显示装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了显示装置和电子设备。提供了具有高分辨率和显示具有较高的均匀性的显示图像的显示装置和设置有显示装置的电子设备。该显示装置设置有驱动晶体管，该驱动晶体管具有：设置在半导体基板中的第一导电型活性区域、设置为横断活性区域的开口、设置在包括开口内部的活性区域上的栅极绝缘膜、填充开口的栅电极、和设置在活性区域的两侧(其中开口位于其间)上的第二导电型扩散区域。该显示装置还设置有由驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和电子设备本申请是申请日为2017年2月14日，申请号为201780024725.6，专利技术名称为“显示装置和电子设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及显示装置和电子设备。
技术介绍
近年来，随着显示装置的分辩率改善，构成显示装置的像素的显示元件和驱动显示元件的驱动晶体管变得越来越微细化。此处，场效应晶体管的阈值电压变化与沟道宽度和沟道长度的降低成反比增加。因此，随着显示装置的分辩率改善，驱动晶体管的特征变化增大，以及显示图像的均匀性降低。例如，以下专利文献1公开了利用阈值电压可控的驱动晶体管驱动显示元件的技术，以抑制显示图像由于晶体管的特征变化导致的显示不均匀性。另外，由于构成显示装置的像素的显示元件变得更微细化，驱动显示元件所需的电流的量减小。因此，通过降低驱动晶体管的栅极电压，降低驱动晶体管的导通电流(on-current)来实现适用于驱动显示元件的电流的量。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2012-255874号公报专利技术内容技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n驱动晶体管，所述驱动晶体管包括/n设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，/n设置为横断所述活性区域的开口，/n设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，/n填充所述开口的栅电极，和/n设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和/n配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。/n

【技术特征摘要】
20160428 JP 2016-0905111.一种显示装置，包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括
设置在半导体基板中的第一导电型活性区域，
设置为横断所述活性区域的开口，
设置在包括所述开口的内部的所述活性区域上的栅极绝缘膜，
填充所述开口的栅电极，和
设置在所述活性区域的两侧上夹着所述开口的第二导电型扩散区域；和
配置为由所述驱动晶体管驱动的有机电致发光元件。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，将多个所述开口设置为串联排列。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，将具有高于所述活性区域的浓度的第一导电型沟道截断区域设置在每个所述开口之间。


4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置为横断所述活性区域。


5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，将所述沟道截断区域设置在所述半导体基板的内部。
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【专利技术属性】
技术研发人员：辻川真平，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP