一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，包括U型框架、隔离芯片和用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的顶面通过DAF薄膜粘贴连接用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的底面通过DAF薄膜粘贴连接U型框架的最大横截面；利用栅氧化层的高击穿电压特性来实现超薄隔离芯片，实现高击穿电压的同时，压缩霍尔传感器芯片与导线之间的距离，降低霍尔传感器的灵敏度需求，提升线性度，温度特性和抗干扰特性；可以满足6000V RMS隔离电压的电流传感器封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构
本专利技术涉及一种集成电路封装结构，具体涉及一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构。
技术介绍
目前，单芯片的霍尔效应电流传感器其体积小，常见的有SOP8和SOW16两种封装，其成本相对传统的模块化传感器较低，因而被广泛的用于各类需要电流检测的领域，如光伏，变频器等市场。电流传感器芯片的内部一般有一条低阻抗导线，被测电流从该导线中流过时候，会产生磁场，利用霍尔传感器测量该磁场大小，就可以得到导线中的电流大小以及方向。这类传感器通常需要测量较高电压的电流，比如，家电中，需要测量220VRMS的电压，而空调则需要测量的母线电压高达380V。为了满足安规的要求，380V电压的电流测试需要达到4800VRMS。对芯片级电流传感器的封装技术带来了比较大的挑战。常用的绝缘材料有聚酰亚胺和石英陶瓷等材料。聚酰亚胺的击穿电压可以达到20万伏/毫米，但是将该采用用于芯片封装当中，存在硬度不够，无法与现有集成电路封装工艺兼容的问题。采用石英陶瓷片作为隔离器件的话，存在硬度高，难以减薄，切割困难等问题。如果采用较厚的石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，其特征在于，包括U型框架、隔离芯片和用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的顶面通过导电体粘接连接用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的底面通过导电体粘接连接U型框架的最大横截面；/n其中，所述隔离芯片的结构沿垂直轴线依次向下分为氮化硅层、SiO2薄膜层和硅衬底层，所述隔离芯片承受击穿电压1000V/um，所述硅衬底层包括硅衬底和晶圆，所述晶圆位于硅衬底的上面，所述硅衬底作为晶圆的载体；所述SiO2薄膜层承受高压电场。/n

【技术特征摘要】
1.一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，其特征在于，包括U型框架、隔离芯片和用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的顶面通过导电体粘接连接用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的底面通过导电体粘接连接U型框架的最大横截面；
其中，所述隔离芯片的结构沿垂直轴线依次向下分为氮化硅层、SiO2薄膜层和硅衬底层，所述隔离芯片承受击穿电压1000V/um，所述硅衬底层包括硅衬底和晶圆，所述晶圆位于硅衬底的上面，所述硅衬底作为晶圆的载体；所述SiO2薄膜层承受高压电场。


2.根据权利要求1所述的一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，其特征在于，所述用于探测磁信号的传感器芯片优选基于磁场检测原理的霍尔或者磁阻效应电流传感器。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠志，赵翔，彭卓，刘学，
申请(专利权)人：成都芯进电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51