突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件技术

本发明专利技术的突状构造体(1)包含无机材料，区分为圆顶部(5)、及位于圆顶部(5)之下的基础部(7)，且圆顶部(5)的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部(5a)的微细凹凸构造，圆顶部(5)的高度(L

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件
本专利技术涉及一种突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件。本申请案主张基于2018年9月14日在日本提出申请的日本专利特愿2018-172847号的优先权，并将其内容援引至此。
技术介绍
用于发光二极管等的半导体发光元件通常以透明树脂制密封材(透镜等)密封。密封材有时具有提高光提取效率的功能。半导体发光元件中，发出紫外线区域的光的发光元件因紫外线较高的光能而用于各种领域。特别是深紫外线(DUV)区域的光，具有较强的杀菌作用，期待在医疗领域等用于病毒的杀菌等。但发光元件存在光提取效率低的问题。此外，由于作为有机材料的密封材容易因紫外线而劣化，故不期望将通过密封材提高光提取效率的方法应用于发光元件。作为能够提高半导体发光元件的光提取效率的半导体发光元件用衬底，提出以下者。·一种半导体发光元件用衬底，其具有供形成包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面，且所述发光构造体形成面具备平坦部、从所述平坦部突出的多个大径突部、及多个小径突部，所述多个小径突部中的至少一部分从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种突状构造体，包含无机材料，/n区分为圆顶部、及位在所述圆顶部之下的基础部，且/n所述圆顶部的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部的微细凹凸构造，/n所述圆顶部的高度(nm)相对于所述圆顶部的宽度(nm)的比为0.25～0.6，/n所述基础部的侧面相对于高度方向的倾斜角为0度以上且低于21度，将所述突状构造体在高度方向上进行16分割时的每1区隔的所述倾斜角的变化量低于10度，/n所述基础部的高度(nm)相对于所述基础部的宽度(nm)的比为0.1～0.25，/n所述基础部的宽度(nm)相对于所述微细凹凸构造的平均间距(nm)的比为3～60。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 JP 2018-1728471.一种突状构造体，包含无机材料，
区分为圆顶部、及位在所述圆顶部之下的基础部，且
所述圆顶部的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部的微细凹凸构造，
所述圆顶部的高度(nm)相对于所述圆顶部的宽度(nm)的比为0.25～0.6，
所述基础部的侧面相对于高度方向的倾斜角为0度以上且低于21度，将所述突状构造体在高度方向上进行16分割时的每1区隔的所述倾斜角的变化量低于10度，
所述基础部的高度(nm)相对于所述基础部的宽度(nm)的比为0.1～0.25，
所述基础部的宽度(nm)相对于所述微细凹凸构造的平均间距(nm)的比为3～60。


2.根据权利要求1所述的突状构造体，其中所述基础部(nm)的高度相对于所述突状构造体的高度(nm)的比为0.18～0.44。


3.根据权利要求1或2所述的突状构造体，其中所述突状构造体的高度为400～3500nm。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的突状构造体，其中所述无机材料为蓝宝石。


5.一种衬底，包含无机材料且具有光提取面，且
所述光提取面具有平坦部、及从所述平坦部突出的多个突状构造体，
所述多个突状构造体包含根据权利要求1至4中任一项的突状构造体。


6.一种衬底的制造方法，其是在包含无机材料的基材之上形成以100～1000nm的平均间距排列有多个蚀刻掩膜的第1蚀刻掩膜图案，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：大纮太郎，篠塚启，
申请(专利权)人：王子控股株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP