基。


8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，A11由式8-1至式8-5中的任一个表示：



其中，在式8-1至式8-5中，
X81选自于O、S、N(R89)和C(R89)(R90)，
R81至R90均独立地选自于氢、氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，并且
*表示与相邻原子的结合位。


9.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一化合物由式1-1至式1-5中的任一个表示：



其中，在式1-1至式1-5中，
L11、a11、A11和R11至R19均与结合式1分别定义的相同。


10.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，
式2A中的R21、R22、R24和R25中的至少一个是由*-(L21)a21-A21表示的所述基团，并且
式2B中的6-k23个数的R23中的至少一个R23是由*-(L21)a21-A21表示的所述基团。


11.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，A21选自于：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-N(Q31)(Q32)、-S(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)和-P(＝S)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及
均取代有从均独立地被从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-N(Q21)(Q22)、-S(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)和-P(＝S)(Q21)(Q22)中选择的至少一者取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基。


12.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二化合物由式2-1或式2-2表示：



其中，在式2-1和式2-2...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤英，崔永恩，金民齐，金应道，金孝净，申孝燮，尹锡奎，李荣基，李廷涉，李汦映，郑惠珍，赵根昱，赵显九，崔珉洙，柳在镇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR