一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途技术

本发明专利技术公开了一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途。该化合物分子式为Li

【技术实现步骤摘要】
一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途


[0001]本专利技术涉及一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途，属于晶体材料


技术介绍

[0002]目前常用的紫外深紫外非线性变频晶体主要包括BBO, LBO(LiB3O5), CBO(CsB3O5) 和 KBBF(KBe2BO3F2)，这些晶体虽然已成为目前市场上的主流，但仍然存在不足之处，如层状生长习性、毒性强、晶体容易潮解、材料成本高等。因此，探寻新的无毒的紫外非线性变频晶体仍然是一项非常有意义的工作。
[0003]通过非线性变频晶体的谐波原理来产生紫外或深紫外激光，是目前全固态激光器的主要工作方式之一。变频晶体是全固态激光器的核心材料，它决定着全固态激光器的输出波长及光学质量。
[0004]因此，近20年来，寻找新型无毒非线性光学晶体材料一直是国际上的研究热点之一。在探索新材料时，不仅注重晶体的物理化学和光学性能，而且越来越重视如何降低晶体的制备成本，以便获得价格低廉的高质量大尺寸晶体。

技术实现思路
<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物，其特征在于，其分子式为Li
18
Cu3B
12
O
30
，属于三斜晶系，空间群为P
‑
1 ，晶胞参数为：a = 4.8132(17)
ꢀÅ
, b = 9.228(4)
ꢀÅ
, c = 13.911(5)
ꢀÅ
, V = 592.0(4), α = 104.144(9)
ꢀ°
, β = 96.052(12)
ꢀ°ꢀ
, γ = 94.757(6)
°
，莫氏硬度为2.5
‑
3.1。2.一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）、按照化学计量比Li:B:Cu=6:4:1配料，采用固相合成法在450
‑
600
o
C烧结12
‑
48小时，合成硼酸铜锂（Li
18
Cu3B
12
O
30
）化合物；2）、将硼酸铜锂和助熔剂按摩尔比1 : 0.5
‑
1.5进行配料，其中助熔剂为含锂或含铜氧化物、氢氧化物或碳酸盐，在马弗炉中以750
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坤鹏，张建秀，刘泳，任衍彪，徐本燕，李凤丽，程晓，
申请(专利权)人：枣庄学院，
类型：发明
国别省市：