【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种将波束成形信号处理应用于RF调制X射线的装置
[0001]优先权文件
[0002]本申请要求于2018年5月25日提交的标题为“A Device for Applying Beamforming Signal Processing to RF Modulated X
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Rays(一种将波束成形信号处理应用于RF调制X射线的装置)”的澳大利亚临时专利申请第2018901828号的优先权,其内容通过引用全部并入本文。
[0003]本专利技术总体地涉及用于产生X射线辐射的装置,尤其涉及使用具有场致发射电子源的真空管产生射频调制X射线辐射的装置。
技术介绍
[0004]常规的X射线辐射源将来自加热的阴极的热电子发射用作用于产生X射线的电子源;这种热电子发射直接由热灯丝或灯丝加热的阴极电极产生。这些装置释放电子通量,该电子通量是阴极源温度和来自阳极和真空管中的其他电极(例如聚焦电极和栅极电极)的与阴极相邻出现的施加电场的函数。电子束朝着重金属目标阳极加速,并且撞击产生了受限于电子被加速到的峰值能量的广谱X射线。然后,使用机械准直器将X射线对准并穿过对象。
[0005]常规X射线源产生连续剂量或X射线辐射通量,因此已用于多种成像应用,其包括常规投影射线照相、计算机断层扫描、断层合成、相衬成像和背向散射成像。在常规的投影射线照相、计算机断层扫描和断层合成中,X射线测量基于X射线穿过目标的强度的变化。在计算机断层扫描和断层合成中,X射线源围绕对象旋转,并重建切片以生成三维图像。在相衬成像 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种X射线辐射束成形设备,包括:容纳在一个或多个真空外壳中的至少三个场致发射电子源和一个或多个关联的电极结构;射频(RF)源和RF控制器,被配置为产生多个单独控制的相位延迟的RF信号;RF匹配电路,被配置为将所述至少三个场致发射电子源中的每一个与所述多个单独控制的相位延迟的信号中的一个相匹配,以在所述多个相位延迟的RF信号中的每一个的相同的频率和相位延迟下产生多个RF调制电子电流;容纳在所述一个或多个真空外壳中的一个或多个目标阳极,其中,所述一个或多个目标阳极与所述至少三个场致发射电子源之间的电压电位使所述多个RF调制电子电流加速,以在所述多个相位延迟的RF信号中的每一个的相同的频率和相位延迟下产生RF调制X射线辐射,并且其中,RF控制器被配置为产生多个单独控制的相位延迟信号,以实现预定义的波束成形辐射图。2.如权利要求1所述的设备,其中,所述RF源的频率为至少100MHz。3.如权利要求2所述的设备,其中,所述RF源的频率为至少1GHz。4.如权利要求1至3中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源以小于所述RF源的四分之一波长的间隔隔开。5.如权利要求1至4中任一项所述的设备,其中,所述预定义的波束成形辐射图是通过空间行进的窄X射线波阵面。6.如权利要求1至4中任一项所述的设备,其中,所述预定义的波束成形辐射图将所述X射线辐射聚焦到信号空间位置。7.如权利要求1至6中任一项所述的设备,其中,所述RF源和所述RF控制器包括被配置为将RF控制信号供应给相位延迟元件阵列的RF源,并且所述控制器通过控制所述RF源和所述相位延迟元件阵列的操作实现所述预定义的波束成形辐射图。8.如权利要求7所述的设备,其中,所述相位延迟元件是固定的相位延迟元件。9.如权利要求7所述的设备,其中,所述相位延迟元件是可变的相位延迟元件。10.如权利要求7、8或9所述的设备,其中,所述RF控制器还包括:脉冲发生器,用于用脉冲调制所述RF控制信号,以产生通过空间行进的单峰波阵面或单峰焦点。11.如权利要求7、8或9所述的设备,其中,所述RF源和RF控制器被配置为通过使用多个单独控制的相位延迟电路来产生所述多个单独控制的相位延迟RF信号。12.如权利要求7、8或9所述的设备,其中,所述RF源和RF控制器被配置为通过使用多个相位延迟路径来产生所述多个单独控制的相位延迟RF信号。13.如权利要求7、8或9所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源布置成阵列,使得每一个单独的场致发射电子源之间的间隔沿着所述阵列具有设定的相移。14.如权利要求1至13中任一项所述的设备,其中,所述一个或多个目标包括至少三个目标阳极,其中,场致发射电子源到目标阳极具有1对1的映射,并且所述至少三个目标阳极以阵列布置,以产生至少三个RF调制的X射线辐射源的阵列。15.如权利要求1至14中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源被布
置为线性间隔的阵列。16.如权利要求1至14中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源被布置为非线性偏置的间隔的阵列,在所述阵列中偏置与所述调制RF控制信号的波长相关。17.如权利要求1至14中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源被布置为多组阵列。18.如权利要求17所述的设备,其中,每组是线性间隔的阵列。19.如权利要求17所述的设备,其中,每组被布置为非线性偏置的间隔的阵列,在所述阵列中偏置与所述调制RF控制信号的波长相关。20.如权利要求1至19中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源在单个真空外壳内以阵列布置,所述单个真空外壳被配置为产生多个RF调制的X射线辐射源的单个多束场致发射X射线管。21.如权利要求1至19中任一项所述的设备,其中,所述多个至少三个场致发射电子源均容纳在至少三个分开的真空外壳中,并且均被配置为单个RF调制的X射线辐射源,所述至少三个真空外壳以阵列布置。22.如权利要求1至19中任一项所述的设备,其中,所述至少三个场致发射电子源被布置为多束场致发射X射线管的阵列,所述多束场致发射X射线管产生多个RF调制的X射线辐射源,并且均包括单个真空外壳,所述单个真空外壳容纳有多个场致发射电子源的阵列,每一个所述场致发射电子源均产生多个RF调制的X射线...
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