一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块制造技术

本发明专利技术公开了一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块。为了克服现有技术半导体制冷装置为传感器制冷时会产生干扰信号的问题；本发明专利技术采用包括依次固定连接设置的底座、多层半导体制冷片和屏蔽片；底座包括若干引脚，底座的引脚分别与外部电源连接，底座的引脚通过导线与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联；在半导体制冷片的冷面上设置屏蔽片，用于屏蔽半导体制冷片和底座对传感器的干扰信号。

【技术实现步骤摘要】
一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块
本专利技术涉及一种半导体制冷模块领域，尤其涉及一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块。
技术介绍
传感技术就是传感器的技术，可以感知周围环境或者特殊物质，比如气体感知、光线感知、温湿度感知、人体感知等等，把模拟信号转化成数字信号，给中央处理器处理。最终结果形成气体浓度参数、光线强度参数、范围内是否有人探测、温度湿度数据等等，显示出来。识别的主要任务是对经过处理信息进行辨识与分类。它利用被识别（或诊断）对象与特征信息间的关联关系模型对输入的特征信息集进行辨识、比较、分类和判断。较低的温度可以降低传感成像的噪点，并且半导体制冷器体积小，无振动，无噪音，可以很好的应用于手持式的传感器中。现有把半导体制冷装置应用于传感器上的方案，例如，一种在中国专利文献上公开的“室温锑化铟红外传感器的半导体制冷装置”，其公告号CN201803945U，包括红外光聚光吸收室组件、半导体制冷片组、导冷块、散热片组、冷却风扇、N沟道场效应半导体大功率管、控制电路板、铂电阻温度计以及安装上述部件的支架。本装置可使锑化铟红外传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，包括依次固定连接设置的底座（8）、多层半导体制冷片和屏蔽片（1）；底座（8）包括若干引脚，底座（8）的引脚分别与外部电源连接，底座（8）的引脚通过导线（7）与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联。/n

【技术特征摘要】
1.一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，包括依次固定连接设置的底座（8）、多层半导体制冷片和屏蔽片（1）；底座（8）包括若干引脚，底座（8）的引脚分别与外部电源连接，底座（8）的引脚通过导线（7）与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联。


2.根据权利要求1所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的底座（8）与多层半导体制冷片之间以及多层半导体制冷片和屏蔽片（1）之间通过焊锡焊接；所述的焊锡采用熔点在120~220℃之间，导热率在2.5~10W/（m·K）之间的银胶或导热环氧胶。


3.根据权利要求2所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的多层半导体制冷片与底座（8）之间的焊锡温度在200~220℃之间；屏蔽片（1）与多层半导体制冷片之间的焊锡温度在120~180℃之间。


4.根据权利要求1或2或3所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的屏蔽片（1）包括一体的固定部和遮挡部，固定部与多层半导体焊接，固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凌波，吴永庆，翟仁爽，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33