【技术实现步骤摘要】
半导体模块和半导体模块的制造方法
本专利技术涉及半导体模块和半导体模块的制造方法。
技术介绍
半导体装置具有设有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)、FWD(FreeWheelingDiode)等半导体元件的基板，被利用于变换器装置等。一般的半导体模块通过在绝缘基板的上表面隔着钎料等接合材料配置多个半导体芯片而构成(例如，参照专利文献1、2)。在专利文献1中，公开有一种在一个层叠基板上配置有功率半导体芯片并将该组合横向排列配置两个而成的、所谓的半桥(2in1)模块。在专利文献2中，公开有一种通过在矩形形状的绝缘基板上横向排列配置多个半导体芯片(IGBT芯片和FWD芯片)而构成的半导体模块。专利文献1：日本特开2013－222950号公报专利文献2：日本特开平10－56131号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献...
【技术保护点】
1.一种半导体模块，其中，/n该半导体模块包括：/n第1金属布线板，其构成P端子；/n第2金属布线板，其构成N端子；/n第3金属布线板，其构成输出端子；/n第1半导体元件，其以集电极朝向所述第1金属布线板的一主面的方式配置于所述第1金属布线板的一主面；以及/n第2半导体元件，其以集电极朝向所述第3金属布线板的一主面的方式配置于所述第3金属布线板的一主面，/n所述第2金属布线板隔着绝缘材料配置于所述第1金属布线板的一主面，/n所述第3金属布线板以一主面朝向所述第1金属布线板的方式配置，/n所述第1半导体元件和所述第2半导体元件以所述第1半导体元件的发射极与所述第3金属布线板的...
【技术特征摘要】
20191002 JP 2019-1819841.一种半导体模块，其中，
该半导体模块包括：
第1金属布线板，其构成P端子；
第2金属布线板，其构成N端子；
第3金属布线板，其构成输出端子；
第1半导体元件，其以集电极朝向所述第1金属布线板的一主面的方式配置于所述第1金属布线板的一主面；以及
第2半导体元件，其以集电极朝向所述第3金属布线板的一主面的方式配置于所述第3金属布线板的一主面，
所述第2金属布线板隔着绝缘材料配置于所述第1金属布线板的一主面，
所述第3金属布线板以一主面朝向所述第1金属布线板的方式配置，
所述第1半导体元件和所述第2半导体元件以所述第1半导体元件的发射极与所述第3金属布线板的一主面连接并且所述第2半导体元件的发射极与所述第2金属布线板的一主面连接的方式表背相反地配置。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
该半导体模块还包括第1栅极端子，该第1栅极端子自所述第1半导体元件的栅极电极朝向所述第3金属布线板立起，
所述第3金属布线板具有能够供所述第1栅极端子贯穿的第1贯通孔。
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
该半导体模块还包括栅极用金属布线板，该栅极用金属布线板在所述第1金属布线板与所述第3金属布线板之间配置于与所述第2半导体元件的栅极电极对应的部位，
所述栅极用金属布线板隔着绝缘材料配置于所述第1金属布线板的一主面，
所述第2半导体元件的栅极电极连接于所述栅极用金属布线板的一主面。
4.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，
该半导体模块还包括第2栅极端子，该第2栅极端子自所述栅极用金属布线板的一主面朝向所述第3金属布线板立起，
所述第3金属布线板具有能够供所述第2栅极端子贯穿的第2贯通孔。
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，
所述第1栅极端子和所述第2栅极端子自半导体模块的一主面突出。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第1金属布线板的一主面具有：
第1主面，在该第1主面配置所述第1半导体元件，以及
第2主面，其设置在相对于所述第1主面下降了的位置，
所述第2金属布线板配置于所述第2主面。
7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，
所述栅极用金属布线板配置于所述第2主面。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第1半导体元件的集电极隔着烧结材料与所述第1金属布线板接合，
所述第2半导体元件的集电极隔着烧结材料与所述第3金属布线板接合。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体模块，其中，
所述第1半导体元件的发射极隔着凸块与所述第3金属布线板接合，
所述第2半导体元件的发射极隔着凸块与所述第2金...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀元人，池田良成，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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