硅基异质结太阳电池及其制备方法技术

本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层，和/或，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。上述方案可以改善电子传输层的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
硅基异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术一般涉及太阳能光伏发电
，具体涉及一种硅基异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
硅基异质结(SiliconHetero-Junction；SHJ)太阳电池具有较高的转化效率，最高的转化效率可以超过25％。现有主流SHJ电池技术路线，由于纳米硅氧以其带隙大，吸收系数小，且光折射率可调节等优势，成为太阳能电池广为采用的一种窗口层材料(也即电子传输层材料)。然而，众所周知，纳米硅氧材料随着氧原子(O)的引入，光学性能提高，但其电学性能单调递减，从而导致电池电流(Isc)的提升和填充因子(FF)的下降程度不同，最终使得SHJ电池的效率提升幅度较小。因此，如何在保持纳米硅氧材料优良光学性能的同时改善其电学性能成为进一步获得高效SHJ电池亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，用以至少改善电子传输层的电学性能。第一方面，本专利技术提供一种硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物(Tr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，其特征在于；/n所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层，和/或，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，其特征在于；
所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层，和/或，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。


2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧层的折射率为1.9-2.3之间，晶化率为35％-50％。


3.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧层包括层叠设置的纳米硅氧材料层和纳米硅材料层。


4.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述纳米硅氧材料层的厚度为8nm-15nm，所述纳米硅材料层的厚度为2nm-5nm。


5.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述本征纳米硅层的厚度为0.1nm-4nm。


6.根据权利要求1-5任一项所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述钝化层及所述本征纳米硅层的H的总含量在20％-28％。


7.根据权利要求1-5任一项所述的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述钝化层及所述本征纳米硅层的微结构因子在55％-70％。


8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐琛，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61