光导开关器件制造技术

本发明专利技术适用于半导体光导开关器件技术领域，提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述欧姆接触区上设置的金属电极；在除所述金属电极之外的区域设置的钝化层。通过在衬底上设置多个并行通道实现电流分流，从而降低单个电流丝的电流密度，提升光导开关器件的总功率，提高开关寿命；通过设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，使光导开关在反向偏置条件下可以降低暗电流，减小功率损耗，同时避免重掺杂欧姆接触区的载流子向并行通道区注入引起的自击穿，从而提高器件耐压特性。

【技术实现步骤摘要】
光导开关器件
本专利技术属于半导体光导开关器件
，尤其涉及一种光导开关器件。
技术介绍
光导开关是一种超快速半导体电子器件，通过光触发控制半导体材料的电导率，从而实现开关的导通与关断，是产生高功率超短脉冲的关键器件。与传统脉冲功率领域中的开关相比，光导开关具有闭合时间快(ps量级)、抖动小(ps量级)、开关电感低(亚nH量级)、重复频率高、不受电磁干扰、重量轻、体积小等优点，可以在超高的重复频率下以超高的功率容量进行工作。为了实现大功率光导开关，器件通常在高电压、高电流条件下工作，然而，由于光导开关是通过一定能量的激光触发实现开关的导通与关断，很容易在两个电极之间形成电流密度很高的电流丝，造成光导开关器件损坏，无法实现大功率、长寿命的开关器件。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种光导开关器件，旨在解决现有技术中光导开关器件易损坏，无法实现大功率、长寿命的开关器件的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例的第一方面提供了一种光导开关器件，包括：衬底；所述衬底的任一侧面上设置至少两条相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光导开关器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；/n所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述重掺杂浓度为掺杂浓度大于或等于10

【技术特征摘要】
1.一种光导开关器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底的任一侧面上设置至少两条相互隔离的并行通道；
所述并行通道的两端设置不同导电类型的重掺杂浓度的欧姆接触区，所述重掺杂浓度为掺杂浓度大于或等于1018cm-3；
所述欧姆接触区上设置的金属电极；
在除所述金属电极之外的区域设置的钝化层。


2.如权利要求1所述的光导开关器件，其特征在于，所述衬底为硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石中的任一种。


3.如权利要求1所述的光导开关器件，其特征在于，所述并行通道包括上沟道和下沟道，所述上沟道位于所述衬底的表面，所述下沟道位于沟槽的槽底，所述上沟道和所述下沟道基于所述沟槽隔离。


4.如权利要求3所述的光导开关器件，其特征在于，
所述沟槽的深度为20nm至200nm；
所述沟槽的宽度为50nm至300nm；
相邻沟槽之间的距离为50nm至300nm。


5.如权利要求1所述的光导开关器件，其特征在于，所述并行通道的一端设置重掺杂浓度的N型欧姆接触区，另一端设置重掺杂浓度的P型欧姆接触区，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：周幸叶，谭鑫，吕元杰，韩婷婷，顾国栋，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13