基于光子晶体的紧凑型偏振分束器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于光子晶体的紧凑型偏振分束器，包括包层和偏振分束器主体结构，偏振分束器主体结构包括第一直波导、耦合区波导、第二直波导、S型连接波导和第三直波导，S型连接波导的左端面与第一直波导的右端面连接且两者重合，第三直波导的左端面与S型连接波导的右端面连接且两者重合，耦合区波导位于第一直波导的前侧，第二直波导的左端面与耦合区波导的右端面贴合连接，且第二直波导的后端面与耦合区波导的后端面位于同一平面，耦合区波导中采用嵌入式方式设置有结构尺寸均相同的二十五个圆柱形光子晶体，二十五个圆柱形光子晶体按照特定方式排布；优点是既具有较高性能，又具有较小尺寸。

【技术实现步骤摘要】
基于光子晶体的紧凑型偏振分束器
本专利技术涉及一种偏振分束器，尤其是涉及一种基于光子晶体的紧凑型偏振分束器。
技术介绍
“集成光学”是采用与半导体集成电路类似的技术，在某种材料的衬底上集成各种不同功能的光学器件，以实现某种功能的一种技术。自1969年，“集成光学”由贝尔实验室的米勒提出后，经历了飞速的发展，已逐渐成熟并走向产业化应用。随着数据通信业务和互连网技术的飞速发展，带动多媒体、社交网络的日益普及，人们对于信息的需求量越来越大。为了满足人们及时接收信息的需求，要求电信设备具有越来越大的数据传输带宽。用光作为信息传输的载体的光互连同传统的电互连相比，光互连具有频带宽、传输容量大、抗电磁干扰性能好、信号串扰小、损耗小以及中继距离长等优势。其中，光互连的带宽传输距离则是电互连无法比拟的巨大优势。这些优势使得光互连技术被认为是解决电互连瓶颈问题的新途径，成为新一代互连技术的研究热点。目前，人们开始尝试将模式复用技术应用于集成光电子器件中，人们研究的热点主要集中在模式复用系统(MDM)和偏振复用系统(PDM)。其中，模式复用系统主要是增加可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于光子晶体的紧凑型偏振分束器，包括包层和偏振分束器主体结构，所述的偏振分束器主体结构位于所述的包层内部，且被所述的包层完全包裹住，所述的包层的材料为二氧化硅，其特征在于所述的偏振分束器主体结构包括第一直波导、耦合区波导、第二直波导、S型连接波导和第三直波导，所述的耦合区波导为直波导形状，所述的第一波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的材料均为硅，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的高度方向均为上下方向，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直...

【技术特征摘要】
1.一种基于光子晶体的紧凑型偏振分束器，包括包层和偏振分束器主体结构，所述的偏振分束器主体结构位于所述的包层内部，且被所述的包层完全包裹住，所述的包层的材料为二氧化硅，其特征在于所述的偏振分束器主体结构包括第一直波导、耦合区波导、第二直波导、S型连接波导和第三直波导，所述的耦合区波导为直波导形状，所述的第一波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的材料均为硅，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的高度方向均为上下方向，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的宽度方向均为前后方向，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的长度方向均为左右方向，所述的S型连接波导由直波导弯折后形成，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的高度均为220nm，所述的第一直波导、所述的耦合区波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导的下端面位于同一平面，所述的第一直波导、所述的第二直波导、所述的S型连接波导和所述的第三直波导宽度均为0.6um，所述的耦合区波导的宽度为0.75um，所述的第一直波导的左端面作为所述的紧凑型偏振分束器的输入端，所述的S型连接波导的左端面与所述的第一直波导的右端面连接且两者重合，所述的第三直波导的左端面与所述的S型连接波导的右端面连接且两者重合，所述的第三直波导的右端面为所述的紧凑型偏振分束器的第一输出端，所述的耦合区波导位于所述的第一直波导的前侧，所述的第一直波导的前端面与所述的耦合区波导的后端面之间的距离为0.1um，所述的耦合区波导的右端面与所述的第一直波导的右端面位于同一平面，所述的第二直波导的左端面与所述的耦合区波导的右端面贴合连接，且所述的第二直波导的后端面与所述的耦合区波导的后端面位于同一平面，所述的第二直波导的右端面为所述的紧凑型偏振分束器的第二输出端，所述的第三直波导的右端面与所述的第二直波导的右端面位于同一平面，所述的第三直波导的前端面与所述的第二直波导的后端面之间的距离大于所述的第一直波导的前端面与所述的耦合区波导的后端面之间的距离。所述的耦合区波导中采用嵌入式方式设置有结构尺寸均相同的二十五个圆柱形光子晶体，每个所述的圆柱形光子晶体的材料均为二氧化硅，每个所述的圆柱形光子晶体的直径均为100nm，高度均为100nm，二十五个所述的圆柱形光子晶体的轴向均沿上下方向，二十五个所述的圆柱形光子晶体的上表面与所述的耦合区波导的上表面位于同一平面，第一个圆柱形光子晶体的中心轴线位于所述的耦合区波导的左端面的右侧以及所述的耦合区波导后端面的前侧，第一个圆柱形光子晶体的中心轴线与所述的耦合区波导的左端面之间的距离为0.3um，第一个圆柱形光子晶体的中心轴线与所述的耦合区波导的后端面之间的距离为0.225um，第二个圆柱形光子晶体位于第一个圆柱形光子晶体的右侧，第二个圆柱形光子晶体的中心轴与第一个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.3um，第三个圆柱形光子晶体位于第二个圆柱形光子晶体的右侧，第三个圆柱形光子晶体的中心轴与第二个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.3um，第四个圆柱形光子晶体位于第三个圆柱形光子晶体的右侧，第四个圆柱形光子晶体的中心轴与第三个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.3um，第五个圆柱形光子晶体位于第四个圆柱形光子晶体的右侧，第五个圆柱形光子晶体的中心轴与第四个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.3um，第六个圆柱形光子晶体位于第五个圆柱形光子晶体的右侧，第六个圆柱形光子晶体的中心轴与第五个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.3um，第七个圆柱形光子晶体位于第六个圆柱形光子晶体的右侧，第七个圆柱形光子晶体的中心轴与第六个圆柱形光子晶体的中心轴的距离为0.9um...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟伟，刘雨潇，汪鹏君，张波豪，姚润葵，李燕，戴庭舸，杨建义，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33