一种晶圆加工用湿法清洗设备制造技术

技术编号:27915920 阅读:25 留言:0更新日期:2021-04-02 13:51
本发明专利技术公开了一种晶圆加工用湿法清洗设备,其结构设有撑台、液接箱、操控台、清洗箱、量调杆、清洗装置,液体冲压转球,液体冲流力与外接板的产生相互作用力,对液体有一定的缓冲作用,在外接板的作用下,液体容易被击拍而产生分股,而使液体顺着导块向散流腔中流入,在伸缩架与助力簧的伸缩和弹力作用下,弧摆块做铰接起伏摆动,对液体产生引流导向作用,使得液体能均匀分散流入散流腔中,瓣转块受冲流力不同而弧状摆动,对撑接杆产生一定的挤压力,使其推动着铰滑轮滑行,从而辅助瓣转块以上端点为固定铰轴点进行更大弧度的摇摆,继而驱动摆淋块进行循环摆向便于液体顺着摆淋块的倾斜引流而能对下方的晶圆表面有更大范围的清洗冲淋。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工用湿法清洗设备
本专利技术属于晶圆涂膜领域,更具体地说,尤其是涉及到一种晶圆加工用湿法清洗设备。
技术介绍
晶圆是由硅加以加工后所制作出的半导体集成电路载体,其可加工制作成各种电路元件结构,加工时,随着其尺寸特征不断精细,使得空气中的污染颗粒物对加工后的晶圆洁净度影响增大,尘粒、金属污染物等很容易造成晶圆内电路功能的损坏,通常用到清洗设备对其进行湿法清洗。基于上述本专利技术人发现,现有的晶圆加工用湿法清洗设备存在以下不足:湿法清洗通常采用液体化学剂,通过喷淋的方法,蚀刻、溶解晶圆表面的污染物,由于清洗设备为了避免湿法清洗晶圆过程中的交叉污染,通常只设有一个清洗喷淋头,当在对大直径晶圆清洗过程中,会因为喷淋径宽小于晶圆直径而不容易快速均匀对晶圆进行喷淋清洗,造成被洗下来的污染物在冲淋下来的液体作用下,沉积在晶圆其他位置,而增加清洗难度。因此需要提出一种晶圆加工用湿法清洗设备。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本专利技术目的是提供一种晶圆加工用湿法清洗设备,以解决现有技术的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆加工用湿法清洗设备,其结构设有撑台(1)、液接箱(2)、操控台(3)、清洗箱(4)、量调杆(5)、清洗装置(6),所述液接箱(2)设在撑台(1)的内侧位置,所述操控台(3)安装在清洗箱(4)旁侧位置,所述清洗箱(4)嵌固安装在撑台(1)的顶面端,所述量调杆(5)位于清洗箱(4)外侧后端位置,所述清洗装置(6)与量调杆(5)相连接且且活动配合,所述清洗装置(6)活动于清洗箱(4)内部上方位置,其特征在于:/n所述清洗装置(6)设有管道(61)、后管腔(62)、衔接端(63)、方摆头(64)、冲流管道(65)、喷淋头(66),所述后管腔(62)贯通连接在管道(61)的后端位置,所述衔接...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工用湿法清洗设备,其结构设有撑台(1)、液接箱(2)、操控台(3)、清洗箱(4)、量调杆(5)、清洗装置(6),所述液接箱(2)设在撑台(1)的内侧位置,所述操控台(3)安装在清洗箱(4)旁侧位置,所述清洗箱(4)嵌固安装在撑台(1)的顶面端,所述量调杆(5)位于清洗箱(4)外侧后端位置,所述清洗装置(6)与量调杆(5)相连接且且活动配合,所述清洗装置(6)活动于清洗箱(4)内部上方位置,其特征在于:
所述清洗装置(6)设有管道(61)、后管腔(62)、衔接端(63)、方摆头(64)、冲流管道(65)、喷淋头(66),所述后管腔(62)贯通连接在管道(61)的后端位置,所述衔接端(63)贯通于管道(61)偏后段位置处,所述方摆头(64)活动连接于管道(61)的前端位置,所述冲流管道(65)设在方摆头(64)下方,所述喷淋头(66)与冲流管道(65)相贯通。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆加工用湿法清洗设备,其特征在于:所述喷淋头(66)设有外框(661)、通流口(662)、散流腔(663)、底淋区(664)、侧通板(665)、铰摆体(666),所述通流口(662)与外框(661)为一体化结构且贯通设在其中间端位置,所述散流腔(663)与通流口(662)相贯通且设在其下方,所述底淋区(664)位于喷淋头(66)的底部位置,所述侧通板(665)内嵌于散流腔(663)中,所述铰摆体(666)铰接连接于侧通板(665)。


3.根据权利要求2所述的一种晶圆加工用湿法清洗设备,其特征在于:所述铰摆体(666)设有中接杆(q1)、转球(q2)、导块(q3),所述转球(q2)活动连接在中接杆(q1)的前端位置,所述导块(q3)嵌固连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵震
申请(专利权)人:临漳县澳皇网络科技有限公司
类型:发明
国别省市:河北;13

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1