用于聚焦离子束制样的样品台和具有其的制样设备制造技术

该实用新型专利技术公开了一种用于聚焦离子束制样的样品台和具有其的制样设备，用于聚焦离子束制样的样品台包括：承载支架，承载支架适于承载第一尺寸晶圆；承载台，承载台设在承载支架上且适于承载第二尺寸晶圆，其中，第一尺寸晶圆大于第二尺寸晶圆，承载台用于承载第二尺寸晶圆的承载面不超出承载支架用于承载第一尺寸晶圆的承载面，且在承载支架的厚度方向上，承载用于承载第二尺寸晶圆的承载面不低于承载支架用于承载第一尺寸晶圆的承载面。由此根据本实用新型专利技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台，能够适用于不同尺寸大小的半导体晶圆样品进行制样，适用范围更广，成本低且也无需做其它额外的评估。

【技术实现步骤摘要】
用于聚焦离子束制样的样品台和具有其的制样设备
本技术涉及半导体
，具体涉及一种用于聚焦离子束制样的样品台和具有其的聚焦离子束制样设备。
技术介绍
对于现有技术的制样机台FIB(聚焦离子束显微镜)来讲，能够用于芯片的电路修补、断面切割、透镜样品制备等，在进行制样时，一般按照样品的大小可分为大FIB和小FIB，大FIB主要适用于对大体完整的半导体晶圆进行制样，而小FIB主要针对已经破片的半导体晶圆进行制样。由于机台设计上的不一样，主要是由于大FIB在对晶圆进行传输、转移、锁定等过程中由于存在机械运动，机械臂抓取，传感器感应等原因，必须使用镂空的平台，导致二者不能通用，针对不同大小的半导体晶圆进行制样时须根据半导体晶圆的大小选择不同的机台，成本过高且适用范围小。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于聚焦离子束制样的样品台，能够适用于不同大小的半导体晶圆，适用范围广。根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台，包括：承载支架，所述承载支架适于承载第一尺寸晶圆；承载台，所述承载台设在所述承载支架上且适于承载第二尺寸晶圆，其中，所述第一尺寸晶圆大于所述第二尺寸晶圆，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不超出所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面，且在所述承载支架的厚度方向上，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不低于所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面。由此根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台，通过承载支架承载大尺寸的第一尺寸晶圆，通过承载台能够承载小尺寸的第二尺寸晶圆，这样在进行制样，大尺寸的第一尺寸晶圆例如完整晶圆可放置在承载支架上进行观察制样，小尺寸的第二尺寸晶圆例如晶圆碎片可放置在承载台上进行观察制样，这样，本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台能够适用于不同尺寸大小的半导体晶圆样品进行制样，从而提高用于聚焦离子束制样的样品台的实用性，使得用于聚焦离子束制样的样品台的使用范围更广，而且不需要根据不同大小的半导体晶圆而选择采用不同的聚焦离子束制样设备，不同大小的半导体晶圆可在同一个聚焦离子束制样设备上进行制样，且可不需要设置对机台进行较大的改变，能够降低成本，也无需做其它额外的评估。而且承载台设在承载支架上且不超出承载支架的承载面，这样，用于聚焦离子束制样的样品台置于聚焦离子束制样设备上时，用于聚焦离子束制样的样品台不影响聚焦离子束制样设备的机械手臂和托盘的移动以及用于聚焦离子束制样的样品台感应。根据本技术的一些实施例，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面与所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面平齐。根据本技术的一些实施例，所述承载台由导电材料制成。可选地，所述承载台为铝板。根据本技术的一些实施例，所述用于聚焦离子束制样的样品台还包括导电固定件，所述承载台通过所述导电固定件与所述承载支架连接。可选地，所述导电固定件为金属卡扣和/或金属螺钉。根据本技术的一些实施例，所述承载台适于与所述第二尺寸晶圆通过导电胶带连接。根据本技术的一些实施例，所述承载台设在所述承载支架的中心位置处。根据本技术的一些实施例，所述承载支架的边缘处设有用于固定所述第一尺寸晶圆的卡接部。可选地，所述卡接部为多个且沿所述承载支架的周向隔开设置。根据本技术的一些实施例，所述承载台嵌设在所述承载支架内。可选地，所述承载支架上形成有顶部敞开的凹槽，所述承载台设在所述凹槽内且与所述承载支架固定连接。本技术还提出了一种聚焦离子束制样设备。根据本技术实施例的聚焦离子束制样设备包括上述实施例的所述的用于聚焦离子束制样的样品台。根据本技术实施例的聚焦离子束制样设备通过设置上述实施例的用于聚焦离子束制样的样片，从而能够对不同大小的半导体晶圆样品进行制样，使用范围更广，而且不需要对制样机台进行较大的改变，也能够减少成本。