【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2019年10月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0123220号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括具有不同栅极电容的晶体管的显示装置。
技术介绍
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性日益提高。因此，使用各种显示装置，诸如有机发光二极管(OLED)显示装置和/或液晶显示(LCD)装置等。显示装置是显示图像并且包括显示面板(诸如有机发光显示面板和/或液晶显示面板)的装置。在这些显示面板之中，显示装置可以包括发光元件作为发光显示面板。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的OLED、使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管等。这种显示装置可以包括显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板包括数据线、栅极线和像素，像素形成在数据线与栅极线之间的交叉点(例如，交叉口)处。像素中的每个使用薄膜晶体管作为开关元件，以当栅极信号被供应到栅极...
【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n基底；/n缓冲层，位于所述基底上；/n第一半导体层，位于所述缓冲层上，并且包括第一开关晶体管的有源层；/n第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上；/n第一栅极导电层，位于所述第一栅极绝缘层上，并且包括所述第一开关晶体管的栅电极；/n第一保护层，位于所述第一栅极导电层上；/n第二栅极导电层，位于所述第一保护层上，并且包括驱动晶体管的栅电极；/n第一层间绝缘层，位于所述第二栅极导电层上；/n第二半导体层，位于所述第一层间绝缘层上，并且包括第二开关晶体管的有源层；/n第二栅极绝缘层，位于所述第二半导体层上；/n第三栅极导电层，位于所述第二栅...
【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-01232201.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
缓冲层，位于所述基底上；
第一半导体层，位于所述缓冲层上，并且包括第一开关晶体管的有源层；
第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上；
第一栅极导电层，位于所述第一栅极绝缘层上，并且包括所述第一开关晶体管的栅电极；
第一保护层，位于所述第一栅极导电层上；
第二栅极导电层，位于所述第一保护层上，并且包括驱动晶体管的栅电极；
第一层间绝缘层，位于所述第二栅极导电层上；
第二半导体层，位于所述第一层间绝缘层上，并且包括第二开关晶体管的有源层；
第二栅极绝缘层，位于所述第二半导体层上；
第三栅极导电层，位于所述第二栅极绝缘层上，并且包括所述第二开关晶体管的栅电极；
第三栅极绝缘层，位于所述第一层间绝缘层上；以及
第三半导体层，位于所述第三栅极绝缘层上，并且包括所述驱动晶体管的有源层，
其中，所述驱动晶体管的所述有源层与所述栅电极之间的距离大于所述第二开关晶体管的所述有源层与所述栅电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括多晶硅，并且
所述第二半导体层和所述第三半导体层均包括氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层也位于所述驱动晶体管的所述有源层与所述栅电极之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三栅极绝缘层位于所述第二栅极绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第三栅极绝缘层的至少一部分覆盖所述第二开关晶体管的所述栅电极。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三栅极绝缘层位于所述第二栅极绝缘层与所述第一层间绝缘层之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开关晶体管的所述有源层位于所述第三栅极绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：绝缘图案，位于所述驱动晶体管的所述有源层与所述栅电极之间以及所述第三栅极绝缘层与所述第一层间绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的所述有源层和所述第二开关晶体管的所述有源层位于同一层上。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的所述有源层位于所述第二栅极绝缘层上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开关晶体管的所述有源层与所述栅电极之间的距离小于所述第一开关晶体管的所述有源层与所述栅电极之间的距离。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小...
【专利技术属性】
技术研发人员：金埈焕，金兑映，朴锺宇，崔荣太，黄贤澈，林基主，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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