薄膜滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种薄膜滤波器，包括陶瓷基板、多个谐振器、输入端、输出端和屏蔽罩，所述多个谐振器设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端和所述输出端设置于所述陶瓷基板上，且所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，输入端的顶端和底端电性连接，输出端的顶端和底端电性连接，输入端的顶端和输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接，屏蔽罩包围所述多个谐振器。本实用新型专利技术的技术方案使得薄膜滤波器的尺寸得到减小，且能避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响，以及使得薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
薄膜滤波器
本技术涉及滤波器
，特别涉及一种薄膜滤波器。
技术介绍
滤波器主要是用来分离不同微波信号的器件，当今高效的频谱利用率对具有高选择性、小尺寸、低成本以及可直接表贴的滤波器有着迫切需求。传统的滤波器主要是采用FR-4等级材料，但是，FR-4等级材料的相对介电常数较小，不能有效的减小滤波器的尺寸；并且，传统的滤波器的顶表面线路与底表面线路分离，在实际使用过程中采用金丝键合的方式使得顶表面线路与底表面线路电性连接，但是，金丝键合的长度、粗细、可靠性都会影响滤波器的性能；另外，传统的滤波器上没有安装屏蔽罩，使得在高频至毫米波频段，滤波器的性能易受到其他元器件的影响，进而增加了滤波器的性能的不稳定性。因此，需要设计一种薄膜滤波器，以解决传统滤波器的尺寸大、性能受到金丝键合工艺影响以及性能不稳定的问题的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄膜滤波器，能够使得所述薄膜滤波器的尺寸得到减小，且能避免所述薄膜滤波器的性能受到金丝键合工艺的影响，以及使得所述薄膜滤波器的性能的稳定性得到提高。r>为实现上述目的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜滤波器，其特征在于，包括：/n陶瓷基板；/n多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；/n输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，/n屏蔽罩，包围所述多个谐振器。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜滤波器，其特征在于，包括：
陶瓷基板；
多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；
输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，
屏蔽罩，包围所述多个谐振器。


2.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的相对介电常数为12～38。


3.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.25mm～0.7mm。


4.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板具有两相对的第一边和两相对的第二边。


5.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述多个谐振器相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置，且所述输入端和所述输出端相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置。


6.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所有的所述谐振器垂直于所述陶瓷基板的第二边，且所有的所述谐振器之间相互平行。


7.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，相邻两个所述谐振器之间的间隙从所述陶瓷基板的第二边的两端到第二边的中间逐渐增大。


8.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一。


9.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述薄膜滤波器的工作频率为4.5GHz～6.5GHz。


10.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的阶数为7阶。


11.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器组成交指型结构。


12.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述输入端和所述输出端分别设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边上，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端的底端和所述输出端的底端设置于所述陶瓷基板的底表面上，且所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端均通过第一导体层电性连接。


13.如权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘绍榫，曲克峰，
申请(专利权)人：杭州友旺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33