阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及显示面板。显示面板包括阵列基板，阵列基板设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括层叠设置的第一导电层、栅极绝缘层、第二导电层、钝化层以及第三导电层；所述第二导电层与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；所述第三导电层与所述第一导电层电连接，并与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。本发明专利技术通过增加第二电容与原有的第一电容并联形成的液晶存储电容，增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。而且第三导电层是与像素区的像素电极层同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
多畴取向液晶显示(Multi-domainalignmentliquidcrystaldisplays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。随着屏幕尺寸向大屏化的演化，8畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。如图1所示，为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，8畴像素结构的阵列基板910包括薄膜晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，薄膜晶体管区901主要采用3T或3Tplus结构。在薄膜晶体管区901主要包括构成薄膜晶体管的栅极层91以及源漏极层92，在主像素区902和次像素区903均包括栅极层91和像素电极层93。如图2所示，为现有的一种四畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，四畴像素结构的阵列基板920相对于八畴像素结构的阵列基板910的区别在于不设置次像素区903，只有主像素区902，因此只具有与其对应的一个薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括：/n第一导电层；/n栅极绝缘层，设于所述第一导电层上；/n第二导电层，设于所述栅极绝缘层上，且与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；/n钝化层，设于所述栅极绝缘层上且完全覆盖所述第二导电层；/n第一过孔，从所述钝化层的表面延伸至所述第一导电层的表面；以及/n第三导电层，设于所述钝化层上并通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接，所述第三导电层与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括：
第一导电层；
栅极绝缘层，设于所述第一导电层上；
第二导电层，设于所述栅极绝缘层上，且与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；
钝化层，设于所述栅极绝缘层上且完全覆盖所述第二导电层；
第一过孔，从所述钝化层的表面延伸至所述第一导电层的表面；以及
第三导电层，设于所述钝化层上并通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接，所述第三导电层与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层包括栅极走线和与所述栅极走线间隔设置的第一电容走线。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层包括源极走线、源极走线和第二电容走线；所述第二电容走线与所述漏极走线连接，且所述第二电容走线与所述第一电容走线形成所述第一电容。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层包括数据走线，与所述源...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44