RFID标签用基板、RFID标签以及RFID系统技术方案

技术编号:27947485 阅读:40 留言:0更新日期:2021-04-02 14:31
在绝缘基板具备:第1面导体;第2面导体;将第1面导体和第2面导体电连接的短路部贯通导体;与第1面导体的至少一部分或第2面导体的至少一部分对置而形成电容元件的电容导体;将电容导体和第1面导体以及第2面导体中的一者电连接的电容部贯通导体;电连接半导体集成电路之中输出发送电波所涉及的电压信号的端子的第1电极;电连接半导体集成电路中的成为基准电位的端子的第2电极,电容元件中的第1导体、第2导体分别不经由短路部贯通导体而与第1电极、第2电极电连接,从第1电极到短路部贯通导体的距离比从第2电极到短路部贯通导体的距离短。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RFID标签用基板、RFID标签以及RFID系统
本公开涉及RFID(RadioFrequencyIdentifier,无线射频识别)标签用基板、RFID标签以及RFID系统。
技术介绍
以往,以物品的管理等为目的而使用了在与RFID标签之间进行通过无线通信进行信息的收发的RFID系统。作为RFID标签,更广泛地使用了具备设置有板状倒F天线等天线的RFID标签用基板、和安装在该RFID标签用基板的板面的半导体集成电路的RFID标签(例如,国际公开第2013/145312号)。这样的RFID标签能够经由RFID标签用基板的天线发送包括存储在半导体集成电路的信息的电波、将所接收的电波中所包括的信息写入半导体集成电路。根据使用这样的RFID标签的RFID系统,例如,能够通过在物品安装RFID标签并利用给定读写器从RFID标签获取物品所涉及的信息、向RFID标签写入需要的信息,从而进行物品的管理。
技术实现思路
用于解决课题的手段本公开的一个方式的RFID标签用基板是具有安装半导体集成电路的板面、该板面以及所述半导体集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RFID标签用基板,具有安装半导体集成电路的板面,并且该板面以及所述半导体集成电路被密封构件密封而使用,所述RFID标签用基板具备:/n绝缘基板,一个面形成所述板面;/n第1面导体,被设置在所述绝缘基板的所述一个面;/n第2面导体,被设置在所述绝缘基板的与所述一个面相反的一侧的面;/n短路部贯通导体,在厚度方向上贯通所述绝缘基板,将所述第1面导体和所述第2面导体电连接;/n电容导体,被设置在所述绝缘基板的内部,与所述第1面导体的至少一部分或所述第2面导体的至少一部分对置而形成电容元件;/n电容部贯通导体,被设置在所述绝缘基板的内部,将所述电容导体、和所述第1面导体以及所述第2面导体之中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180822 JP 2018-1550871.一种RFID标签用基板,具有安装半导体集成电路的板面,并且该板面以及所述半导体集成电路被密封构件密封而使用,所述RFID标签用基板具备:
绝缘基板,一个面形成所述板面;
第1面导体,被设置在所述绝缘基板的所述一个面;
第2面导体,被设置在所述绝缘基板的与所述一个面相反的一侧的面;
短路部贯通导体,在厚度方向上贯通所述绝缘基板,将所述第1面导体和所述第2面导体电连接;
电容导体,被设置在所述绝缘基板的内部,与所述第1面导体的至少一部分或所述第2面导体的至少一部分对置而形成电容元件;
电容部贯通导体,被设置在所述绝缘基板的内部,将所述电容导体、和所述第1面导体以及所述第2面导体之中不与所述电容导体对置的一者电连接;
第1电极,被设置在所述绝缘基板的所述一个面,电连接所述半导体集成电路具有的多个端子之中输出发送电波所涉及的电压信号的端子;和
第2电极,被设置在所述绝缘基板的所述一个面,电连接所述半导体集成电路具有的多个端子之中成为基准电位的端子,
形成所述电容元件的一对导体之中,第1导体不经由所述短路部贯通导体而与所述第1电极电连接,所述一对导体之中,第2导体不经由所述短路部贯通导体而与所述第2电极电连接,
从所述第1电极到所述短路部贯通导体的距离比从所述第2电极到所述短路部贯通导体的距离短。


2.根据权利要求1所述的RFID标签用基板,其中,
从所述第1电极到所述电容部贯通导体的距离比从所述第2电极到所述电容部贯通导体的距离长。


3.根据权利要求1或2所述的RFID标签用基板,其中,
所述电容导体与所述第2面导体的至少一部分对置而形成所述电容元件,
所述第1导体是所述电容导体,所述第2导体是所述第2面导体,
所述第1电极经由第1层间贯通导体而与所述电容导体电连接,所述第1层间贯通导体被设置在所述绝缘基板之中所述第1电极与所述电容导体之间的层,
所述第2电极经由贯通所述绝缘基板的第2层间贯通导体而与所述第2面导体电连接,
从所述电容导体中的与所述第1电极的电连接位置到所述短路部贯通导体的距离比从所述第2面导体中的与所述第2电极的电连接位置到所述短路部贯通导体的距离短。


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【专利技术属性】
技术研发人员:山本周一林拓也
申请(专利权)人:京瓷株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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