一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料，化学式为Re

【技术实现步骤摘要】
一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法


[0001]本专利技术属于功能材料
，特别涉及一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息化时代的发展，人们对特殊波段激光的关注越来越多，促使世界各国学者的研究重心往新波段优良激光器的方向转变，比如可见光波段和波长较长的中红外波段。现今，GaN蓝光二极管在390nm波段附近已经可以提供瓦量级的输出功率。InGaN二极管可以在360-470nm波段范围内发出从近紫外光到蓝光的激光。
[0003]三价Pr
3+
是应用较多的直接发射可见光激光的掺杂离子。在445nm、468nm和486nm处，Pr
3+
的吸收截面可以达到10-19
cm2量级，其上能级3P0的荧光寿命约为几十微秒。其中445nm处的吸收峰与InGaN激光二极管泵浦源的发射波长非常吻合，468nm处的吸收峰与2ω-OPSLs泵浦源的发射波长非常吻合。相比于其他的稀土离子，Pr
3+
在可见光波段范围内，其拥有大量的辐射跃迁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料，其特征在于：所述共晶材料的化学式为Re
4x
Bi
4(1-x)
Si3O
12
/Bi
12
SiO
20
，其中，稀土离子Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy、Sm中任一种，x的取值范围为0.003-0.05。2.根据权利要求1所述共晶材料，其特征在于：采用的原材料为纯度为5N的Bi2O3、SiO2和Re2O3，其中Bi2O3和SiO2的质量分数比为1：3。3.根据权利要求2所述共晶材料，其特征在于：原材料中当稀土离子Re为Nd时，Nd与Bi离子的摩尔比为：Nd：Bi＝0.003-0.1：1；当稀土离子Re为Yb时，Yb与Bi离子的摩尔比为Yb：Bi＝0.5-1：1；当稀土离子Re为Tm时，Tm与Bi离子的摩尔比Tm：Bi＝0.02：0.98；当稀土离子Re为Ho时，Ho与Bi离子的摩尔比Ho：Bi＝0.003-0.005：0.995-0.997；当稀土离子Re为Er时，Er与Bi离子的摩尔比Er：Bi＝0.03-0.07：0.97-0.93；当稀土离子Re为Pr时，Pr与Bi离子的摩尔比Pr：Bi＝0.003-0.006：0.994-0.997；当稀土离子Re为Dy时，Dy与Bi离子的摩尔比Dy:Bi＝0.02-0.04：0.96-0.98；当稀土离子Re为Sm时，Sm与Bi离子的摩尔比Sm：Bi＝0.03-0.05：0.95-0.97。4.一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料的制备方法，其特征在于：共晶材料为权利要求1-3中任一所述的共晶材料，具体步骤为：S01，粉末原料称重；按照摩尔百分比1：3称取纯度为5N的Bi2O3、SiO2粉末，掺杂一定量的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李纳，徐军，徐晓东，王东海，王庆国，唐慧丽，吴锋，
申请(专利权)人：南京同溧晶体材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：