一种硅片氧化测试工具制造技术

本发明专利技术提供一种硅片氧化测试工具，其特征在于：包括工具主体，所述工具主体为矩形双层框架，上层框架为中空结构，所述上层框架的顶部开有五个直径3厘米的孔洞，所述孔洞呈梅花形五点排布；下层框架与上层框架的接触面相对的两边上对应的各开有一个凹槽；所述工具主体整体采用透明材质。使用本申请测试工具时，将氧化过的硅片放置于上层框架内部，位于孔洞正下方，然后用吸管滴水至5个孔洞的中间，等待5分钟，观察扩散是否大于孔洞，就可直观、准确的判定硅片是否氧化合格。判定硅片是否氧化合格。判定硅片是否氧化合格。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片氧化测试工具


[0001]本专利技术属于太阳能电池制造领域，尤其涉及一种硅片氧化测试工具。

技术介绍

[0002]目前行业中测试硅片氧化性能是否合格达标应用的是水滴测试法，具体为选取烧杯、测试平台和滴液吸管，烧杯里面盛少量纯水放测试平台上,用滴液吸管吸少量水,把从氧化机台氧化完成取出来的硅片放到烧杯上面,然后把纯水滴到硅片的四周和中间,过5分钟左右用尺测量纯水在硅片上面的扩散面积,若纯水扩散直径达到3厘米则判定硅片氧化合格。很明显此测试方法繁琐且测量不准确,而且在用尺测量的时候还会存在对硅片造成表面磨损的情况。

技术实现思路

[0003]鉴于以上，本专利技术提供一种硅片氧化测试工具，使用该工具测试硅片氧化是否达标不需要用尺测量，直接观察孔洞内水滴扩散情况即可判定，更直观方便，更准确，而且测试过程硅片位于测试工具内部，进一步确保硅片不会因外界误碰等因素导致损坏的的风险，使整个测试过程更规范、更安全。
[0004]本专利技术具体技术方案如下：
[0005]一种硅片氧化测试工具，其特征在于：包括工具主体，所述工具主体为矩形双层框架，上层框架为中空结构，所述上层框架的顶部开有五个直径3厘米的孔洞，所述孔洞呈梅花形五点排布；下层框架与上层框架的接触面相对的两边上对应的各开有一个凹槽；所述工具主体整体采用透明材质。
[0006]本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0007]图1为硅片氧化测试工具的整体结构示意图；
[0008]其中，1为工具主体，2为上层框架，3为下层框架，4为孔洞，5为凹槽。
具体实施方式
[0009]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0010]如图1所示，本实施例的硅片氧化测试工具，包括工具主体1，工具主体1为矩形双层框架，上层框架2为中空结构，上层框架2的顶部开有五个直径3厘米的孔洞4，孔洞4呈梅花形五点排布；下层框架3与上层框架2的接触面相对的两边上对应的各开有一个凹槽5。使
用本实施例测试工具时，将氧化过的硅片放置于上层框架2内部，位于孔洞4正下方，然后用吸管滴水至5个孔洞的中间，等待5分钟，观察扩散是否大于孔洞，就可直观、准确的判定硅片是否氧化合格。
[0011]优选的，工具主体整体采用透明材质，如玻璃、亚克力板、有机玻璃、透明塑料等，具体可根据需要进行选择。
[0012]本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本专利技术的实施例只作为举例而并不限制本专利技术。本专利技术的目的已经完整并有效地实现。本专利技术的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本专利技术的实施方式可以有任何变形或修改。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化测试工具，其特征在于：包括工具主体，所述工具主体为矩形双层框架，上层框架为中空结构，所述上层框架的顶部开有五个直径3厘米...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文建，
申请(专利权)人：江苏润阳光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：