薄膜滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种薄膜滤波器，包括陶瓷基板、多个谐振器、输入端、输出端和屏蔽罩，所述多个谐振器设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端和所述输出端设置于所述陶瓷基板上，且所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，输入端的顶端和底端电性连接，输出端的顶端和底端电性连接，输入端的顶端和输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接，屏蔽罩包围所述多个谐振器。本实用新型专利技术的技术方案使得薄膜滤波器的尺寸得到减小，且能避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响，以及使得薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
薄膜滤波器
本技术涉及滤波器
，特别涉及一种薄膜滤波器。
技术介绍
滤波器主要是用来分离不同微波信号的器件，当今高效的频谱利用率对具有高选择性、小尺寸、低成本以及可直接表贴的滤波器有着迫切需求。传统的滤波器主要是采用FR-4等级材料，但是，FR-4等级材料的相对介电常数较小，不能有效的减小滤波器的尺寸；并且，传统的滤波器的顶表面线路与底表面线路分离，在实际使用过程中采用金丝键合的方式使得顶表面线路与底表面线路电性连接，但是，金丝键合的长度、粗细、可靠性都会影响滤波器的性能；另外，传统的滤波器上没有安装屏蔽罩，使得在高频至毫米波频段，滤波器的性能易受到其他元器件的影响，进而增加了滤波器的性能的不稳定性。因此，需要设计一种薄膜滤波器，以解决传统滤波器的尺寸大、性能受到金丝键合工艺影响以及性能不稳定的问题的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄膜滤波器，能够使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，且能避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响，以及使得所述薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。为实现上述目的，本技术提供了一种薄膜滤波器，包括：陶瓷基板；多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，屏蔽罩，包围所述多个谐振器。可选的，所述陶瓷基板的相对介电常数为12～38。可选的，所述陶瓷基板的厚度为0.25mm～0.7mm。可选的，所述陶瓷基板具有两相对的第一边和两相对的第二边。可选的，所述多个谐振器相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置，且所述输入端和所述输出端相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置。可选的，所有的所述谐振器垂直于所述陶瓷基板的第二边，且所有的所述谐振器之间相互平行。可选的，相邻两个所述谐振器之间的间隙从所述陶瓷基板的第二边的两端到第二边的中间逐渐增大。可选的，所述谐振器的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一。可选的，所述薄膜滤波器的工作频率为4.5GHz～6.5GHz。可选的，所述谐振器的阶数为7阶。可选的，所述谐振器组成交指型结构。可选的，所述输入端和所述输出端分别设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边上，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端的底端和所述输出端的底端设置于所述陶瓷基板的底表面上，且所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端均通过第一导体层电性连接。可选的，所述第一导体层设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边的侧面上的第一凹槽和第二凹槽中。可选的，所述第一凹槽和第二凹槽的形状为矩形或半圆形。可选的，每个所述谐振器的形状为矩形，所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端的形状均为月牙形。可选的，所述陶瓷基板的底表面上设置有第二导体层，所述第二导体层接地。可选的，每个所述谐振器的一端上均设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述陶瓷基板，所述第一通孔的内壁上设置有第三导体层，以使得每个所述谐振器通过所述第三导体层与所述第二导体层电性连接。可选的，相邻的两个所述谐振器上的所述第一通孔设置于所述谐振器的不同端。可选的，所述第一通孔的形状为圆形，所述第一通孔的直径为0.1mm～0.25mm。可选的，所述第一通孔的形状为矩形，所述第一通孔的边长为0.25mm～0.5mm。可选的，所述屏蔽罩包括一顶板、分别设置于所述顶板的两相对边的两个侧板以及分别与两个所述侧板连接的两个安装板，所述顶板位于所述陶瓷基板的顶表面上方且与所述陶瓷基板的顶表面平行，两个所述侧板与所述顶板垂直，两个所述侧板位于所述多个谐振器的外围，两个所述安装板与所述侧板平行，两个所述安装板分别固定于所述陶瓷基板的两相对的第二边的侧面上。可选的，所述陶瓷基板的两相对的第二边的侧面各设置有一第三凹槽，所述第三凹槽的内壁上设置有第四导体层，所述安装板固定于所述第三凹槽中的第四导体层上，以使得所述屏蔽罩通过所述第四导体层与所述第二导体层电性连接。可选的，所述薄膜滤波器还包括传输线，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别通过所述传输线与各自最接近的所述谐振器电性连接。