【技术实现步骤摘要】
存储器装置和存储器模块
[0001]本申请要求于2019年9月25日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0118378号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
[0002]专利技术构思涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种电阻式存储器装置以及一种电阻式存储器装置的读取方法。
技术介绍
[0003]作为非易失性存储器装置，除了闪存装置之外，已知诸如相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)、电阻式RAM(RRAM)的电阻式存储器装置。电阻式存储器装置可以具有闪存存储器的非易失性特性且具备动态随机存取存储器(DRAM)的较高速特性。
[0004]电阻式存储器装置的存储器单元可以具有根据编程数据的电阻分布。在对存储在存储器单元中的数据的读取操作中，可以通过向存储器单元施加恒定电流或电压并且读取根据存储器单元的电阻的大小而变化的电压来感测数据。连接到存储器单元的字线和位线可以均具有寄生电容器分量，并且...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括在多条字线与多条位线彼此交叉的区域中的多个存储器单元；行解码器，包括与所述多条字线对应的多个行开关并且被配置为对所述多条字线执行选择操作；列解码器，包括与所述多条位线对应的多个列开关并且被配置为对所述多条位线执行选择操作；以及控制逻辑，被配置为控制在数据读取操作中的字线预充电时段中将对连接到被选存储器单元的被选字线执行的预充电操作，并且控制在字线预充电时段之后的位线预充电时段中将对连接到被选存储器单元的被选位线执行的预充电操作；其中，连接到被选字线的行开关在位线预充电时段中被弱导通。2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括感测放大器，所述感测放大器连接到被选字线以通过将被选字线的电压与参考电压进行比较来检测被选存储器单元的数据。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，行开关在字线预充电时段中被导通以对被选字线进行预充电，并且行开关在位线预充电时段中弱导通，使得被选字线被伪浮置。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，弱导通电平的控制信号在位线预充电时段中被施加到行开关，其中，弱导通电平是在用于导通行开关的导通电平与用于截止行开关的截止电平之间的电平。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，行开关包括晶体管，所述晶体管包括连接到被选字线的漏极端子、被施加控制信号的栅极端子和连接到数据线的源极端子，并且控制信号的弱导通电平低于导通电平且高于截止电平。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，存储器单元阵列均包括多个存储器单元并且均包括竖直堆叠的第一层和第二层，并且其中，当对第一层的第一存储器单元执行读取操作时，在位线预充电时段中将第一电平的控制信号施加到连接到第一存储器单元的第一行开关，并且当对第二层的第二存储器单元执行读取操作时，在位线预充电时段中将第二电平的控制信号施加到连接到第二存储器单元的第二行开关，并且第一电平和第二电平不同。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一电平是在导通电平与截止电平之间的电平，并且第二电平是截止电平。8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一电平和第二电平是在导通电平与截止电平之间的电平。9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一层和第二层共用所述多条位线。10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一层的第一存储器单元和第二层的第二存储器单元中的每个包括选择器件层和堆叠在选择器件层上的可变电阻层。11.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一层的第一存储器单元包括堆叠在第一字线上的第一选择器件层、堆叠在第一选择
器件层上的第一可变电阻层以及堆叠在第一可变电阻层上的位线，并且第二层的第二存储器单元包括堆叠在位线上的第二选择器件层、堆叠在第二选择器件层上的第二可变电阻层以及堆叠在第二可变电阻层上的第二字线。12.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个存储器单元包括第一存储器单元以及定位为比第一存储器单元距离列解码器更远的第二存储器单元，并且其中，当对第一存储器单元执行读取操作时，在位线预充电时段中将第三电平的控制信号施加到连接到第一存储器单元的第一行开关，并且当对第二存储器单元执行读取操作时，在位线预充电时段中将第四电平的控制信号施加到连接到第二存储器单元的第二行开关，并且第三电平和第四电平不同。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，第三电平和第四电平是在...
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