【技术实现步骤摘要】
一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法
本专利技术属于半导体及微电子器件领域，具体涉及一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
目前，薄膜场效应晶体管TFT驱动技术主流技术有：非晶硅a-SiTFT驱动、低温多晶硅LTPSTFT驱动和氧化铟镓锌IGZOTFT驱动。IGZOTFT驱动技术是电脑显示器、电视等大尺寸的高端液晶面板的新一代关键技术，目前面临着国外技术封锁，而支撑TFT发展的传统a-SiTFT驱动技术已经无法满足消费者对高分辨率、高画质、轻薄、大尺寸显示器产品的市场需求，亟需采用IGZOTFT技术进行改进和技术攻关。LTPSTFT技术的载流子迁移率虽然可以做到高出a-SiTFT两个数量级，但是产品合格率低、均一性差、成本高，另外，LTPSTFT的漏电电流过大，不适合用作IXD像素开关。IGZOTFT载流子迁移率是a-SiTFT的20-50倍，基板面内均一性相对较好。IGZOTFT能实现高透光率，高刷新率，更快响应时间。选取多晶硅作为沟道层材料能得到很高的迁移率，但是由于多晶硅的制备温度较高，无...
【技术保护点】
1.一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；/n步骤二、通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；/n步骤三、通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；/n步骤四、在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；/n步骤五、通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；/n其中，所述铟镓锌氧化物薄膜...
【技术特征摘要】
1.一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；
步骤二、通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；
步骤三、通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；
步骤四、在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；
步骤五、通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；
其中，所述铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ均通过磁控溅射方法进行制备；
所述氧化铟薄膜层的制备方法为：将铟盐、镧盐和稳定剂加入混合溶剂中，然后加入超临界二氧化碳反应器中，在体系密封后，通入二氧化碳至15～25MPa、温度为45℃～65℃的条件下搅拌30～45min，然后泄压，将混合料液加压超声分散30～45min，得到氧化铟前驱体溶液；采用超声雾化喷涂方法将氧化铟前驱体溶液喷涂至铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ上，然后进行退火处理，得到氧化因薄膜层；所述氧化铟薄膜层的厚度为10～15nm。
2.如权利要求1所述的铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述加压超声分散的压力为1.5～2.5MPa，频率为30～40KHz。
3.如权利要求1所述的铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
通过磁控溅射方法制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ的过程为：采用IGZO靶材，溅射背景真空为3.8×10-3Pa，溅射功率为100～120W，溅射时通入的气体为氩气和氧气的混合气体，氩气和氧气摩尔比为80：20，溅射气压为0.55～0.75Pa；温度为室温；IGZO靶材的纯度>99.9999％；铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ的厚度为5～8nm；
通过磁控溅射方法制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ的过程为：采用IGZO靶材，溅射背景真空为3.8×10-3Pa，溅射功率为...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯金波，竹文坤，邱慧，白航空，郑在纹，何嵘，李宸，任俨，林丹，杨帆，乐昊飏，
申请(专利权)人：绵阳惠科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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