一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路制造技术

本发明专利技术涉及芯片保护电路技术领域，特别涉及一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，包括连接器接口电路模块、芯片，恒供电电源VCC1与VCC2、非恒供电电源VCC3、NMOS管Q1、三极管Q2、二极管D1与D2、以及稳压二极管D5。本发明专利技术的提出解决了现有的和连接器接口电路直接连接的芯片，通常设置有稳压二极管进行钳压保护，导致的当产品处于待机状态时，芯片没有电源供电，如果接口电路输入的电压过高，该电压输入到该芯片引脚会导致芯片内部工作异常，也可能导致输入的较高电压窜入芯片的相关输出引脚，使相关输出引脚输出高电平信号，引起产品异常唤醒或其他故障的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路
本专利技术涉及芯片保护电路
，特别涉及一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路。
技术介绍
现有的芯片电路中，对于直接和连接器接口电路连接的芯片，为了防止接口电路输入的电路过高而损坏芯片引脚，通常在芯片引脚输入端增加一个稳压二极管进行钳压保护。但采用该方式会导致当产品处于待机状态时，芯片没有电源供电，如果接口电路输入的电压过高，该电压通过稳压二极管稳压后还是一个较高的电压，该电压输入到该芯片引脚，又由于芯片没有电源供电，会导致芯片内部工作异常，也可能导致输入的较高电压窜入芯片的相关输出引脚，使相关输出引脚输出高电平信号，引起产品异常唤醒或其他故障。因此，一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路应运而生。
技术实现思路
本专利技术的
技术实现思路
在于提供一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，主要解决了现有的和连接器接口电路直接连接的芯片，通常设置有稳压二极管进行钳压保护，导致的当产品处于待机状态时，芯片没有电源供电，如果接口电路输入的电压过高，该电压输入到该芯片引脚会导致芯片内部工作异常，也可能导致输入的较高电压窜入芯片的相关输出引脚，使相关输出引脚输出高电平信号，引起产品异常唤醒或其他故障的问题。本专利技术提出了一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，包括连接器接口电路模块、芯片，恒供电电源VCC1与VCC2、非恒供电电源VCC3、NMOS管Q1、三极管Q2、二极管D1与D2、以及稳压二极管D5；所述连接器接口电路模块输入输出端口连接所述芯片的输入输出端口，且并联接有串联的所述二极管D1与D2；所述二极管D1的阳极接地，阴极与所述二极管D2的阳极连接所述连接器接口电路模块输入输出端口和所述芯片的输入输出端口，所述二极管D2的阴极与所述恒供电电源VCC1以及稳压二极管D5的阴极并联接入所述NMOS管Q1的漏极；所述NMOS管Q1的栅极连接所述恒供电电源VCC2，源极接地；所述三极管Q2的基极连接所述非恒供电电源VCC3，集电极并联接入所述NMOS管Q1的栅极，发射极接地。优选地，还包括设置于所述三极管Q2的基极与非恒供电电源VCC3的第一滤波电路。优选地，所述第一滤波电路包括电阻R3，以及并联设置的电阻R4与电容C5。优选地，还包括设置于所述恒供电电源VCC2与NMOS管Q1的栅极之间的电阻R2，以及并联设置于所述电阻R2与NMOS管Q1的栅极之间的电容C3。优选地，还包括与所述稳压二极管D5并联设置的电容C4。优选地，所述连接器接口电路模块形成有至少一个的所述输入输出端口，所述芯片上形成有至少一个的所述输入输出端口，且所述连接器接口电路模块的上的任一所述输入输出端口均连接有对应的所述芯片的输入输出端口。优选地，所述连接器接口电路模块的第一输入输出端口与所述芯片的第一输入输出端口间并联有所述二极管D1与D2；所述连接器接口电路模块的第二输入输出端口与所述芯片的第二输入输出端口间并联有二极管D3与D4。由上可知，应用本专利技术提供的技术方案可以得到以下有益效果：本专利技术提出的保护电路避免了产品待机时芯片引脚过压而引起产品异常的问题，解决了产品开机后芯片引脚承受过压而引起产品异常的问题，且本专利技术的保护电路所用的元件较少，可靠性高，成本较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中保护电路的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有的和连接器接口电路直接连接的芯片，通常设置有稳压二极管进行钳压保护，导致的当产品处于待机状态时，芯片没有电源供电，如果接口电路输入的电压过高，该电压输入到该芯片引脚会导致芯片内部工作异常，也可能导致输入的较高电压窜入芯片的相关输出引脚，使相关输出引脚输出高电平信号，引起产品异常唤醒或其他故障的问题。