【技术实现步骤摘要】
基于静态随机存取存储器的动态物理不可克隆函数电路
本专利技术涉及一种基于静态随机存取存储器改进的高性能密钥生成电路，属于物理不可克隆函数
技术介绍
物理不可克隆函数是一种很有应用前景的加密和实体认证技术。它可以将每个芯片内部由于集成电路加工制造过程中工艺偏差而导致的随机差异提取出来，并转化成相应的数字的比特序列，以此作为芯片的“数字指纹”，并将其作为唯一的标识来识别芯片。基于静态随机存取存储器改进的物理不可克隆函数电路是近年来提出的一种新型的高性能指标的电路结构，它跟传统的静态随机存取存储器电路相似，都是通过静态随机存取存储器电路在芯片上电的过程中，其内部的晶体管因制备偏差而导致的随机失配实现响应的生成。基于静态随机存取存储器的物理不可克隆函数电路虽然有着具有理想值50％的唯一性，但是，其可靠性相较于其他类型的物理不可克隆函数电路来说，有着近30％的差距。为了提升电路的可靠性，近年来提出了许多基于静态随机存取存储器改进的物理不可克隆函数电路，在不降低唯一性的条件下，大幅提升了电路的可靠性。但是目前，所有基于...
【技术保护点】
1.一种基于静态随机存取存储器的动态物理不可克隆函数电路，其特征在于：包括动态物理不可克隆函数电路单元阵列、预充电路、译码器、使能模块、读写电路，其中：/n所述动态物理不可克隆函数电路单元阵列包括m行n列动态物理不可克隆函数电路单元；所述动态物理不可克隆函数电路单元包括6管静态随机存取存储器和6个功能开关，所述6管静态随机存取存储器包括NMOS管一M1、NMOS管二M2、PMOS管三M3、PMOS管四M4、NMOS管十一M11、NMOS管十二M12，6个功能开关分别为PMOS管五M5、PMOS管六M6、NMOS管七M7、NMOS管八M8、NMOS管九M9、NMOS管十M10...
【技术特征摘要】
1.一种基于静态随机存取存储器的动态物理不可克隆函数电路，其特征在于：包括动态物理不可克隆函数电路单元阵列、预充电路、译码器、使能模块、读写电路，其中：
所述动态物理不可克隆函数电路单元阵列包括m行n列动态物理不可克隆函数电路单元；所述动态物理不可克隆函数电路单元包括6管静态随机存取存储器和6个功能开关，所述6管静态随机存取存储器包括NMOS管一M1、NMOS管二M2、PMOS管三M3、PMOS管四M4、NMOS管十一M11、NMOS管十二M12，6个功能开关分别为PMOS管五M5、PMOS管六M6、NMOS管七M7、NMOS管八M8、NMOS管九M9、NMOS管十M10，所述NMOS管十一M11的漏极分别与NMOS管一M1的漏极、PMOS管三M3的漏极连接，所述NMOS管一M1的源极接地，所述NMOS管一M1的栅极分别与NMOS管七M7的源极、NMOS管九M9的漏极连接，所述NMOS管九M9的源极接地；所述NMOS管十二M12的漏极分别与PMOS管四M4的漏极、NMOS管二M2的漏极连接，所述NMOS管二M2的源极接地，所述NMOS管二M2的栅极分别与NMOS管八M8的源极、NMOS管十M10的漏极连接，所述NMOS管十M10的源极接地；所述PMOS管三M3的栅极分别与PMOS管五M5的漏极、NMOS管七M7的漏极连接，所述PMOS管三M3的源极、PMOS管五M5的源极均接电源正极；所述PMOS管四M4的栅极分别与PMOS管六M6的漏极、NMOS管八M8的漏极连接，所述PMOS管四M4的源极、PMOS管六M6的源极均接电源正极；
所述译码电路采用分级译码结构，第i位输出译码负责第i行动态物理不可克隆函数电路单...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟强，张虎，闫成刚，王成华，崔益军，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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