与现有技术相比，本技术提供的薄膜滤波器，由于包括相对介电常数高的所述陶瓷基板，使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，极大改善了所述薄膜滤波器的性能；进一步地，由于所述输入端的顶端和底端之间以及所述输出端的顶端和底端之间均通过设置于所述陶瓷基板的第一边的侧壁上的第一凹槽和第二凹槽中的第一导体层实现电性连接，使得能够避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响；更进一步地，由于所述陶瓷基板上设置有屏蔽罩，能够降低外部信号的干扰，提高产品性能和稳定性。附图说明图1是本技术一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的顶表面的示意图；图2是本技术一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的底表面的示意图；图3是本技术一实施例的薄膜滤波器(含屏蔽罩)的爆炸图；图4是本技术一实施例的薄膜滤波器的信号仿真图；图5是本技术另一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的顶表面的示意图；图6是本技术另一实施例的薄膜滤波器(不含屏蔽罩)的底表面的示意图；图7是本技术另一实施例的薄膜滤波器(含屏蔽罩)的爆炸图；图8是本技术另一实施例的薄膜滤波器的信号仿真图。其中，附图1～图8的附图标记说明如下：11-陶瓷基板；111-第一边；112-第二边；113-第二导体层；114-焊接层；115-第二通孔；116-第三凹槽；12-谐振器；121-第一通孔；13-输入端；131-第一顶端；132-第一底端；133-第一凹槽；14-输出端；141-第二顶端；142-第二底端；143-第二凹槽；15、16-屏蔽罩；151、161-顶板；152、162-侧板；153、163-安装板；17-传输线。具体实施方式为使本技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图1至图8对本技术提出的薄膜滤波器作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。本技术一实施例提供一种薄膜滤波器，参阅图1至图8，所述薄膜滤波器包括陶瓷基板11、多个谐振器12、输入端13和输出端14，所述多个谐振器12设置于所述陶瓷基板11的顶表面上，所述输入端13和所述输出端14设置于所述陶瓷基板11上，且所述输入端13和所述输出端14均包括顶端和底端，所述输入端13的顶端和底端电性连接，所述输出端14的顶端和底端电性连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜滤波器，其特征在于，包括：/n陶瓷基板；/n多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；/n输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，/n屏蔽罩，包围所述多个谐振器。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜滤波器，其特征在于，包括：
陶瓷基板；
多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；
输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，
屏蔽罩，包围所述多个谐振器。


2.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的相对介电常数为12～38。


3.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.25mm～0.7mm。


4.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板具有两相对的第一边和两相对的第二边。


5.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述多个谐振器相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置，且所述输入端和所述输出端相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置。


6.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所有的所述谐振器垂直于所述陶瓷基板的第二边，且所有的所述谐振器之间相互平行。


7.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，相邻两个所述谐振器之间的间隙从所述陶瓷基板的第二边的两端到第二边的中间逐渐增大。


8.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一。


9.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述薄膜滤波器的工作频率为4.5GHz～6.5GHz。


10.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的阶数为7阶。


11.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器组成交指型结构。


12.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述输入端和所述输出端分别设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边上，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端的底端和所述输出端的底端设置于所述陶瓷基板的底表面上，且所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端均通过第一导体层电性连接。


13.如权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘绍榫，曲克峰，
申请(专利权)人：杭州友旺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33