附图说明图1是根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台的结构示意图；图2是根据本技术一个实施例的用于聚焦离子束制样的样品台的侧面结构示意图；图3是根据本技术另一个实施例的用于聚焦离子束制样的样品台的侧面结构示意图；图4是根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台承载第一尺寸晶圆时的示意图；图5是根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台承载第二尺寸晶圆时的示意图；图6是根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台的承载台以及第一尺寸晶圆的结构示意图；图7是根据本专利技术又一个实施例的用于聚焦离子束制样的样品台的侧面结构示意图。附图标记：100：用于聚焦离子束制样的样品台；1：承载支架，11：卡接部，12：第一承载面；2：承载台，21：第二承载面，22：导电胶带；3：第一尺寸晶圆；4：第二尺寸晶圆。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种用于聚焦离子束制样的样品台100作进一步详细说明。下面参见附图描述根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台100。所述用于聚焦离子束制样的样品台100可用于承载半导体晶圆样品以用于进行制样或样品分析，例如本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台100的可用于聚焦离子束显微镜机台上以用于对半导体晶圆进行制样。如图1所示，根据本技术实施例的用于聚焦离子束制样的样品台100包括承载支架1和承载台2。具体地，如图4所示，承载支架1可适于承载第一尺寸晶圆3；结合图5-图6所示，承载台2设在承载支架1上且可适于承载第二尺寸晶圆4，其中，第一尺寸晶圆3大于第二尺寸晶圆4，承载台2用于承载第二尺寸晶圆4的承载面(即如图2和图3所示的第二承载面21)不超出承载支架1用于承载第一尺寸晶圆3的承载面(即如图2和图3所示的第一承载面12)，且在承载支架1的厚度方向上，承载台2用于承载第二尺寸晶圆4的承载面不低于承载支架1用于承载第一尺寸晶圆3的承载面。也就是说，第一尺寸晶圆3的尺寸大于第二尺寸晶圆4的尺寸，对于第一尺寸晶圆3和第二尺寸晶圆4而言，第一尺寸晶圆3可以为完整晶圆，或者第一尺寸晶圆可以为大体完整晶圆。第二尺寸晶圆4可以为碎片晶圆，例如，第二尺寸晶圆4可以为裸粒或者为小尺寸的晶圆碎片。承载支架1用于承载大尺寸的第一尺寸晶圆3，承载台2用于承载小尺寸的第二尺寸晶圆4。承载台2设在承载支架1上，如图2-图3所示，承载台2具有用于承载第二尺寸晶圆4的第二承载面21，所述承载支架1具有用于承载第一尺寸晶圆3的第一承载面12，第二承载面21的尺寸小于第一承载面12。这样，在水平方向上第二尺寸晶圆4的承载面位置为第一尺寸晶圆3的局部位置，从而不影响第一尺寸晶圆3的承载面以及承载支架1的原有的机械运动，例如不影响第一尺寸晶圆3传输、转移以及锁定等，也不影响机械手臂的抓取等。结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，包括：/n承载支架，所述承载支架适于承载第一尺寸晶圆；/n承载台，所述承载台设在所述承载支架上且适于承载第二尺寸晶圆，其中，所述第一尺寸晶圆大于所述第二尺寸晶圆，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不超出所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面，且在所述承载支架的厚度方向上，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不低于所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，包括：
承载支架，所述承载支架适于承载第一尺寸晶圆；
承载台，所述承载台设在所述承载支架上且适于承载第二尺寸晶圆，其中，所述第一尺寸晶圆大于所述第二尺寸晶圆，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不超出所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面，且在所述承载支架的厚度方向上，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面不低于所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面。


2.根据权利要求1所述的用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，所述承载台用于承载所述第二尺寸晶圆的承载面与所述承载支架用于承载所述第一尺寸晶圆的承载面平齐。


3.根据权利要求1所述的用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，所述承载台由导电材料制成。


4.根据权利要求3所述的用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，所述承载台为铝板。


5.根据权利要求1所述的用于聚焦离子束制样的样品台，其特征在于，还包括导电固定件，所述承载台通过所述导电固定件与所述承载支架连接。


6.根据权利要求5所述的用于聚焦...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹锭，宋世涛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42