一种散热结构及探测器制造技术

技术编号:27947128 阅读:53 留言:0更新日期:2021-04-02 14:30
本申请公开了一种散热结构及探测器,其中所述散热结构适用于包括发热区和热敏感区器件,散热结构包括:隔热层,发热区和热敏感区分别位于隔热层的两侧;进风口,进风口位于发热区靠近隔热层的一端上;排风扇,排风扇位于发热区与进风口相对的一端上。探测器包括前端阵列区域和后端电子学电路区域,还包括上述散热结构,其中,前端阵列区域为热敏感区,后端电子学电路区域为发热区,前端阵列区域通过连接器穿过隔热层与后端电子学区域连接。本申请的散热结构,通过隔热层将区域进行分隔,同时在区域之间设置进风口和排风扇,形成特定的风路,实现全方位散热,结构简单,功耗适宜,散热效果好,适用于高能探测领域。

【技术实现步骤摘要】
一种散热结构及探测器
本技术一般涉及核探测
,具体涉及一种散热结构及探测器。
技术介绍
在高能物理核探测领域中,SiPM(硅光电倍增管)由于具有增益高、光探测效率高、偏置电压低、对磁场不敏感、体积小、功耗低等特点应用日益广泛。一般来说,后端电子学芯片在工作中发热严重,而SiPM的能量分辨率和时间分辨率特性具有强烈的温度依赖性,在较低的温度下使用SiPM,能够提高这些特性。同时,探测器中各处SiPM之间的温差应尽可能的小,以利于提高系统整体性能的均一性和稳定性。因此,温度和热量的控制就显得十分重要。目前的探测器散热结构,通常采用外表传导散热方式,或者是风扇直接对芯片进行吹风散热等形式,或者是半导体冷却,也有水冷系统进行散热。现有的散热结构存在效率较差、功耗成本过高、结构过于复杂的问题。特别在高能探测领域,通常为若干探测器模块排列成阵列进行探测,现有的散热方式增加了系统的复杂性和功耗。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种散热结构及探测器,结构简单,功耗适宜,散热效果好。>第一方面,本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热结构,适用于包括发热区和热敏感区的器件,其特征在于,包括:/n隔热层,所述发热区和所述热敏感区分别位于所述隔热层的两侧;/n进风口,所述进风口位于所述发热区靠近所述隔热层的一端上;/n排风扇,所述排风扇位于所述发热区与所述进风口相对的一端上;/n所述进风口与所述排风扇形成用于所述发热区散热的风路。/n

【技术特征摘要】
1.一种散热结构,适用于包括发热区和热敏感区的器件,其特征在于,包括:
隔热层,所述发热区和所述热敏感区分别位于所述隔热层的两侧;
进风口,所述进风口位于所述发热区靠近所述隔热层的一端上;
排风扇,所述排风扇位于所述发热区与所述进风口相对的一端上;
所述进风口与所述排风扇形成用于所述发热区散热的风路。


2.根据权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述进风口的数量为至少一个。


3.一种探测器,包括前端阵列区域和后端电子学电路区域,其特征在于,还包括如权利要求1或2所述的一种散热结构;
其中,所述前端阵列区域为所述热敏感区,所述后端电子学电路区域为所述发热区,所述前端阵列区域通过连接器穿过隔热层与所述后端电子学电路区域连接。


4.根据权利要求3所述的探测器,其特征在于,所述连接器为接插件。


5.根据权利要求3所述的探测器,其特征在于,所述后端电子学...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱美玲王英杰
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所
类型:新型
国别省市:北京;11

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