本发明专利技术公开了一种并联式径向磁流变阀，包括活塞外筒和设置于活塞外筒端部的活塞上端盖；活塞外筒沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片，导磁片与活塞外筒之间设置有线圈隔筒；线圈隔筒与活塞外筒之间布置有励磁线圈；导磁片中心沿轴向方向设置有导磁片开孔，导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道，多个导磁片之间的间隙沿径向方向形成第二导流道，导磁片与线圈隔筒之间形成第三导流道；本技术方案的并联式径向磁流变阀，将径向流道与多通道并联结构相结合，同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力，使磁流变阻尼器的动态范围大大提高，大大改善了磁流变阻尼器的可控性，提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能。冲性能。冲性能。
【技术实现步骤摘要】
并联式径向磁流变阀及其减振器
[0001]本专利技术涉及磁流变减振领域，具体涉及一种并联式径向磁流变阀及其减振器。
技术介绍
[0002]缓冲是指在诸如车辆、直升机和重型武器等器械受到高速冲击时缓和其机械振动，使其受力平缓的过程。在实际中，这些冲击情形都会使乘员以及机械设备受到很大的冲击，从而危害乘员的生命安全以及设备安全，因此有必要采取缓冲措施。磁流变缓冲装置是以磁流变介质为填充材料，借助于磁流变介质在磁场的作用下，能在毫秒级的时间内改变流变特性而研制成的半主动缓冲器件。半主动缓冲系统的性能主要取决于磁流变阻尼器的性能，动态范围最为衡量磁流变阻尼器可控性的一个重要指标，直接决定磁流变阻尼器的性能优劣。在低速环境下，隔振系统对阻尼器的阻尼力性能要求不高，传统的磁流变阻尼器即可为半主动控制系统提供合理的性能，但传统的磁流变阻尼器的动态范围随着活塞速度的增加而显著减小，因此在高速环境下无法有效地减轻冲击载荷，使磁流变阻尼器的缓冲效率大大降低。现有的磁流变阻尼器大多采用单一环形流道，利用流动模式产生可控的库伦阻尼力，但工作区域面积太小，产生的可控库伦阻尼力太小，且单一流道体积流量小、流速高，产生的不可控粘滞阻尼力太大，最终导致磁流变阻尼器的动态范围太小。
[0003]为此，需要一种新型的并联式径向磁流变阀及其减振器，用以解决上述问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本技术方案的并联式径向磁流变阀，将径向流道与多通道并联结构相结合，同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力，使磁流变阻尼器的动态范围大大提高，大大改善了磁流变阻尼器的可控性，提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能。保护乘员的生命安全以及设备安全。
[0005]一种并联式径向磁流变阀，包括活塞外筒和设置于活塞外筒端部的活塞上端盖；所述活塞外筒沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片，所述导磁片与活塞外筒之间设置有线圈隔筒；所述线圈隔筒与活塞外筒之间均匀布置有励磁线圈；所述导磁片中心沿轴向方向均设置有导磁片开孔，所述多个导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道，所述导磁片之间的间隙沿导磁片径向方向形成第二导流道，所述导磁片与线圈隔筒之间形成环形结构的第三导流道；所述三个导流道相互连通设置。
[0006]进一步，所述活塞上端盖上设置有用于向活塞外筒内部导通的上导流孔，所述活塞上端盖上设置有用于与第三导流道进行单向导通的单向导通组件。
[0007]进一步，所述上导流孔设置有多个且上导流孔相对于活塞外筒的轴线方向对称布置，所述单向导通组件为两组且两组单向导通组件相对于活塞外筒的轴线方向对称布置。
[0008]进一步，所述上导流孔到活塞外筒轴线的距离小于单向导通组件到活塞外筒轴线的距离，所述上导流孔截面呈弧形结构。
[0009]进一步，所述导磁片之间设置有用于导磁片形成间隙的导磁片垫片。
[0010]进一步，所述活塞外筒底部设置有下导流孔，所述下导流孔为多个且多个下导流孔在同一圆周方向均匀布置。
[0011]进一步，所述单向导通组件包括固定设置于活塞上端盖内侧的螺旋拉伸弹簧以及设置于活塞上端盖外侧的阀片。
[0012]进一步，所述活塞外筒和活塞上端盖之间设置有O型密封环。
[0013]一种减振器，所述减振器设置有并联式径向磁流变阀，所述减振器采用所述并联式径向磁流变阀。
[0014]本专利技术的有益效果是：
