【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耦合光的光学芯片及其制造方法
本专利技术涉及一种用于在光学芯片与另一光学器件之间耦合光的光学芯片。具体而言,光学芯片可使用改进的方式黏贴到其它光学器件,例如光纤或光纤阵列单元(fiberarrayunit,FAU)。为此,光学芯片具有边缘耦合器结构。本专利技术还涉及一种制造光学芯片的方法。
技术介绍
为了在光纤和光学芯片(例如,包括高指数反差硅或氮化硅波导的芯片)之间耦合光,由于模场直径(modefielddiameter,MFD)之差,需要专用的耦合结构。边缘耦合器实现的水平耦合结构的性能通常比光栅耦合器实现的垂直耦合结构的性能(插损、带宽、偏振依赖性)更好。边缘耦合器主要是基于嵌入在氧化硅顶部包层中的倒锥形波导。传统的边缘耦合器依靠抛光来制造平滑的垂直光学面。抛光是一次一个模具的工艺,非常耗费人力、时间和成本。为了避免抛光,提出了利用干法蚀刻和切屑分离的方法制造具有光学面的边缘耦合器。然而,这些方法本质上导致光学芯片底部的基板的一部分伸出光学面上。因此,边缘耦合器的光学面与其它光学器件(例如,使用边缘耦合器粘贴到 ...
【技术保护点】
1.一种用于在光学芯片(100)与另一光学器件(500)之间耦合光的光学芯片(100),其特征在于,所述光学芯片(100)包括:/n基板(101);/n包层(102),设置在所述基板(101)上;/n光学面(103),由所述包层(102)的侧壁(104)形成,其中/n所述基板(101)的侧壁(104)由与所述光学面(103)相邻且与所述光学面(103)成一条直线的第一截面(105)和与所述光学面(103)成一条直线或从所述光学面(103)凹入的第二截面(106)构成。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180221 EP 18157761.01.一种用于在光学芯片(100)与另一光学器件(500)之间耦合光的光学芯片(100),其特征在于,所述光学芯片(100)包括:
基板(101);
包层(102),设置在所述基板(101)上;
光学面(103),由所述包层(102)的侧壁(104)形成,其中
所述基板(101)的侧壁(104)由与所述光学面(103)相邻且与所述光学面(103)成一条直线的第一截面(105)和与所述光学面(103)成一条直线或从所述光学面(103)凹入的第二截面(106)构成。
2.根据权利要求1所述的光学芯片(100),其特征在于,
所述完整基板(101)侧壁(104)与所述光学面(103)成一条直线。
3.根据权利要求2所述的光学芯片(100),其特征在于,
所述光学芯片(100)的厚度为100-500μm,具体为250-350μm。
4.根据权利要求1所述的光学芯片(100),其特征在于,
所述基板(101)侧壁(104)的所述第二截面(106)从所述光学面(103)凹入0-100μm,具体凹入0-50μm。
5.根据权利要求4所述的光学芯片(100),其特征在于,
所述光学芯片(100)的厚度为600-800μm,和/或
所述基板(101)侧壁(104)的所述第一截面(105)的高度为100-500μm,优选地为250-350μm。
6.一种用于在光学芯片(100)与另一光学器件(500)之间耦合光的光学芯片(100),其特征在于,所述光学芯片(100)通过权利要求7至15中任一项所述的方法获得。
7.一种制造用于在光学芯片(100)与另一光学器件(500)之间耦合光的光学芯片(100)的方法(200),其特征在于,所述方法(200)包括:
提供(201)晶圆,所述晶圆包括基板(101)和设置在所述基板(101)上的包层(102);
蚀刻(202)所述包层(102),以在所述蚀刻包层(102)的至少一个侧壁(104)上形成光学面(103);
蚀刻(203)所述基板(101),以形成至少一个基板(101)侧壁(104),所述基板(101)侧壁(104)由与所述光学面(103)成一条直线且相邻的第一截面(105)构成;
从所述基板(101)的背面(400)去除(204)所述基板(101)的至少一部分,以将晶圆进行切割,使所述光学芯片(100)的所述基板(101)侧壁(104)具有与所述光学面(103)成一条直线或从所述光学面(103)凹入的第二截面(106),其中所述晶圆的所述背面(400)是所述晶圆与所述包层(102)相对的一侧。
8.根据权利要求7所述的方法(200),其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔斯特·布洛卡特,马科·兰波尼,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,乔斯特·布洛卡特,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。