一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，包括反应槽，所述反应槽的内部转动安装有传动机构，所述反应槽的顶部分别固定连接有水膜机构和第一感应器，所述水膜机构的内部设置有温控单元，所述第一感应器位于水膜机构的一侧，所述反应槽的内壁固定安装有第二感应器，所述第二感应器位于传动机构的上端，所述反应槽的内部设置有建浴机构，本实用新型专利技术通过传动装置对硅片的多段水膜附着，利用反应槽内低液位从而产生药水张力的作用，使硅片上部的磷硅玻璃在生产中不会被破坏，解决了现如今刻蚀工艺效果不佳且成本昂贵等问题，且降低了生产成本，提高了良品率。提高了良品率。提高了良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置


[0001]本技术涉及太阳能电池片制造设备
，具体为一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置。

技术介绍

[0002]太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源。为此，人们研制和开发了各种太阳能电池板，各种太阳能电池板的制备工艺应运而生，近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源。
[0003]太阳能电池片制作过程中，刻蚀工艺是该产品很重要的一个环节，目前刻蚀工艺有两种，一种是用酸抛工艺，酸抛工艺需要使用大量的硝酸，会生成大量含氮化合物，污染环境，进而需要高额的处理费用；由于酸的刻蚀各向异性，进而导致刻蚀工艺效果不佳；另外一种是槽式碱抛工艺，先通过水平酸刻蚀去除正面磷硅玻璃之后进入槽式碱抛设备中，这种工艺因为电池片需要放置在花篮中，在反应时，药水无法和电池片能够充分的接触反应，所以导致背面抛光效果不佳，且多一道水平酸刻蚀工艺导致成本高且良品率低，因此我们需要提出一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，通过传动装置对硅片的多段水膜附着，利用反应槽内低液位从而产生药水张力的作用，使了硅片上部的磷硅玻璃在生产中不会被破坏，解决了现如今刻蚀工艺效果不佳且成本昂贵等问题，且降低了生产成本，提高了良品率，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，包括反应槽，所述反应槽的内部转动安装有传动机构，所述反应槽的顶部分别固定连接有水膜机构和第一感应器，所述水膜机构的内部设置有控温单元，所述第一感应器位于水膜机构的一侧，所述反应槽的内壁固定安装有第二感应器，所述第二感应器位于传动机构的上端，所述反应槽的内部设置有建浴机构，所述建浴机构位于传动机构的下端，所述反应槽的底部固定连接有箱体，所述箱体的底部固定连接有储液槽，所述反应槽和储液槽之间通过排液管和回流管连通。
[0006]优选的，所述第一感应器和水膜机构均至少设置有四组，且四组所述水膜机构呈等间距设置。
[0007]优选的，所述传动机构位于水膜机构和建浴机构之间。
[0008]优选的，所述排液管设置为L形的排液管，所述排液管的一端连通于反应槽的内部，所述排液管的另一端连通于储液槽的内部。
[0009]优选的，所述回流管的一端位于箱体和储液槽的内部，所述回流管上分别设置有阀门和连接件。
[0010]优选的，所述第一感应器设置为水膜感应器，所述第二感应器设置为位置感应器。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]通过水膜机构、第一感应器和反应槽的设计，将硅片放置在反应槽中的传动机构上，且反应槽内的药水的液位较低，传动机构带动硅片移动并靠近第一感应器和水膜机构，第二感应器能够精确计算硅片的运行位置，待硅片运行至水膜机构的下端时，水膜机构对硅片的上部镀上一层水膜，当第一感应器检测出水膜的量不够时，可对水膜进行精确的补充，当硅片移动至建浴机构的上端时，建浴机构对硅片的下部进行反应，本技术通过传动装置对硅片的多段水膜附着，利用反应槽内低液位从而产生药水张力的作用，使了硅片上部的磷硅玻璃在生产中不会被破坏，解决了现如今刻蚀工艺效果不佳且成本昂贵等问题，且降低了生产成本，提高了良品率。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构示意图；
