微发光二极管检测器件、装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微发光二极管检测器件、装置及制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的直接对微发光二极管进行巨量转移并绑定，容易由于微发光二极管的损坏，影响显示面板的制作良率的问题。本发明专利技术的微发光二极管检测器件，包括：衬底、和贯穿衬底的第一通孔和第二通孔；衬底包括相对设置的第一面和第二面；第一通孔和第二通孔与待测的微发光二极管的第一极和第二极分别对应设置；还包括：位于衬底的第一面上的第一检测部和第二检测部。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管检测器件、装置及制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种微发光二极管检测器件、装置及制备方法。
技术介绍
微发光二极管(microlightemittingdiode，MicroLED)显示技术是将现有的发光二极管(lightemittingdiode，LED)的尺寸微缩至100微米(μm)以下，其尺寸可以为现有的LED尺寸的1％，可以通过巨量转移技术，将微米级的MicroLED芯片转移并绑定到驱动衬底上，从而形成各种不同尺寸MicroLED显示面板。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术中一般直接将供应商提供的MicroLED芯片进行巨量转移并绑定到驱动衬底上，并不对其进行检测与筛选。在巨量转移过程中，由于压力、对位等控制的偏差，容易造成少量的MicroLED芯片的损坏，从而影响MicroLED显示面板的制作良率，以致影响MicroLED显示面板的显示效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种微发光二极管检测器件、装置及制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种微发光二极管检测器件，包括：衬底、和贯穿所述衬底的第一通孔和第二通孔；所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；所述第一通孔和所述第二通孔与待测的所述微发光二极管的第一极和第二极分别对应设置；还包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一检测部和第二检测部；所述第一检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一电极、位于所述第一电极和所述第一过孔之间的第二电极、和与所述第一电极固定连接的第三电极；所述第三电极包括：第一固定部、第一悬梁部和第一活动部；所述第一悬梁部的一端通过所述第一固定部与所述第一电极固定连接，另一端通过所述第一活动部悬置于所述第一通孔中；所述第一悬梁部与所述第二电极之间具有第一预设距离；所述第二检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第四电极、位于所述第四电极和所述第二过孔之间的第五电极、和与所述第四电极固定连接的第六电极；所述第六电极包括：第二固定部、第二悬梁部和第二活动部；所述第二悬梁部的一端通过所述第二固定部与所述第四电极固定连接，另一端通过所述第二活动部悬置于所述第二通孔中；所述第二悬梁部与所述第五电极之间具有第二预设距离。可选地，该微发光二极管检测器件还包括：位于所述第一电极远离所述第二电极一端的第一固定电极、位于所述第四电极远离所述第五电极一端的第二固定电极、位于所述第一通孔和第二通孔之间的第三固定电极、和至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极连接的保护壳；所述保护壳的连接端至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极键合连接。可选地，所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极同层设置。可选地，所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极的材料包括：铝；所述保护壳的连接端的材料包括：锗。可选地，该微发光二极管检测器件还包括：位于所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极上的平坦层、和位于所述衬底的所述第二面上的缓冲层；所述第一通孔贯穿所述平坦层和所述缓冲层；所述第二通孔贯穿所述平坦层和所述缓冲层。可选地，所述缓冲层的厚度小于所述第一预设距离、及小于所述第二预设距离。可选地，所述第三电极的所述第一固定部、所述第一悬梁部和所述第一活动部的材料包括：银或铜；所述第六电极的所述第二固定部、所述第二悬梁部和所述第二活动部的材料包括：银或铜。可选地，所述衬底包括玻璃回流衬底。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种微发光二极管检测装置，包括如上述提供的微发光二极管检测器件。可选地，所述微发光二极管检测器件的数量为多个，且与所述微发光二极管一一对应。可选地，多个所述微发光二极管检测器件呈阵列分布。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种微发光二极管检测器件的制备方法，包括：在衬底上形成贯穿所述衬底的第一通孔和第二通孔；所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；所述第一通孔和所述第二通孔与待测的所述微发光二极管的第一极和第二极分别对应设置；通过一次构图工艺，在所述衬底的所述第一面上形成第一电极、第二电极、第四电极和第五电极；通过电镀工艺，形成第三电极和第六电极；其中，所述第三电极包括：第一固定部、第一悬梁部和第一活动部；所述第一悬梁部的一端通过所述第一固定部与所述第一电极固定连接，另一端通过所述第一活动部悬置于所述第一通孔中；所述第一悬梁部与所述第二电极之间具有第一预设距离；所述第六电极包括：第二固定部、第二悬梁部和第二活动部；所述第二悬梁部的一端通过所述第二固定部与所述第四电极固定连接，另一端通过所述第二活动部悬置于所述第二通孔中；所述第二悬梁部与所述第五电极之间具有第二预设距离。可选地，该微发光晶体管检测器件的制备方法还包括：通过一次构图工艺，在所述衬底的所述第一面上形成位于所述第一电极远离所述第二电极一端的第一固定电极、位于所述第四电极远离所述第五电极一端的第二固定电极、位于所述第一通孔和第二通孔之间的第三固定电极；将保护壳至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极键合连接。