发光材料、制备其的方法、和包括其的发光器件技术

技术编号:27867187 阅读:42 留言:0更新日期:2021-03-31 00:01
发光材料、制备其的方法、和包括其的发光器件,所述发光材料由式1表示,在式1中的A

【技术实现步骤摘要】
发光材料、制备其的方法、和包括其的发光器件对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2019年9月27日提交的韩国专利申请No.10-2019-0119820的优先权、以及由其产生的所有权益,将其全部内容通过引用引入本文中。
本公开内容涉及发光材料、制造其的方法、和包括其的发光器件。
技术介绍
发光器件是具有将电能转换成光能的能力的器件。根据实例,发光器件包括阳极、阴极、以及介于阳极和阴极之间的发射层。另外,空穴传输区域可设置在阳极和发射层之间,以及电子传输区域可设置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,和从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态以由此产生光。
技术实现思路
提供新的发光材料、制备其的方法、使用其的发光器件。具体地,提供新的不含铅的发光材料、制备其的方法、使用其的发光器件。另外的方面将部分地在随后的描述中阐明,且部分地将由所述描述明晰,或者可通过所提供的实施方式的实践而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.由式1表示的发光材料:/n式1/n[A

【技术特征摘要】
20190927 KR 10-2019-01198201.由式1表示的发光材料:
式1
[A1nA23][B2][X1mX25]
其中,在式1中,
A1和A2各自独立地为至少一种碱金属,
B为Cu、Ag或Au的至少一种,
X1和X2各自独立地为至少一种卤素;
n为满足0<n<1.5的实数;和
m为满足0<m<1.5的实数。


2.如权利要求1所述的发光材料,其中A1为Li、Na、K、Cs或Rb的至少一种,且A2为Cs。


3.如权利要求1所述的发光材料,其中A1为Na、K、Cs或Rb的至少一种,且A2为Cs。


4.如权利要求1所述的发光材料,其中B为Cu。


5.如权利要求1所述的发光材料,其中X1和X2彼此相同。


6.如权利要求1所述的发光材料,其中X1和X2两者都为I。


7.如权利要求1所述的发光材料,其中
n为满足0<n≤0.6的实数,和
m为满足0<m≤0.6的实数。


8.如权利要求1所述的发光材料,其中所述发光材料由式1-1表示:
式1-1
[A1nCs3][Cu2][X1mI5]
其中,在式1-1中,
A1、X1、n和m分别与式1中相同。


9.如权利要求1所述的发光材料,其中所述发光材料为由式1A表示的第一化合物和由式1B表示的第二化合物的混合物:
式1A
[A23][B2][X25]
式1B
A1X1
其中,在式1A和1B中,
A1、A2、B、X1和X2分别与式1中相同。


10.如权利要求9所述的发光材料,其中所述第一化合物对所述第二化合物的摩尔比为1:n或1:m。


11.如权利要求9所述的发光材料,其中
所述第一化合物为Cs3CuI5,和
所述第二化合物选自NaI、KI、CsI和RbI。

【专利技术属性】
技术研发人员:李龙柱金勇哲
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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