异质结太阳能电池片和叠瓦组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。位于衬底层顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均包括四层结构，这四层结构彼此不同。根据本实用新型专利技术，衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构，这四层结构彼此的成分均不相同，组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势，并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池片和叠瓦组件
本技术涉及能源领域，尤其涉及异质结太阳能电池片和叠瓦组件。
技术介绍
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。目前，异质结太阳能电池由于具备转换效率高、制造工艺流程短、硅片薄片化、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效太阳能电池技术。现有的异质结太阳能电池片的顶侧和底侧均包括多层结构，而这而各个层之间相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：/n单晶硅衬底层；/n两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：/n第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；/n第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；/n第三层本征非晶硅薄膜层；/n第...

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：
单晶硅衬底层；
两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：
第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；
第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；
第三层本征非晶硅薄膜层；
第四层本征非晶硅薄膜层；
N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；
P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；
透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，并且所述电极设置在所述透光导电层的表面上。


2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层和P型掺杂层均各自包括与第四层本征非晶硅薄膜层接触的第一层掺杂层和与透光导电层接触的第二层掺杂层，第一层掺杂层为非晶硅整体层状结构，第二层掺杂层为微晶硅整体层状结构，第二层掺杂层的掺杂浓度大于第一层掺杂层的掺杂浓度。


3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第一层掺杂层的磷的掺杂量为14ppm-17ppm。


4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，N型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，N型掺杂层的第二层掺杂层的磷的掺杂量为18ppm-22ppm。


5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第一层掺杂层的硼的掺杂量为14ppm-17ppm。


6.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，P型掺杂层的第二层掺杂层的结晶度为40％-65％，P型掺杂层的第二层掺杂层的硼的掺杂量为18ppm-22ppm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：薛建锋，王月斌，余义，苏世杰，王秀鹏，石刚，李岩，
申请(专利权)人：成都晔凡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51