【技术实现步骤摘要】
一种高纯低放射性球形硅微粉及其制备方法
本专利技术属于硅微粉制备领域，特别是一种高纯低放射性球形硅微粉及其制备方法。
技术介绍
存储芯片等半导体器件中的封装材料压膜化合物、硅或引线焊凸中含有铀(U)、钍(Th)等放射性元素，它们会在衰变时会释放α射线在硅材料中行进并形成电子空穴对。这会在耗尽区中形成电场引发电荷漂移，使晶体管承受电流扰动，严重时形成软误差。研究表明，目前铀(U)元素是球形硅微粉中产生α射线最主要的因素。球形硅微粉作为芯片封装材料的重要组成部分，必须严格其铀(U)元素含量(≤1ppb)获得高纯低放射性球形硅微粉，才能满足大规模集成电路封装的需求从而应用在存储芯片中。但是，国内对高纯低放射性球形硅微粉的开发多处于实验室验证阶段还未有工业化生产的先例，例如国内专利CN101570332A通过以放射性元素U含量≤10-9g/g的硅源为原料，制备硅溶胶，然后对硅溶胶进行浓缩，通过焙烧和球形化得到高纯低放射性球形硅微粉。国内专利CN110015666A、CN104556076A等也有采用微乳液法等方法生产高纯低放射性球形...
【技术保护点】
1.一种高纯低放射性球形硅微粉，其特征在于：该球形硅微粉U元素含量≤1ppb，粒径为0.1-50μm，SiO
【技术特征摘要】
1.一种高纯低放射性球形硅微粉，其特征在于：该球形硅微粉U元素含量≤1ppb，粒径为0.1-50μm，SiO2含量≥99.9%，球形度≥0.90，Cl-≤2ppm，Na+≤2ppm。
2.一种如权利要求1所述的高纯低放射性球形硅微粉的制备方法，其特征在于：通过无污染后加工工艺生产高纯低放射性球形硅微粉，具体包括如下步骤：
（1）原料的获取：精选天然石英材料并利用破碎机进行破碎，再将其研磨为平均粒径在0.1-50μm可调的超细硅微粉，然后在酸性条件下使用吸附材料对超细硅微粉中的U元素进行提纯，获得超细硅微粉；
（2）火焰法制备：以天然气和氧气燃烧形成的火焰区为球化区，利用步骤（1）中不同粒径的超细硅微粉原料以及无污染球形化工序，制备获取产品A和产品B；
（3）将步骤（2）中产品A：产品B按质量比0.01-1：1，于气流混合机中高速混合，混合结束后即制备获取高纯低放射性球形硅微粉。
3.根据权利要求2所述的一种高纯低放射性球形硅微...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓冬，姜兵，曹家凯，胡世成，赵欢，刘雪，
申请(专利权)人：江苏联瑞新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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