应强调的是，本实施例不仅仅应用于仪器仪表领域。如图1所示，为了解决上述问题，本实施例提出了一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，其主要包括连接器接口电路模块10、芯片20、恒供电电源VCC1与VCC2、非恒供电电源VCC3、NMOS管Q1、三极管Q2、二极管D1与D2以及稳压二极管D5；其中连接器接口电路模块10的输入输出端口连接芯片20的输入输出端口，且并联接有串联的二极管D1与D2；二极管D1的阳极接地，阴极与二极管D2的阳极连接连接器接口电路模块10的输入输出端口与芯片20的输入输出端口；二极管D的阴极与恒供电电源VCC1以及稳压二极管D5的阴极并联接入NMOS管Q1的漏极；NMOS管Q1的栅极连接恒供电电源VCC2，源极接地；三极管Q2的基极连接非恒供电电源VCC3，集电极并联接入NMOS管Q1的栅极，发射极接地。优选但不限定的是，本实施例中非恒供电电源VCC3模拟待机过程与开机后的电平变化，也即待机过程中VCC3为低电平，在开机后VCC3为高电平。优选但不限定的是，本实施例中串联的二极管D1与D2可采用双二极管替代。优选但不限定的是，本实施例中连接器接口电路模块10上存在有多个输入输出端口，芯片20上同样存在有多个输入输出端口，因此任一连接器接口电路的输入输出端口应连接有任一芯片20的输入输出端口，且一一对应，任一连接线路均并联有双二极管，如图1所示连接器接口电路模块10的第一输入输出端口与芯片20的第一输入输出端口并联有二极管D1与D2，而连接器接口电路模块10的第二输入输出端口与芯片20的第二输入输出端口并联有二极管D3与D4，以此类推。优选但不限定的是，本实施例中NMOS管Q1与三极管Q2，均可以用三极管或者NMOS管、结型场效应管或电子管等具有开关功能的电子元件代替。更具体地，还包括设置于三极管Q2的基极与非恒供电电源VCC3的第一滤波电路。第一滤波电路包括电阻R3，以及并联设置的电阻R4与电容C5。更具体地，还包括设置于恒供电电源VCC2与NMOS管Q1的栅极之间的电阻R2，以及并联设置于电阻R2与NMOS管Q1的栅极之间的电容C3。优选但不限定的是，本实施例中三极管Q2、电阻R2、电阻R3、电阻R4与电容C5构成开关电路，且该开关电路可由集成电路或其他形式的开关电路代替。优选但不限定的是，本实施例中NNMOS管Q1、电阻R1、电阻R2与电容C3组成开关电路，且该开关电路可以由集成电路或其他形式的开关电路代替。更具体地，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，其特征在于：包括连接器接口电路模块、芯片，恒供电电源VCC1与VCC2、非恒供电电源VCC3、NMOS管Q1、三极管Q2、二极管D1与D2、以及稳压二极管D5；所述连接器接口电路模块输入输出端口连接所述芯片的输入输出端口，且并联接有串联的所述二极管D1与D2；所述二极管D1的阳极接地，阴极与所述二极管D2的阳极连接所述连接器接口电路模块输入输出端口和所述芯片的输入输出端口，所述二极管D2的阴极与所述恒供电电源VCC1以及稳压二极管D5的阴极并联接入所述NMOS管Q1的漏极；所述NMOS管Q1的栅极连接所述恒供电电源VCC2，源极接地；所述三极管Q2的基极连接所述非恒供电电源VCC3，集电极并联接入所述NMOS管Q1的栅极，发射极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，其特征在于：包括连接器接口电路模块、芯片，恒供电电源VCC1与VCC2、非恒供电电源VCC3、NMOS管Q1、三极管Q2、二极管D1与D2、以及稳压二极管D5；所述连接器接口电路模块输入输出端口连接所述芯片的输入输出端口，且并联接有串联的所述二极管D1与D2；所述二极管D1的阳极接地，阴极与所述二极管D2的阳极连接所述连接器接口电路模块输入输出端口和所述芯片的输入输出端口，所述二极管D2的阴极与所述恒供电电源VCC1以及稳压二极管D5的阴极并联接入所述NMOS管Q1的漏极；所述NMOS管Q1的栅极连接所述恒供电电源VCC2，源极接地；所述三极管Q2的基极连接所述非恒供电电源VCC3，集电极并联接入所述NMOS管Q1的栅极，发射极接地。


2.根据权利要求1所述的一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，其特征在于：还包括设置于所述三极管Q2的基极与非恒供电电源VCC3的第一滤波电路。


3.根据权利要求2所述的一种防止待机过程和开机后芯片引脚过压的保护电路，其特征在于：所述第一滤波电路包括电阻R3，以及并联设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶才学，
申请(专利权)人：惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44