【技术实现步骤摘要】
电阻温度计的传感器元件和用于传感器元件的基板
本专利技术涉及一种用于制造传感器元件的基板,和一种电阻温度计的传感器元件,以及一种用于制造传感器元件的方法。
技术介绍
本领域已知的电阻温度计具有由铂制成的测量结构,其布置在基板上。在已知电阻温度计中的基板和测量结构具有不同的热膨胀系数。当已知的电阻温度计因温度突变而受到应力,作用于整个测量结构并且造成测量值误差的改变和损坏可以发生在基板和测量结构之间的边界层。因此,随着时间的推移,电阻温度计的温度测量变得更加不可靠。DE102015223950A1公开了一种用于传感器元件的基板和/或一种电阻温度计的元件,其中,基板包括氧化铝和二氧化锆,并且具有大致等于铂的热膨胀系数的热膨胀系数。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的是提供一种电阻温度计的传感器元件,其中,该传感器元件在导电测量结构和基板之间的边界面上表现出至少更少的应力或损坏。本专利技术的另一目的是提供一种用于电阻温度计的传感器元件的基板,其在导电测量结构和基板之间提供更小的热应力。 >本专利技术的另一目本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电阻温度计的传感器元件,包括基板(4)和导电测量结构(2),其中所述基板包括第一层(1),其中所述第一层(1)包括铝酸镧,其中所述测量结构(2)直接布置在所述第一层(1)上,其中所述测量结构(2)包括铂。/n
【技术特征摘要】
20191004 EP 19201521.21.一种电阻温度计的传感器元件,包括基板(4)和导电测量结构(2),其中所述基板包括第一层(1),其中所述第一层(1)包括铝酸镧,其中所述测量结构(2)直接布置在所述第一层(1)上,其中所述测量结构(2)包括铂。
2.根据权利要求1所述的传感器元件,其中所述第一层(1)由铝酸镧制成。
3.根据权利要求1所述的传感器元件,其中所述第一层(1)包括例如Y2O3、ZrO2、MgO或TiO2的金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的传感器元件,其中所述基板(4)包括第二层(3),其中所述第一层(1)布置在所述第二层(3)上,其中所述第二层(3)具有比所述第一层(1)更高的导电性,并且其中所述第一层(1)使所述导电测量结构(2)与所述第二层(3)电绝缘。
5.根据权利要求4所述的传感器元件,其中所述第二层(3)包括ZrO2。
6.根据权利要求5所述的传感器元件,其中所述第一层(1)具有在1μm到10μm的范围内的厚度。
7.根据权利要求6所述的传感器元件,其中所述测量结构(2)包括铑。
8.根据权利要求7所述的传感器元件,其中所述测量结构(2)包括质量百分数在0.05到1的范围内的铑。
9.根据权利要求8所述的传...
【专利技术属性】
技术研发人员:SA罗辛格,H西尔特,
申请(专利权)人:泰连感应德国有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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