可选地，所述将保护壳至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极键合连接之前，还包括：在所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极上形成平坦层；在所述衬底的所述第二面上形成缓冲层。可选地，所述缓冲层的厚度小于所述第一预设距离、及小于所述第二预设距离。附图说明图1a、图1b、图1c为一种MEMS开关的实现原理示意图；图2a、图2b为本专利技术实施例提供的一种微发光二极管检测器件的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种微发光二极管检测器件的制备方法的流程示意图；图4a-图4k为本专利技术实施例提供的一种微发光二极管检测器件的制备方法中各步骤的示意图。其中附图标记为：201-衬底、202-第一通孔、203-第二通孔、204-保护壳、205-平坦层、206-缓冲层、P-第一极、N-第二极、2011-第一面、2012-第二面、2041-第一电极、2042-第二电极、2043-第三电极、2044-第四电极、2045-第五电极、2046-第六电极、2047-第一固定电极、2048-第二固定电极、2049-第三固定电极、301-第一固定部、302-第一悬梁部、303-第一活动部、304-第二固定部、305-第二悬梁部、及306第二活动部。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。微电子机械系统(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管检测器件，其特征在于，包括：衬底、和贯穿所述衬底的第一通孔和第二通孔；所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；所述第一通孔和所述第二通孔与待测的所述微发光二极管的第一极和第二极分别对应设置；还包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一检测部和第二检测部；/n所述第一检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一电极、位于所述第一电极和所述第一过孔之间的第二电极、和与所述第一电极固定连接的第三电极；/n所述第三电极包括：第一固定部、第一悬梁部和第一活动部；所述第一悬梁部的一端通过所述第一固定部与所述第一电极固定连接，另一端通过所述第一活动部悬置于所述第一通孔中；所述第一悬梁部与所述第二电极之间具有第一预设距离；/n所述第二检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第四电极、位于所述第四电极和所述第二过孔之间的第五电极、和与所述第四电极固定连接的第六电极；/n所述第六电极包括：第二固定部、第二悬梁部和第二活动部；所述第二悬梁部的一端通过所述第二固定部与所述第四电极固定连接，另一端通过所述第二活动部悬置于所述第二通孔中；所述第二悬梁部与所述第五电极之间具有第二预设距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管检测器件，其特征在于，包括：衬底、和贯穿所述衬底的第一通孔和第二通孔；所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；所述第一通孔和所述第二通孔与待测的所述微发光二极管的第一极和第二极分别对应设置；还包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一检测部和第二检测部；
所述第一检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第一电极、位于所述第一电极和所述第一过孔之间的第二电极、和与所述第一电极固定连接的第三电极；
所述第三电极包括：第一固定部、第一悬梁部和第一活动部；所述第一悬梁部的一端通过所述第一固定部与所述第一电极固定连接，另一端通过所述第一活动部悬置于所述第一通孔中；所述第一悬梁部与所述第二电极之间具有第一预设距离；
所述第二检测部包括：位于所述衬底的所述第一面上的第四电极、位于所述第四电极和所述第二过孔之间的第五电极、和与所述第四电极固定连接的第六电极；
所述第六电极包括：第二固定部、第二悬梁部和第二活动部；所述第二悬梁部的一端通过所述第二固定部与所述第四电极固定连接，另一端通过所述第二活动部悬置于所述第二通孔中；所述第二悬梁部与所述第五电极之间具有第二预设距离。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管检测器件，其特征在于，还包括：位于所述第一电极远离所述第二电极一端的第一固定电极、位于所述第四电极远离所述第五电极一端的第二固定电极、位于所述第一通孔和第二通孔之间的第三固定电极、和至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极连接的保护壳；
所述保护壳的连接端至少与所述第一固定电极、所述第二固定电极键合连接。


3.根据权利要求2所述的微发光二极管检测器件，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极同层设置。


4.根据权利要求3所述的微发光二极管检测器件，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极的材料包括：铝；所述保护壳的连接端的材料包括：锗。


5.根据权利要求2所述的微发光二极管检测器件，其特征在于，还包括：位于所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第五电极、所述第一固定电极、所述第二固定电极和所述第三固定电极上的平坦层、和位于所述衬底的所述第二面上的缓冲层；
所述第一通孔贯穿所述平坦层和所述缓冲层；
所述第二通孔贯穿所述平坦层和所述缓冲层。


6.根据权利要求5所述的微发光二极管检测器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度小于所述第一预设距离、及小于所述第二预设距离。


7.根据权利要求1所述的微发光二极管检测器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志伟，罗雯倩，焦士搏，王峰，刘英伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11