可控硅高温保护装置及电路控制系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，所述装置包括：阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。可见，本发明专利技术能够提供一种可控硅高温保护装置，相较于传统方法，本高温保护装置从电路层面实现对可控硅的高温保护，具有较高的可靠性，提高了可控硅所控制的负载或产品的安全性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
可控硅高温保护装置及电路控制系统
本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种可控硅高温保护装置及电路控制系统。
技术介绍
可控硅(SiliconControlledRectifier)，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。一些用到可控硅的小家电产品在家用电器中是较为常见的，如养生壶、电炖盅等等。此类产品大部分都有用到可控硅控制负载，如使用单片机通过触发电路控制可控硅的通断，可控硅导通时，因长时间工作，自身发热比较严重，可控硅的温度随自身发热量增加而不断升高，可控硅的温度过高会导致可控硅失控，甚至烧坏可控硅、烧熔整机外壳、起火。现有技术CN201110117029.4号专利技术专利公开了一种LED调光驱动电路，其技术思路为，当LED灯温度高于预设值时，负温度系数热敏电阻RT1阻值降低，单片机U1的控制引脚PB1的电压增大，单片机根据PB1的变化改变输出引脚PB3的输出脉宽，减少流经LED的电流。但对比文件的过热保护电路需要对单片机进行复杂的编程，容易出现故障，可靠性低，无法从电路层面对可控硅进行高温保护。可见，需要提供一种基于电路设计，从电路层面对可控硅进行高温保护的技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种可控硅高温保护装置及电路控制系统，相较于传统方法中对单片机进行编程设计的方案，本高温保护装置从电路层面实现对可控硅的高温保护，具有较高的可靠性，从而有效避免单片机编程控制可能带来的单片机故障的问题，进而对可控硅进行高效可靠的高温保护，提高可控硅所控制的负载或产品的安全性和稳定性。为了解决上述技术问题，本专利技术第一方面公开了一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，所述装置包括：阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；所述触发电路通路为所述控制单元的控制信号输出端与用于驱动所述可控硅单元的触发电路的控制信号输入端之间的连接电路通路；当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述阻值可变单元的阻值与所述可控硅单元的温度呈负相关关系，当所述可控硅单元的温度高于所述温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值低于阻值阈值，当所述阻值可变单元的阻值低于所述阻值阈值时，所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述三级管单元为NPN型三极管，所述三极管单元的基极连接至所述阻值可变单元的第二端，所述三极管单元的发射极连接至所述地端，所述三极管单元的集电极连接至所述触发电路通路。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述阻值可变单元为负温度系数的热敏电阻，和/或，所述阻值可变单元被设置为靠近所述可控硅单元，以使得所述阻值可变单元的阻值可以随所述可控硅单元的温度变化。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述阻值可变单元的第二端与所述三极管单元的基极之间还设置有第一限流电阻。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述可控硅单元的触发电路包括触发三极管单元，所述触发三极管单元的基极连接至所述控制单元的控制信号输出端，所述触发三极管单元的发射极接地，所述触发三极管单元的集电极连接至所述可控硅单元的触发端。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述触发三极管单元的基极与所述单片机的控制信号输出端之间还设置有第二限流电阻，和/或，所述触发三级管单元的集电极与所述可控硅单元的触发端之间还设置有限流电阻单元。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述限流电阻单元包括并联设置的第三限流电阻和第四限流电阻。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第一方面中，所述触发三极管单元的基极和发射极之间还设置有钳位电阻。本专利技术第二方面公开了一种可控硅电路控制系统，所述系统包括控制单元、可控硅单元以及可控硅高温保护装置，所述装置设置在所述控制单元与所述可控硅单元之间，所述装置包括：阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；所述触发电路通路为所述控制单元的控制信号输出端与用于驱动所述可控硅单元的触发电路的控制信号输入端之间的连接电路通路；当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述阻值可变单元的阻值与所述可控硅单元的温度呈负相关关系，当所述可控硅单元的温度高于温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值低于阻值阈值，当所述阻值可变单元的阻值低于所述阻值阈值时，所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述三级管单元为NPN型三极管，所述三极管单元的基极连接至所述阻值可变单元的第二端，所述三极管单元的发射极连接至所述地端，所述三极管单元的集电极连接至所述触发电路通路。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述阻值可变单元为负温度系数的热敏电阻，和/或，所述阻值可变单元被设置为靠近所述可控硅单元，以使得所述阻值可变单元的阻值可以随所述可控硅单元的温度变化。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述阻值可变单元的第二端与所述三极管单元的基极之间还设置有第一限流电阻。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述可控硅单元的触发电路包括触发三极管单元，所述触发三极管单元的基极连接至所述控制单元的控制信号输出端，所述触发三极管单元的发射极接地，所述触发三极管单元的集电极连接至所述可控硅单元的触发端。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述触发三极管单元的基极与所述单片机的控制信号输出端之间还设置有第二限流电阻，和/或，所述触发三级管单元的集电极与所述可控硅单元的触发端之间还设置有限流电阻单元。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述限流电阻单元包括并联设置的第三限流电阻和第四限流电阻。作为一种可选的实施方式，在本专利技术第二方面中，所述触发三极管单元的基极和发射极之间还设置有钳位电阻。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术实施例公开了一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，所述装置包括：阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；三极管单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，其特征在于，所述装置包括：/n阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；/n三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；所述触发电路通路为所述控制单元的控制信号输出端与用于驱动所述可控硅单元的触发电路的控制信号输入端之间的连接电路通路；/n当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，其特征在于，所述装置包括：
阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；
三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；所述触发电路通路为所述控制单元的控制信号输出端与用于驱动所述可控硅单元的触发电路的控制信号输入端之间的连接电路通路；
当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。


2.根据权利要求1所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述阻值可变单元的阻值与所述可控硅单元的温度呈负相关关系，当所述可控硅单元的温度高于所述温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值低于阻值阈值，当所述阻值可变单元的阻值低于所述阻值阈值时，所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。


3.根据权利要求2所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述三级管单元为NPN型三极管，所述三极管单元的基极连接至所述阻值可变单元的第二端，所述三极管单元的发射极连接至所述地端，所述三极管单元的集电极连接至所述触发电路通路。


4.根据权利要求2所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述阻值可变单元为负...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一峰，刘子宽，肖龙飞，
申请(专利权)人：小熊电器股份有限公司，佛山市小熊智能电器有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44