[0015]本技术方案采用径向流道，效率高，有效工作区域面积大，产生的可控阻尼力大，进而有效地增大了磁流变阻尼器的阻尼力范围和动态范围。相对于传统的磁流变阻尼器采用的单一流道，体积流量小，流速高，高速环境下粘滞阻尼力大，本技术方案采用多通道并联结构，体积流量大，流速低，高速环境下粘滞阻尼力小，进而有效地增大了磁流变阻尼器的动态范围，通过单向导通机构，使得磁流变液在不同流向时可以产生不同的流动效果，实现了减振器压缩复原过程中非对称的性能。将径向流道与多通道并联结构相结合，同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力，使磁流变阻尼器的动态范围大大提高，大大改善了磁流变阻尼器的可控性，提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能。保护使用者的生命安全以及设备安全。
附图说明
[0016]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述：
[0017]图1为本专利技术并联式径向磁流变阀结构示意图；
[0018]图2为本专利技术第一减振器结构示意图；
[0019]图3为本专利技术第二减振器结构示意图；
[0020]图4为本专利技术第三减振器结构示意图。
具体实施方式
[0021]图1为本专利技术并联式径向磁流变阀结构示意图；图2为本专利技术第一减振器结构示意图；图3为本专利技术第二减振器结构示意图；图4为本专利技术第三减振器结构示意图；如图所示，一种并联式径向磁流变阀6，包括活塞外筒63和设置于活塞外筒63端部的活塞上端盖61，上端盖61与活塞外筒63之间还设置有密封环62，使用O型密封环62保证内部的良好密封作用；所述活塞外筒63沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片68，所述导磁片68与活塞外筒63之间设置有线圈隔筒65；所述线圈隔筒与活塞外筒之间均匀布置有励磁线圈64；所述导磁片68中心沿轴向方向均设置有导磁片开孔(即图1中导磁片中心位置的开孔结构)，所述多个导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道，导磁片68上均设置有开孔且开孔同轴设置，所述导磁片之间的间隙沿导磁片径向方向形成第二导流道，导磁片 68之间设置有间隙，间隙之间即形成了环形的空间即第二导流道，所述导磁片 68与线圈隔筒65之间形成环形结构的第三导流道，即多片导磁片堆叠形成柱状结构与线圈隔筒65之间形成第三导流道；所述三个导流道相互连通设置。本技术方案采用径向流道，效率高，有效工作区域面积大，产生的可控阻尼力大，进而有效地增大了磁流变阻尼器的阻尼力范围和动态范围。传统的磁
流变阻尼器多采用单一流道，体积流量小，流速高，高速环境下粘滞阻尼力大，本技术方案采用多通道并联结构，体积流量大，流速低，高速环境下粘滞阻尼力小，进而有效地增大了磁流变阻尼器的动态范围。将径向流道与多通道并联结构相结合，同时增加可控的库伦阻尼力和降低不可控的粘滞阻尼力，使磁流变阻尼器的动态范围大大提高，大大改善了磁流变阻尼器的可控性，提升了磁流变阻尼器在高速冲击环境下的缓冲性能，保护使用者的生命安全以及设备安全。
[0022]本实施例中，所述活塞上端盖61上设置有用于向活塞外筒内部导通的上导流孔612，所述活塞上端盖上设置有用于与第三导流道进行单向导通的单向导通组件。活塞上端盖61与活塞外筒63之间通过连接螺栓67及螺母连接，导磁片与导磁片之间通过连接螺栓67、导磁片垫片69连接和定位，上导流孔612连通内部便于磁流变液进行流动，通过单向导通机构，使得磁流变液在不同流向时可以产生不同的流动效果，实现了减振器压缩复原过程中非对称的性能，即磁流变液流动方向不同会产生不同的阻尼效果。
[0023]本实施例中，所述上导流孔6本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种并联式径向磁流变阀，其特征在于：包括活塞外筒和设置于活塞外筒端部的活塞上端盖；所述活塞外筒沿轴向方向均匀间隔设置有多个导磁片，所述导磁片与活塞外筒之间设置有线圈隔筒；所述线圈隔筒与活塞外筒之间均匀布置有励磁线圈；所述导磁片中心沿轴向方向均设置有导磁片开孔，所述多个导磁片开孔沿轴向方向贯通形成第一导流道，所述导磁片之间的间隙沿导磁片径向方向形成第二导流道，所述导磁片与线圈隔筒之间形成环形结构的第三导流道；所述三个导流道相互连通设置。2.根据权利要求1所述的并联式径向磁流变阀，其特征在于：所述活塞上端盖上设置有用于向活塞外筒内部导通的上导流孔，所述活塞上端盖上设置有用于与第三导流道进行单向导通的单向导通组件。3.根据权利要求2所述的并联式径向磁流变阀，其特征在于：所述上导流孔设置有多个且上导流孔相对于活塞外筒的轴线方向对称布置，所述单向导通组件为两组且两组单向导通组件相对于活塞外筒的轴线方向对称布置。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：董小闵，王陶，石开元，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：
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