超低电压次带隙电压参考产生器制造技术

本发明专利技术涉及一种低电压次带隙参考电路。在一实施例中，低电压次带隙参考电路包含一差动放大器以及基极及集极耦合至一电接地的一第一双极晶体管。参考电路还包括一第二双极晶体管，其具有耦合至电接地的基极及集极。参考电路还包括一ＤＣ偏压电路，供应一预定电压输出于高及低电压端之间，高电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两集极，而低电压端耦合至第一及第二双极晶体管的两基极。

Ultra low voltage sub band gap voltage reference generator

The invention relates to a low voltage sub band gap reference circuit. In one embodiment, the low voltage sub band reference circuit includes a differential amplifier and a first bipolar transistor coupled to the base and collector. The reference circuit also includes a second bipolar transistor having a base and collector coupled to an electrical ground. The reference circuit also includes a DC bias circuit supplies a predetermined voltage output between a high and low voltage terminal, two sets of extremely high voltage terminal coupled to the first and two bipolar transistors, and the low voltage terminal coupled to the first and two bipolar transistor base two.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及一种集成电路(IC),特别是，涉及一种次带隙参考电压产生器。
技术介绍
可携式装置的需求增加以及技术尺寸缩小，使得数字电路的供应电压下降。电压参考产生器为许多集成电路(ICs)的主要标准单元 中的一个。可在IV供应电压以上操作的带隙参考产生器广泛地用 于DRAM或闪存中。带隙电压参考必须至少在本质上为4青确，且 对温度、电源供应及负载变化不每文感。带隙电^各的原理主要为两群以二极管方式连接的双极接面晶 体管(BJT)在不同的射极电流密度下运作。通过以包含一群晶体管的 PTAT(正比于绝对温度)电路的正温度相依性，而消除另一群晶体管 中PN接面的负温度相依性，可产生不随温度改变的一固定的DC 电压输出(Vref)。此电压一般为1.26伏特，约为石圭的带隙。此解决方案的早期尝试为使用传统双极技术的传统带隙参考 电路，以产生如前述约1.2伏特的稳定低参考电压。然而，由于IC 设计目前以低功率及低电压目标为主流，最近的IC设计一般需要 在低于1伏特的范围下操作。虽然某些传统的带隙参考电路可在些 微低于1伏特的电压下操作，但大部分已知的传统带隙参考电路并 不适合在4氐于0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压产生电路，包含：　第一双极晶体管，具有顺向偏压的射极－基极ＰＮ接面二极管；以及　ＤＣ偏压电路，供应预定电压输出于高电压端及低电压端之间，所述高电压端及低电压端分别耦合至所述第一双极晶体管的集极及基极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢祯辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]