【技术实现步骤摘要】
氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法
本专利技术属于单层过渡金属硫族化合物材料的制备领域，涉及一种氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法。
技术介绍
二维过渡金属硫族化合物，具有特殊的能带结构，在电子学、光电子学和谷电子学等诸多领域具有应用前景，引发了基础研究与工业应用领域的广泛关注。随着纳米科技的兴起与发展，化学气相沉积技术作为一种材料科学的合成方法，被广泛应用于制备低维纳米材料。化学气相沉积技术主要利用含有薄膜元素的气相化合物或单质，在基底表面发生化学反应生成薄膜，是目前获取大面积单层过渡金属硫族化合物MX2(MX2：M＝Mo、W；X＝S、Se、Te等)材料最有效的方法之一，合成得到的样品具有厚度均匀、连续性好、晶体质量佳等优点。以最早被制备出来的二硫化钼(MoS2)为例，化学气相沉积方法制备单层MoS2的技术路线可分为两条：一为“两步法”，首先将钼单质或其氧化物沉积到基底上，然后通过硫化作用，将其转化为MoS2；二为“一步法”，气态钼源与硫源直接通过化学反应，在基底上生成MoS2。2014年，XiLing等系统分...
【技术保护点】
1.氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，生长基底清洗：将生长基底依次放入丙酮、无水乙醇、水中超声清洗，得到洁净的生长基底；/n步骤2，生长基底预处理：氧等离子体轰击洁净的生长基底，活化基底表面，旋涂PTAS有机染料以辅助成核，自然晾干，得到旋涂PTAS的生长基底；/n步骤3，薄膜前驱体制备：将MoO
【技术特征摘要】
1.氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，生长基底清洗：将生长基底依次放入丙酮、无水乙醇、水中超声清洗，得到洁净的生长基底；
步骤2，生长基底预处理：氧等离子体轰击洁净的生长基底，活化基底表面，旋涂PTAS有机染料以辅助成核，自然晾干，得到旋涂PTAS的生长基底；
步骤3，薄膜前驱体制备：将MoO3粉末溶解在氨水中，制得10～50mg·mL-1的MoO3的NH4OH溶液，旋涂在基底上；
步骤4，薄膜前驱体退火：将旋涂完MoO3/NH4OH的基底，在200～350℃高温下进行退火，去除NH4OH，得到已退火的MoO3源基片；
步骤5，材料生长：以惰性气体Ar为载气，使用双温区管式炉，将硫粉置于气流上游，将已退火的MoO3源基片、旋涂PTAS的生长基底交替放置在气流下游，在40～60min内，将温区I与温区II由室温分别升至160℃和650～800℃，保持该温度环境5～10min，随后自然冷却至室温，整个生长过程在常压下进行，得到大面积单层二硫化钼。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述基底为SiO2/Si基片、钛酸锶基片、石英片、氟晶云母、蓝宝石基片、宽禁带半导体氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明岩，万逸，阚二军，赵益彬，姚佳敏，杨昀纬，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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