MEMS热式流量传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种MEMS热式流量传感器，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及第二表面；热敏层，设置在所述半导体衬底的第一表面，所述热敏层包括依次设置的第一介质层、图案化的热敏电阻层及第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层的厚度相同，且所述第一介质层与所述第二介质层的形成方法及材料均相同；保护层，覆盖所述热敏层；导电连接件，贯穿所述保护层及第二介质层，并与所述热敏电阻层的焊盘电连接；热隔离腔，自所述半导体衬底的第二表面向所述第一表面延伸。本实用新型专利技术优点是工艺简单、成本低、可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
MEMS热式流量传感器
本技术涉及MEMS微机械系统领域，尤其涉及一种MEMS热式流量传感器。
技术介绍
流量测量在工业、医疗、汽车等领域有着广泛的应用。流量传感器种类繁多，其中MEMS流量传感器是基于热传导原理的热式流量测量，其因测量过程中无需进行温度和压力补偿而具有广泛的应用。MEMS热式流量传感器有两种典型的结构，一种结构是正面刻蚀硅基底形成隔热腔体的悬臂梁结构，这种结构制作工艺简单，结构稳定，灵敏度高，但因传感器结构表面容易被污染而只能应用于干净气体流量测量；另一种结构是硅衬底背面刻蚀形成热隔离腔体的悬空薄膜结构，这种悬空薄膜传感器结构相对悬臂梁结构耐污染性更好，应用范围更广泛，但制作工艺相对复杂，如果传感器结构层薄膜应力控制不好，传感器的稳定性和可靠性难以保证，传感器性能不稳定，而且悬空薄膜容易破裂，进一步影响传感器的可靠性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种MEMS热式流量传感器，其能够具有工艺简单、成本低、可靠性高的优点。为了解决上述技术问题，本技术提供一种MEMS热式流量传感器，其包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS热式流量传感器，其特征在于，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及第二表面；/n热敏层，设置在所述半导体衬底的第一表面，所述热敏层包括依次设置的第一介质层、图案化的热敏电阻层及第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层的厚度相同，且所述第一介质层与所述第二介质层的形成方法及材料均相同；/n保护层，覆盖所述热敏层；/n导电连接件，贯穿所述保护层及第二介质层，并与所述热敏电阻层的焊盘电连接；/n热隔离腔，自所述半导体衬底的第二表面向所述第一表面延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS热式流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及第二表面；
热敏层，设置在所述半导体衬底的第一表面，所述热敏层包括依次设置的第一介质层、图案化的热敏电阻层及第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层的厚度相同，且所述第一介质层与所述第二介质层的形成方法及材料均相同；
保护层，覆盖所述热敏层；
导电连接件，贯穿所述保护层及第二介质层，并与所述热敏电阻层的焊盘电连接；
热隔离腔，自所述半导体衬底的第二表面向所述第一表面延伸。


2.根据权利要求1所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于，还包括支撑层，所述支撑层设置在所述半导体衬底与所述热敏层之间。


3.根据权利要求2所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于，所述热隔离腔贯穿所述半导体衬底，并暴露出所述支撑层。


4.根据权利要求2所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于，所述支撑层、热敏层及保护层的总厚度的范围是50～300nm。


5.根据权利要求2所述的MEMS热式流量传感器，其特征在于，所述支撑层为二氧化硅层或氮化硅层或二氧化硅层与氮化硅层的复合层...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖素艳，胡维，张永强，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32