[0014]图2为本技术水膜机构和温控单元的结构示意图；
[0015]图3为本技术反应槽和传动机构的结构示意图。
[0016]图中：1、反应槽；2、第一感应器；3、水膜机构；4、第二感应器；5、传动机构；6、建浴机构；7、箱体；8、储液槽；9、排液管；10、回流管；11、阀门；12、连接件；13、控温单元。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
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3，本技术提供一种技术方案：一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，包括反应槽1，反应槽1内部的药水的液位较低，反应槽1的内部转动安装有传动机构5，带动硅片移动，反应槽1的顶部分别固定连接有水膜机构3和第一感应器2，水膜机构3给硅片的上部镀上一层水膜，第一感应器2能对反应槽内电池片上部水膜的精准补充，第一感应器2和水膜机构3均至少设置有四组，给水膜进行分段式的补充，且四组水膜机构3呈等间距设置，水膜机构3的内部设置有控温单元13，控制温度范围在18摄氏度至91摄氏度，第一感应器2位于水膜机构3的一侧，且硅片先到达第一感应器2的下端；
[0019]反应槽1的内壁固定安装有第二感应器4，第一感应器2设置为水膜感应器，第二感应器4设置为位置感应器，能够精确计算硅片的运行位置，第二感应器4位于传动机构5的上端，反应槽1的内部设置有建浴机构6，建浴机构6对硅片的下半部分进行反应，建浴机构6位于传动机构5的下端，传动机构5位于水膜机构3和建浴机构6之间，便于对硅片的上部镀上水膜，对硅片的下部进行反应；
[0020]反应槽1的底部固定连接有箱体7，箱体7的底部固定连接有储液槽8，反应槽1和储液槽8之间通过排液管9和回流管10连通，排液管9设置为L形的排液管，废液从反应槽1流向储液槽8内，排液管9的一端连通于反应槽1的内部，排液管9的另一端连通于储液槽8的内部，回流管10的一端位于箱体7和储液槽8的内部，回流管10上分别设置有阀门11和连接件
12，阀门11控制回流管10的开通与封闭，回流管10通过和连接件12固定连接将回流管10固定住。
[0021]工作原理：在使用本装置时，将硅片放置在反应槽1中的传动机构5上，传动机构5带动硅片移动并靠近第一感应器2和水膜机构3，第二感应器4能够精确计算硅片的运行位置，待硅片运行至水膜机构3的下端时，水膜机构3对硅片的上部镀上一层水膜，当第一感应器2检测出水膜的量不够时，可对水膜进行精确的补充，当硅片移动至建浴机构6的上端时，建浴机构6对硅片的下部进行反应，通过应用药水张力的作用，保证硅片在生产时只会反应下部的部分，而不破坏电池片上部的结构。
[0022]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，包括反应槽(1)，其特征在于：所述反应槽(1)的内部转动安装有传动机构(5)，所述反应槽(1)的顶部分别固定连接有水膜机构(3)和第一感应器(2)，所述水膜机构(3)的内部设置有控温单元(13)，所述第一感应器(2)位于水膜机构(3)的一侧，所述反应槽(1)的内壁固定安装有第二感应器(4)，所述第二感应器(4)位于传动机构(5)的上端，所述反应槽(1)的内部设置有建浴机构(6)，所述建浴机构(6)位于传动机构(5)的下端，所述反应槽(1)的底部固定连接有箱体(7)，所述箱体(7)的底部固定连接有储液槽(8)，所述反应槽(1)和储液槽(8)之间通过排液管(9)和回流管(10)连通。2.根据权利要求1所述的一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置，其特征在于：所述第一感应器(2)和水膜机构(3)均至少设...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙刘竹，李冰，
申请(专利权)人：苏州库睿斯自动化设备有限公司，
类型：新型
国别省市：