【技术实现步骤摘要】
一种标记及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种标记及其制作方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，半导体器件的结构越来越复杂，在集成电路中所包含的器件数量也在逐步增加。随着集成度的不断提高，为了避免器件尺寸的进一步扩大，半导体器件在垂直方向上设置的功能层数量也在不断增加。因此每一层光刻工艺制程之间的对准精度变得极为重要，如果相邻层之间发生位置偏移，将会严重影响器件的连接，导致连线短路、失效率增加等问题。随之工艺尺寸的不断微缩，单层图案的制作可能需要使用到多张光罩，如在三次相邻光刻工艺制程的每层光罩中，分别设置对准图形，经过前两次光刻工艺制程在晶圆上共同构成对准标记，在第三次光刻工艺制程时对准这一标记。但是，如果前两层光罩在曝光时存在一定的位置偏差，使对准标记的形状和尺寸发生变化，严重时会导致光刻机的对准系统不能识别对准标记，第三层光罩无法有效地对准。同理，量测图形也存在相似问题，因此，为了准确进行具有多层光罩的相邻层之间的对准和量测，亟需提供一种新的对准标记和量测标记及其制作方法。专...
【技术保护点】
1.一种标记图形的制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一版图图形；/n提供第二版图图形，所述第二版图图形的整体尺寸不等于所述第一版图图形的整体尺寸；/n利用所述第一版图图形和所述第二版图图形制作组合图形，所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较大者完全覆盖另一方，所述组合图形的整体边界轮廓和整体尺寸与所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较小者均相同。/n
【技术特征摘要】
1.一种标记图形的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一版图图形；
提供第二版图图形，所述第二版图图形的整体尺寸不等于所述第一版图图形的整体尺寸；
利用所述第一版图图形和所述第二版图图形制作组合图形，所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较大者完全覆盖另一方，所述组合图形的整体边界轮廓和整体尺寸与所述第一版图图形和所述第二版图图形中整体尺寸较小者均相同。
2.根据权利要求1所述标记图形的制作方法，其特征在于，
所述组合图形包括对准标记图形或量测标记图形。
3.根据权利要求2所述标记图形的制作方法，其特征在于，所述第一版图图形和/或第二版图图形的整体外形轮廓为矩形。
4.根据权利要求1所述标记图形的制作方法，其特征在于，
所述第一版图图形包括多个第一版图子图形；
所述第二版图图形包括多个第二版图子图形。
5.根据权利要求4所述标记图形的制作方法，其特征在于，
所述第一版图图形包括平行、等距设置的多个直线型的第一版图子图形，所述第一版图子图形沿第一方向延伸；
所述第二版图图形包括平行、等距设置的多个直线型的第二版图子图形，所述第二版图子图形沿第二方向延伸，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：范聪聪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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